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公开(公告)号：CN101684549B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200910204779.8
申请日：2009-09-24
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C30B25/02 , C30B29/38 , H01S5/323 , H01S5/028 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/0262 , C30B25/165 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01S5/32341
Abstract: 本发明制造具有p型氮化物半导体层的氮化物半导体装置，所述p型氮化物半导体层的结晶性良好、电阻率足够低、且Mg的掺杂效率大于0.3％。使用有机金属化合物作为III族原料、使用氨和肼衍生物作为V族原料、以及使用Mg原料气体作为p型杂质原料，在GaN基板(10)(基板)上形成p型GaN层(12)(p型氮化物半导体层)。此时，使含有III族原料、V族原料和p型杂质原料的原料气体的流速大于0.2m/秒。
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公开(公告)号：CN101154796A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710153114.X
申请日：2007-09-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种初始恶化率较小、长寿命的半导体发光元件。半导体激光器元件(101)具有夹持在n型覆盖层(104)与p型覆盖层(109)之间的活性层(106)。p型覆盖层(109)含有镁作为杂质，在活性层(106)与p型覆盖层(109)之间设置了由以InxAlyGa1－x－yN(其中，x≥0、y≥0、x+y＜1)表示的氮化物系化合物半导体构成的n型防扩散层(107)。n型防扩散层(107)中的n型杂质的掺杂浓度优选为5×1017cm－3以上且5×1019cm－3以下。
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公开(公告)号：CN104952708A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510131777.6
申请日：2015-03-24
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: C30B25/186 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02428 , H01L21/0243 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/02598 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 本发明得到一种能够提高产品的可靠性的碳化硅半导体装置的制造方法。首先，准备具有平均粗糙度小于或等于0.2nm的平坦性的碳化硅单晶衬底(1)。然后，将碳化硅单晶衬底(1)的表面在还原性气体气氛中进行气蚀。在进行气蚀之后，使碳化硅膜(6)在碳化硅单晶衬底(1)的表面上进行外延生长。在这里，将气蚀的蚀刻速率设为大于或等于0.5μm/h而小于或等于2.0μm/h。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103484837A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310222922.2
申请日：2013-06-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: C23C16/458 , C23C16/32 , C30B25/12 , C30B29/36 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/68757
Abstract: 本发明的目的在于提供能够抑制对衬底周围的保护气的影响并且具有长使用寿命的衬底支持体以及半导体制造装置。本发明涉及的衬底支持体是利用化学气相生长法在衬底的表面成膜时支持衬底的衬底支持体，具备：具有用于容纳衬底的凹部的石墨材料；该凹部中重叠以SiC形成的第1防脱气膜与以TaC或者HfC形成的第1防升华膜而形成的多层膜；以及该石墨材料的该凹部以外的部分中以SiC形成的第2防脱气膜。
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公开(公告)号：CN101540365A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910126826.1
申请日：2009-03-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L33/00 , H01S5/323 , H01L21/205
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01S5/2201 , H01S5/3054 , H01S5/3063 , H01S2304/04
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体层压结构、光半导体装置及它们的制造方法。制造具有结晶性良好、电阻率足够低的p型氮化物半导体层的氮化物半导体层压结构。在GaN基板(11)(基板)上使用作为III族原料的有机金属化合物、p型杂质以及作为V族原料的NH3形成p型Al0.07Ga0.93N层(12)(第一p型氮化物半导体层)。接着在该p型Al0.07Ga0.93N层(12)上使用作为III族原料的有机金属化合物、p型杂质以及作为V族原料的NH3和肼衍生物形成p型GaN层(13)(第二p型氮化物半导体层)。
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公开(公告)号：CN101290963A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810092602.9
申请日：2008-04-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01S5/2201 , H01S5/3063 , H01S5/3211 , H01S2304/04
Abstract: 本发明涉及一种抑制工作电压的氮化物半导体元件，目的在于提供一种适于在较低的电压下的利用的由氮化物系半导体构成的半导体激光器或发光二极管等发光元件。具有：p型接触层(28)；形成在p型接触层(28)下层的p型中间层(26)；形成在p型中间层的下层的p型覆盖层(24)。p型接触层(28)和所述p型中间层(26)之间、以及p型中间层(26)与所述p型覆盖层(24)之间的带隙差分别为200meV以下。
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公开(公告)号：CN110476223B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN201780089191.5
申请日：2017-04-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大野彰仁
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , C30B29/36 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/872
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公开(公告)号：CN106435722B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201610638775.0
申请日：2016-08-05
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到一种制造方法及制造装置，该制造方法及制造装置能够制造晶体缺陷少的碳化硅外延晶片，而不会损伤生长炉内的部件、晶片托架。将清除气体导入至生长炉(1)内而将附着于生长炉(1)的内壁面的树枝状碳化硅去除。在导入清除气体后，将碳化硅衬底(2)搬入至生长炉(1)内。将工艺气体导入至生长炉(1)内，在碳化硅衬底(2)之上使碳化硅外延层(9)生长而制造碳化硅外延晶片(10)。将具有大于或等于1.6E－4[J]的流体能量的清除气体导入至生长炉(1)内。
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