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公开(公告)号：CN104952708A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510131777.6
申请日：2015-03-24
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: C30B25/186 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02428 , H01L21/0243 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/02598 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 本发明得到一种能够提高产品的可靠性的碳化硅半导体装置的制造方法。首先，准备具有平均粗糙度小于或等于0.2nm的平坦性的碳化硅单晶衬底(1)。然后，将碳化硅单晶衬底(1)的表面在还原性气体气氛中进行气蚀。在进行气蚀之后，使碳化硅膜(6)在碳化硅单晶衬底(1)的表面上进行外延生长。在这里，将气蚀的蚀刻速率设为大于或等于0.5μm/h而小于或等于2.0μm/h。
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公开(公告)号：CN111725296B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202010186755.0
申请日：2020-03-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 目的是提供能够增大有效面积相对于芯片面积的比例，并且抑制层间绝缘膜的劣化的半导体装置。具有：层间绝缘膜，其设置于衬底之上；栅极焊盘，其设置于该层间绝缘膜之上；源极电极，其在俯视观察时与栅极焊盘的一部分相对；线状的源极配线，其在俯视观察时与该栅极焊盘的一部分相对而不与该源极电极相对，源极配线与该源极电极连接；以及栅极配线，其设置于该层间绝缘膜之上，与该栅极焊盘电连接，该衬底具有：第1导电型的漂移层；以及高杂质浓度区域，其设置于该栅极配线和该栅极焊盘的正下方，该高杂质浓度区域的第1导电型杂质的浓度比该漂移层的第1导电型杂质的浓度大，在俯视观察时，该源极配线和该栅极配线提供将该源极电极包围的1个框。
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公开(公告)号：CN109996908B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201680091075.2
申请日：2016-11-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: C30B29/36 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
Abstract: 半导体晶片具备：碳化硅衬底，其在厚度方向具有均匀的第一载流子浓度；载流子浓度过渡层，其设置于所述碳化硅衬底之上；以及外延层，其设置于所述载流子浓度过渡层之上，在厚度方向具有均匀的第二载流子浓度，所述第二载流子浓度比所述第一载流子浓度低。所述载流子浓度过渡层的载流子浓度在厚度方向具有浓度梯度。所述浓度梯度为如下梯度，即，从所述载流子浓度过渡层的正下方的层与所述载流子浓度过渡层的界面起，膜厚度越增加，载流子浓度越降低，并且所述载流子浓度过渡层的所述膜厚度越增加，载流子浓度越以小的降低率降低。所述载流子浓度过渡层的所述载流子浓度具有落在由第一浓度梯度条件及第二浓度梯度条件夹着的预先确定的浓度范围内的所述浓度梯度。
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公开(公告)号：CN109996908A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201680091075.2
申请日：2016-11-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: C30B29/36 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
Abstract: 半导体晶片具备：碳化硅衬底，其在厚度方向具有均匀的第一载流子浓度；载流子浓度过渡层，其设置于所述碳化硅衬底之上；以及外延层，其设置于所述载流子浓度过渡层之上，在厚度方向具有均匀的第二载流子浓度，所述第二载流子浓度比所述第一载流子浓度低。所述载流子浓度过渡层的载流子浓度在厚度方向具有浓度梯度。所述浓度梯度为如下梯度，即，从所述载流子浓度过渡层的正下方的层与所述载流子浓度过渡层的界面起，膜厚度越增加，载流子浓度越降低，并且所述载流子浓度过渡层的所述膜厚度越增加，载流子浓度越以小的降低率降低。所述载流子浓度过渡层的所述载流子浓度具有落在由第一浓度梯度条件及第二浓度梯度条件夹着的预先确定的浓度范围内的所述浓度梯度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104952708B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201510131777.6
申请日：2015-03-24
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明得到一种能够提高产品的可靠性的碳化硅半导体装置的制造方法。首先，准备具有平均粗糙度小于或等于0.2nm的平坦性的碳化硅单晶衬底(1)。然后，将碳化硅单晶衬底(1)的表面在还原性气体气氛中进行气蚀。在进行气蚀之后，使碳化硅膜(6)在碳化硅单晶衬底(1)的表面上进行外延生长。在这里，将气蚀的蚀刻速率设为大于或等于0.5μm/h而小于或等于2.0μm/h。
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公开(公告)号：CN107316805A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710287689.4
申请日：2017-04-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/67
CPC classification number: C30B29/36 , C23C16/325 , C30B25/14 , C30B25/20 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/67011
Abstract: 得到能够对晶体缺陷少的碳化硅外延晶片进行制造的碳化硅外延晶片的制造方法、碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅外延晶片的制造装置。使在生长炉(1)的内壁附着的碳化硅进行氮化、氧化或者氮氧化而得到稳定化。接下来，将衬底(2)搬入至生长炉(1)内。接下来，将工艺气体导入至生长炉(1)内，在衬底(2)之上使碳化硅外延层进行生长而制造碳化硅外延晶片。
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公开(公告)号：CN119325272A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202410520008.4
申请日：2024-04-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H10D84/01 , H01L21/78 , H01L23/544
Abstract: 本发明的目的在于提供能够减小无效区域并且抑制包覆膜的剥离的技术。半导体装置的制造方法包括：准备半导体构造体的准备工序、和对切割线区域进行切割的切割工序。侧监视电极的厚度比包覆膜的厚度小，在包覆膜与侧监视电极之间的距离b[μm]、和俯视时切割线区域的延伸方向上的侧监视电极的长度d[mm]之间，15＞b＞1.15×d+6.88成立。
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公开(公告)号：CN107078032A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201480082708.4
申请日：2014-10-14
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L21/02378 , C23C16/42 , C30B29/36 , G01B9/02084 , G01B11/0625 , H01L21/02447 , H01L21/02502 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L22/12
Abstract: 本发明的目的在于提供一种碳化硅外延晶片的制造方法，该碳化硅外延晶片的制造方法能够高精度地形成预定的层厚的多个碳化硅外延层。在本发明中，在n型SiC衬底(1)之上，以使与n型SiC衬底(1)之间的杂质浓度的变化率大于或等于20％的方式形成第一n型SiC外延层(2)。在第一n型SiC外延层(2)之上，以使与第一n型SiC外延层(2)之间的杂质浓度的变化率大于或等于20％的方式形成第二n型SiC外延层(3)。
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公开(公告)号：CN115527994A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210696224.5
申请日：2022-06-20
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 滨野健一
IPC: H01L23/544 , H01L29/78 , G01R19/00 , G01R19/32
Abstract: 本发明的目的在于在碳化硅半导体装置中实现稳定的电流感测动作并且抑制在小于或等于0℃的低温下主电流减小。SiC‑MOSFET(101)具有输出主电流的主单元(20)和输出与主电流成正比的感测电流的感测单元(30)，主电流的温度依赖特性根据主单元(20)的阈值电压而不同，感测电流的温度依赖特性根据感测单元(30)的阈值电压而不同，主单元(20)的阈值电压低于感测单元(30)的阈值电压，在小于或等于0℃时，主电流的温度依赖特性的斜率小于感测电流的温度依赖特性的斜率。
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