-
公开(公告)号：CN101731021B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200880023845.5
申请日：2008-07-08
申请人： 东洋制罐株式会社
CPC分类号： H05B6/54 , A23L3/10 , A23L5/15 , H05B3/0004 , H05B3/03
摘要： 本发明的目的在于提供一种能够均匀地对不定形状的被加热材料进行加热、并且能够稳定地进行基于加热电极对被加热材料的加热·保持输送的加热电极以及使用该加热电极的食材的加热方法。将由导电性针构成的多个针电极(10)的集合体以能够滑动的方式配设于针支承座(20)的贯通孔(21)，使压力可变的压力可变气室(30)与针支承座(20)结合，通过对上述气室(30)加压或者减压而使针电极(10)相对于针支承座(20)相对变位。
-
公开(公告)号：CN101731021A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200880023845.5
申请日：2008-07-08
申请人： 东洋制罐株式会社
CPC分类号： H05B6/54 , A23L3/10 , A23L5/15 , H05B3/0004 , H05B3/03
摘要： 本发明的目的在于提供一种能够均匀地对不定形状的被加热材料进行加热、并且能够稳定地进行基于加热电极对被加热材料的加热·保持输送的加热电极以及使用该加热电极的食材的加热方法。将由导电性针构成的多个针电极(10)的集合体以能够滑动的方式配设于针支承座(20)的贯通孔(21)，使压力可变的压力可变气室(30)与针支承座(20)结合，通过对上述气室(30)加压或者减压而使针电极(10)相对于针支承座(20)相对变位。
-
公开(公告)号：CN101460079A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200680054848.6
申请日：2006-06-26
申请人： 东洋制罐株式会社
CPC分类号： A47J36/02 , B65D81/262 , B65D81/3407
摘要： 本发明提供一种电磁炉用容器，所述电磁炉用容器可以对应于各个电磁炉厂家的不同锅具检测的频率等进行加热，能适当且容易地设定发热特征，并且在流通性、使用形态、废弃性、调理的轻便度方面优良，适用于烘烤食品、方便食品。一种电磁炉用容器，具有包含非导电性材料的容器主体，和在容器底部所具有的导电层，并且将相对于上述导电层的加热线圈的锅具检测频率数的高频电阻分变化率(R－R0)/R0设为5.3以上，将感应系数变化率(L－L0)/L0设为－0.17以下，这里，R表示基于加热线圈的上述高频电阻分(Ω)，R0表示基于无负荷时加热线圈的上述高频率电阻分(Ω)，L表示基于加热线圈的上述感应系数(μH)，L0表示基于无负荷时加热线圈的感应系数(μH)。
-
公开(公告)号：CN101435075A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810185927.1
申请日：2004-03-11
申请人： 东洋制罐株式会社
IPC分类号： C23C16/511 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/045 , C23C16/45568 , C23C16/45578 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H05H1/46 , H05H2001/463
摘要： 本发明提供能够在处理基体上形成均匀的薄膜的微波等离子体处理装置和气体供给构件。所述微波等离子体处理装置，具有：将作为处理对象的基体固定在等离子体处理室内的中心轴上的固定构件(unit)，使基体的内部及外部减压的抽气构件，处于基体的内部、形成等离子体处理室与半同轴圆筒共振系统的金属制的处理用气体供给构件，以及将微波引入等离子体处理室进行处理的微波引入构件；其中，在固定构件的支持基体的部分的规定位置上设置微波密封构件，同时将微波引入构件的连接位置形成于等离子体处理室的内部的电场强度分布中电场弱的规定位置。
-
公开(公告)号：CN1795289A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200480014788.6
申请日：2004-03-23
申请人： 东洋制罐株式会社
摘要： 蒸镀膜的形成方法，该方法是通过将待处理的基材保持在等离子处理室内，向该处理室内供给有机硅化合物和氧化性气体以进行化学等离子处理来在基材表面上形成由硅氧化物构成的蒸镀膜，在该方法中，通过将等离子处理室内的有机硅化合物气体的供给量维持恒定，并在制备蒸镀膜的制膜过程中使氧化性气体的供给量发生变化，即可获得密合性、柔软性、挠性、氧隔离性和水分隔离性均优良的化学蒸镀膜。
-
公开(公告)号：CN1777698A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200480010016.5
申请日：2004-04-12
申请人： 东洋制罐株式会社
IPC分类号： C23C16/511 , B01J19/08 , B65D23/02 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32284 , C23C16/045 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H05B6/80
摘要： 本发明提供一种能够在处理对象的表面形成均匀的薄膜层，而且能够在短时间内进行处理的微波等离子体处理方法。所述方法是通过将微波引入等离子体处理室(1)，使处理用的气体等离子体化，在配置于所述等离子体处理室(1)内的基体(13)上形成薄膜层的微波等离子体处理方法，该方法将所述基体(13)固定于与所述等离子体处理室(1)的中心轴相同的轴上，所述等离子体处理室内的微波的驻波模式在从所述基体的开口部(131)到主体部(133)为止采用TE模式或TEM模式，所述基体的底部(132)采用TE模式与TM模式共存的模式。
-
-
-
-
-
搜索结果
16 条记录 (耗时 0.03 秒)
