公开(公告)号：CN108754456A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810503730.1

申请日：2018-05-23

申请人： 华中科技大学

发明人： 陈蓉 ,  黄奕利 ,  单斌 ,  李云 ,  曹坤 ,  但威 ,  王晓雷

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC分类号： C23C16/45548 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/52

摘要： 本发明属于微纳制造相关设备领域，并公开了一种常压下曲面基底的原子层沉积薄膜制备设备，它包括喷头模块及对应配备的液压传动模块，其中该喷头模块用于对基底进行原子层沉积，具有空间隔离的作用，并且四周的气浮区可以帮助喷头在经过曲面时改变方向达到曲面沉积的作用；该液压传动模块通过转阀来实时获取喷头转动角度的信息，并通过改变进出油口的相对连接位置而使得喷头总体上升或者下降或者保持不动。通过本发明，能够可获得一种开放式、具有自调整功能的原子层沉积薄膜制备设备，其不仅可在常温常压下即可执行各类曲面沉积操作，而且喷头能够根据曲面曲率的不同而快速改变角度及升降运动，进而与现有设备相比可显著提高作业效率和适用性。

公开(公告)号：CN104620353B

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201380041764.9

申请日：2013-04-03

申请人： ZensM有限公司

发明人： 尹松根 ,  李种华 ,  高赫俊 ,  李障赫

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC分类号： C23C16/45504 ,  C23C14/34 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67757

摘要： 本发明涉及处理腔室及基板处理装置，本发明实施形态的处理腔室，包括：晶舟，其上下间隔层叠多个基板；腔室外壳，其上升所述晶舟来位于其内部空间，在侧壁水平方向喷射工序气体来流到间隔层叠的基板之间后排放到外部；晶舟升降手段，其将所述晶舟升降到所述腔室外壳的内部；基板移送闸门，其贯通所述腔室外壳的一侧壁。另外，本发明实施形态的基板处理装置，包括：处理腔室，其具有间隔层叠多个基板的晶舟，其旋转的同时将工序气体喷射到在晶舟内间隔层叠的基板之间之后排放到外部；负载锁定腔室，其在真空状态变化为大气状态，或在大气状态变化为真空状态；移送腔室，其将在所述负载锁定腔室内移送的基板移送到处理腔室，将从所述处理腔室移送的基板移送到负载锁定腔室。

公开(公告)号：CN104620353A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380041764.9

申请日：2013-04-03

申请人： 新意技术股份有限公司

发明人： 尹松根 ,  李种华 ,  高赫俊 ,  李障赫

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC分类号： C23C16/45504 ,  C23C14/34 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67757

摘要： 本发明涉及处理腔室及基板处理装置，本发明实施形态的处理腔室，包括：晶舟，其上下间隔层叠多个基板；腔室外壳，其上升所述晶舟来位于其内部空间，在侧壁水平方向喷射工序气体来流到间隔层叠的基板之间后排放到外部；晶舟升降手段，其将所述晶舟升降到所述腔室外壳的内部；基板移送闸门，其贯通所述腔室外壳的一侧壁。另外，本发明实施形态的基板处理装置，包括：处理腔室，其具有间隔层叠多个基板的晶舟，其旋转的同时将工序气体喷射到在晶舟内间隔层叠的基板之间之后排放到外部；负载锁定腔室，其在真空状态变化为大气状态，或在大气状态变化为真空状态；移送腔室，其将在所述负载锁定腔室内移送的基板移送到处理腔室，将从所述处理腔室移送的基板移送到负载锁定腔室。

公开(公告)号：CN101529563B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200780038770.3

申请日：2007-09-26

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

发明人： 桶作正广 ,  大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明 ,  野泽俊久 ,  井口敦智 ,  石桥清隆

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC分类号： H01J37/3244 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45568 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/3255

摘要： 本发明提供一种一体烧结气体排出孔而成的簇射极板及其制造方法。为了防止等离子体的逆流，配置在簇射极板的纵孔内的气体排出孔构件(陶瓷构件或多孔质气体流通体)被无间隙地一体烧结结合，在使用簇射极板时不会自纵孔脱落、且自各纵孔排出的气体排出量无偏差，能够更完全地防止等离子体发生逆流，并可高效地激励等离子体的簇射极板。簇射极板(106)配置在等离子体处理装置的处理室(102)中，为了在处理室(102)中产生等离子体而排出等离子体激励用气体，其中，在形成为等离子体激励用气体的排出路径的许多个纵孔(105)内，一体烧结结合地配置具有多个直径为20μm～70μm的气体排出孔的陶瓷构件和/或具有最大气孔直径为75μm以下的沿气体流通方向连通的气孔的多孔质气体流通体。

公开(公告)号：CN1942604A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200580011014.2

申请日：2005-02-23

申请人： 艾克斯特朗股份公司

发明人： 马丁·多尔斯伯格 ,  马丁·康纳尔 ,  格哈德·K·斯特劳赫 ,  约翰尼斯·凯普勒

IPC分类号： C23C16/455 ,  C30B25/14

CPC分类号： C23C16/45568 ,  C30B25/14 ,  C30B29/40

摘要： 本发明涉及一种用于在处理室(1)中尤其是将结晶层沉积在至少一个尤其是结晶基体上的装置，其包括顶板(2)和用于接收基体(4)的垂直相对的加热底板(3)。使用形成垂直叠加的进气区(6，7)的进气体(5)，分开地引入至少第一和第二气态原料，所述原料在水平方向上与载气一起流过该处理室(1)。气流在直接相邻于进气体(5)的入口区(EZ)中均化，且原料至少部分分解，在相邻于入口区(EZ)的生长区(GZ)中将形成的分解产物沉积在基体(4)之上，同时连续地减少气流。进气体(5)的进气区(8)基本上用于两种原料中的一种，以降低入口区(EZ)的水平延长。

公开(公告)号：CN1759204A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200480006689.3

申请日：2004-03-11

申请人： 东洋制罐株式会社

发明人： 小林亮 ,  山田幸司 ,  仓岛秀夫 ,  并木恒久 ,  蓝原武志 ,  小野泽康哲

IPC分类号： C23C16/511 ,  B65D1/00 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/3244 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

摘要： 本发明提供能够在处理基体上形成均匀的薄膜的微波等离子体处理装置和气体供给构件。所述微波等离子体处理装置，具有：将作为处理对象的基体固定在等离子体处理室内的中心轴上的固定构件(unit)，使基体的内部及外部减压的抽气构件，处于基体的内部、形成等离子体处理室与半同轴圆筒共振系统的金属制的处理用气体供给构件，以及将微波引入等离子体处理室进行处理的微波引入构件；其中，在固定构件的支持基体的部分的规定位置上设置微波密封构件，同时将微波引入构件的连接位置形成于等离子体处理室的内部的电场强度分布中电场弱的规定位置。

公开(公告)号：CN1533596A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN03800685.5

申请日：2003-07-03

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

发明人： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  后藤哲也

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC分类号： C23C16/45568 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244

摘要： 一种等离子体处理装置，其具有：处理容器，由外壁围成，具有支承被处理衬底的支承台；排气系统，与所述处理容器相结合；微波透过窗，作为所述外壁的一部分设置在所述处理容器上面，并与所述支承台上的被处理衬底相对；等离子体气体供给部分，向所述处理容器中供给等离子体气体；以及微波天线，对应于所述微波设置在所述处理容器上面；其中，所述等离子体气体供给部分包括多孔介质，并通过所述多孔介质向所述处理容器供给所述等离子体气体。

公开(公告)号：CN107699865A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201711105351.9

申请日：2017-11-10

申请人： 西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司

发明人： 刘梦珠 ,  冯锋 ,  王鹏 ,  左新章 ,  姜伟光 ,  李建章 ,  成来飞

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45568

摘要： 本发明公开了一种气相沉积炉用均匀进气的装置，包括均位于沉积炉内的进气管路和集气罩；进气管路一端与沉积炉的进气口固定连通，另一端与集气罩固定连通，集气罩的表面开设有多个出气孔。当气体经过进气管路进入集气罩，然后从集气罩若干个出气孔排入沉积炉内。使用该装置可以保证多种进气组分在集气罩内充分混合，从集气罩四周均匀的排出,确保了沉积炉内温度的均匀性，进一步的保证了沉积效果。

公开(公告)号：CN107313026A

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201611154916.8

申请日：2016-12-14

申请人： 汉民科技股份有限公司

发明人： 林伯融 ,  陈哲霖 ,  蔡长达 ,  钟步青

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45576 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45568

摘要： 本发明相关于一种应用于化学气相沉积装置的气体分流喷头，该气体分流喷头包含至少一个单层结构的气体分流层，用以对各种气体进行分流。此气体分流层包含圆盘状主体、多条第一气体通道、多条第二气体通道、以及多条第三气体通道，其中，第一气体通道、第二气体通道、以及第三气体通道以放射状排列于圆盘状主体中的同一水平面，用以供不同的气体通过，而将不同的气体经由不同的气体通道在同一平面横向注入化学气相沉积装置。借此，本发明的气体分流喷头可以单层结构进行气体分流。

公开(公告)号：CN103718274B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201280036316.5

申请日：2012-07-20

申请人： 应用材料公司

发明人： 穆罕默德·图鲁尔·萨米尔 ,  尼欧·谬

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/8238

CPC分类号： C23C16/45504 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4558

摘要： 在此提供在基板上沉积材料的方法和设备。在某些实施例中，设备可包括：具有基板支撑件的处理腔室；用来提供热能至基板支撑件的加热系统；气体入口端口，所述气体入口端口设置在基板支撑件的第一侧，以提供第一处理气体或第二处理气体中的至少一者越过基板的处理表面；第一气体分配导管，所述第一气体分配导管设置在基板支撑件上方，并具有一个或多个第一出口，所述一个或多个第一出口沿着第一气体分配导管的长度设置，以提供第三处理气体至基板的处理表面，其中一个或多个第一出口实质上为线性排列；和排气岐管，所述排气岐管设置在基板支撑件的第二侧，排气岐管与气体入口端口相对，以自处理腔室排气处理气体。