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公开(公告)号：CN108863424A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810842383.5
申请日：2018-07-27
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: C04B35/83 , C04B35/565 , C04B35/622 , C04B41/83
Abstract: 本发明公开了一种屏蔽泵用C/C‑SiC轴瓦的制备方法，1)、制备C/C多孔轴瓦坯体：通过化学气相沉积工艺制备密度为1.25～1.45g/cm3的C/C多孔坯体，按照轴瓦尺寸进行第一次粗加工，获得C/C多孔轴瓦坯体；2)、C/C‑SiC轴瓦制备：对制备的C/C多孔轴瓦坯体进行反应熔渗处理，之后按照尺寸进行第二次精加工获得C/C‑SiC轴瓦；3)、C/C‑SiC轴瓦的树脂封孔：通过环氧树脂浸渍C/C‑SiC轴瓦并固化、保温处理，消除孔隙，按照尺寸进行最终精修，获得C/C‑SiC轴瓦部件。通过本发明所述方法制备的C/C‑SiC轴瓦具有强度高、耐磨性好、耐冲击性能好的优点。
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公开(公告)号：CN118700623A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410885960.4
申请日：2024-07-03
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了基于燃料颗粒多层定位排布的弥散燃料成型模具及方法，包括呈配套设置的燃料颗粒定位用布料压头和压制模腔；所述布料压头至少具有一个布料面，所述布料面上设置有呈规则排列的凹坑，凹坑底部具有吸气孔，通过负压接口对所述凹坑底部吸气孔提供负压能够吸附燃料颗粒至布料面上的凹坑内，吸附燃料颗粒的布料压头压入压制模腔的基体粉末中实现燃料颗粒在基体粉末内的横向规则排布。本发明通过在模腔内进行基体粉末与定位排布燃料颗粒的多层交替堆叠，能够实现燃料颗粒在基体粉末内的横向均匀定位排布及层间燃料颗粒纵向相互错位排布，最终实现燃料颗粒近理想均匀排布、燃料颗粒间距及排列可控、燃料颗粒体积分数高的弥散燃料成型。
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公开(公告)号：CN114141394B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202111469097.7
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了二氧化铀‑石墨烯燃料芯块及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1、按比例称取石墨烯和二氧化铀，所述石墨烯的重量百分比大于等于1％；S2、将石墨烯和二氧化铀采用湿法球磨混合均匀，形成混合浆料；S3、将混合浆料在真空环境下进行烘干处理，获得混合粉体；S4、将混合粉体装入热压模具中，在真空环境下进行热压烧结，获得二氧化铀‑石墨烯燃料芯块。通过本发明所述制备方法制备的二氧化铀‑石墨烯燃料芯块不仅具有高热导率、高致密度且芯块内部存在大量微孔。
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公开(公告)号：CN115295198A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210932513.0
申请日：2022-08-04
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种振荡烧结制备全陶瓷微封装弥散燃料的方法，包括以下步骤：S1、将多层包覆燃料微球和SiC粉体装入喷涂有氮化硼的石墨模具内；S2、将石墨模具放入振荡烧结炉内进行振荡烧结：温度控制过程为：室温～1200℃的升温速率为5～15℃/min，1200℃～目标温度的升温速率为3～5℃/min，在目标温度下保温，保温结束后，随炉冷却；压力控制为：在升温到目标温度前，保持1～5MPa压力，在达到目标温度之后，施加目标振荡压力，保温结束后，进行卸压。本发明不仅能够实现SiC基体烧结致密化，且相比热压烧结，具有较低烧结温度、较高的致密化速率。
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公开(公告)号：CN115012054A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210801130.X
申请日：2022-07-08
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 为解决现有技术采用铅橡胶作为X射线屏蔽材料导致的厚重不便穿着容易损害健康的技术问题，本发明实施例提供一种X射线屏蔽材料、制备方法及用途,主要由如下重量份的原料制成：无铅屏蔽金属10‑80份、聚乙烯醇10‑15份、分散剂0.01‑1份以及水4‑79.99份；其中，聚乙烯醇的聚合度为2000‑3500，醇解度为88％‑99％。本发明实施例通过采用无铅屏蔽金属、聚乙烯醇、分散剂以及水制成X射线屏蔽材料，适于根据使用需求编织成面料，用于制作防护服的面料使用，本发明实施例的X射线屏蔽材料具有质轻舒适的特点，同时保持优良的X射线屏蔽性能，有望替代传统的铅衣。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112876257B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110110002.6
申请日：2021-01-27
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: C04B35/577 , C04B35/80 , C04B35/622 , C04B35/628
Abstract: 本发明公开了一种SiCf/SiC复合材料两层复合包壳管及其制备方法，解决了现有的化学气相渗透制备的SiCf/SiC复合材料致密化程度低，出现大孔洞，孔隙率较大且热导率偏低的技术问题。本发明的SiCf/SiC复合材料两层复合包壳管，包括SiCf/SiC复合层和SiC陶瓷层，所述SiCf/SiC复合层包括SiC纤维层、界面层和SiC基体，所述界面层采用化学气相渗透制备。本发明的SiCf/SiC复合材料两层复合包壳管具有密度高、孔隙率低，气密性和导热性好等优点。
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公开(公告)号：CN114141394A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111469097.7
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了二氧化铀‑石墨烯燃料芯块及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1、按比例称取石墨烯和二氧化铀，所述石墨烯的重量百分比大于等于1％；S2、将石墨烯和二氧化铀采用湿法球磨混合均匀，形成混合浆料；S3、将混合浆料在真空环境下进行烘干处理，获得混合粉体；S4、将混合粉体装入热压模具中，在真空环境下进行热压烧结，获得二氧化铀‑石墨烯燃料芯块。通过本发明所述制备方法制备的二氧化铀‑石墨烯燃料芯块不仅具有高热导率、高致密度且芯块内部存在大量微孔。
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公开(公告)号：CN110698205B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201911133524.7
申请日：2019-11-19
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: C04B35/565 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 一种石墨烯增韧碳化硅陶瓷的制备方法，包括以下步骤：(A)将碳化硅粉体、石墨烯粉体、烧结助剂和溶剂混合后粉碎以制备碳化硅浆料；(B)将碳化硅浆料干燥、粉碎后过筛，制备混合均匀的复合粉体；(C)将复合粉体装入模具中，施加单向压力以得到复合粉体压坯；(D)将装有复合粉体压坯的模具放入烧结炉中，在真空环境下炉温升至温度T1后，进行升温加压‑降温无压的循环烧结工艺以制备石墨烯增韧碳化硅陶瓷。本发明利用高温加压‑低温无压的真空循环烧结技术，有效地解决了现有技术中烧结温度高、致密化速度慢、致密度低的问题，在较低的温度下快速地获得致密度更高的石墨烯增韧碳化硅陶瓷。
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公开(公告)号：CN112374902A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011352192.4
申请日：2020-11-26
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/571 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种高致密化SiCf/SiC包壳复合管材的制备方法，包括以下步骤：S1：制备低密度SiCf/SiC预制体：以编织或缠绕成SiC纤维管，然后通过CVI工艺在纤维表面进行PyC界面层沉积及短时间SiC基体沉积，获得低密度SiCf/SiC预制体；S2：制备SiCf/SiC坯体：将纳米SiC烧结粉体和有机添加剂分散在有机分散剂中制成NITE‑SiC浆料，通过浸渗使NITE‑SiC浆料扩散进低密度SiCf/SiC预制体的孔隙之中，干燥后获得SiCf/SiC坯体；S3：热处理：将SiCf/SiC坯体在惰性气体气氛保护下进行脱胶热处理；S4：热等静压烧结：将热处理后的坯体在惰性气体气氛下，气相加压烧结，获得高致密化SiCf/SiC包壳复合管材。通过该制备方法不仅能够获得致密度高的SiCf/SiC包壳复合材料，且解决了SiCf/SiC管件成型难的问题。
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公开(公告)号：CN110698205A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201911133524.7
申请日：2019-11-19
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: C04B35/565 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 一种石墨烯增韧碳化硅陶瓷的制备方法，包括以下步骤：(A)将碳化硅粉体、石墨烯粉体、烧结助剂和溶剂混合后粉碎以制备碳化硅浆料；(B)将碳化硅浆料干燥、粉碎后过筛，制备混合均匀的复合粉体；(C)将复合粉体装入模具中，施加单向压力以得到复合粉体压坯；(D)将装有复合粉体压坯的模具放入烧结炉中，在真空环境下炉温升至温度T1后，进行升温加压-降温无压的循环烧结工艺以制备石墨烯增韧碳化硅陶瓷。本发明利用高温加压-低温无压的真空循环烧结技术，有效地解决了现有技术中烧结温度高、致密化速度慢、致密度低的问题，在较低的温度下快速地获得致密度更高的石墨烯增韧碳化硅陶瓷。
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