公开(公告)号：CN118688602B

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411174354.8

申请日：2024-08-26

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 陈媛 ,  何亮 ,  施宜军 ,  陈兴欢 ,  赵鹏 ,  蔡宗棋

IPC: G01R31/26

Abstract: 本申请涉及一种半导体器件栅氧退化机理的诊断方法，包括：提供半导体器件，测量获取所述半导体器件在初始状态下的第一动态电容数据及经老化试验后的第二动态电容数据；根据所述第一动态电容数据和所述第二动态电容数据进行分析，得到所述半导体器件的动态电容变化趋势；根据所述动态电容变化趋势分析获取所述半导体器件中栅氧化层的电荷变化情况；根据电荷变化情况诊断所述半导体器件中所述栅氧化层的退化机理。本申请实现了半导体器件中栅氧化层中不同区域退化情况的精确诊断，有助于准确分析栅氧化层中的具体退化位置和缺陷类型。

公开(公告)号：CN118801572A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410979683.3

申请日：2024-07-22

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 王宏跃 ,  余陆斌 ,  陈媛 ,  施宜军 ,  何亮 ,  陈兴欢 ,  陈义强 ,  路国光

IPC: H02J13/00 ,  G06F30/20 ,  G06F113/04 ,  G06F119/08 ,  G06F119/04

Abstract: 本申请涉及一种上述功率模块的监测方法、装置、低压配电网和计算机设备，涉及智能电网技术领域，本申请通过获取低压配电网中各功率模块的配置信息和运行状态参数，运行状态参数包括温度参数、湿度参数和电流参数，首先根据各功率模块的配置信息确定各功率模块对应的加速寿命模型，之后即可根据各功率模块的温度参数、湿度参数和电流参数以及对应的加速寿命模型确定各功率模块的寿命预测值，从而实现对低压配电网中各功率模块的寿命的预测，有利于对各功率模块进行可靠性检测及运行管理。

公开(公告)号：CN114800107B

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202210736420.0

申请日：2022-06-27

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 刘加豪 ,  杨施政 ,  杜伟平 ,  倪毅强 ,  何亮 ,  张志鑫 ,  肖慧 ,  赵振博

IPC: B23Q3/06 ,  B24B7/22 ,  B24B41/06 ,  G01N1/32

Abstract: 本发明涉及一种芯片去层调节装置及制样方法，其特征在于，芯片去层调节装置包括：底座；高度调节件，高度调节件与底座活动连接，高度调节件用于调整芯片样本相对于底座的高度；位置调节件，位置调节件与高度调节件连接，其中，底座具有夹持表面，夹持表面与位置调节件的一端相对，位置调节件与夹持表面之间形成夹持空间，夹持空间用于夹持芯片样品，位置调节件用于调整芯片样本在夹持表面上的夹持位置。通过调节位置调节件到底座的夹持表面的间距，实现对夹持空间大小的调节并调整芯片样本在夹持表面上的夹持位置，保证对芯片样品研磨时能同时研磨到待观察面的多层断面；通过调节高度调节件，实现对芯片样品每次研磨量的控制调节，保证研磨质量。

公开(公告)号：CN115423753A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202210930187.X

申请日：2022-08-03

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 倪毅强 ,  庞超 ,  杨施政 ,  陈选龙 ,  何亮 ,  张志鑫 ,  刘宇锋

IPC: G06T7/00 ,  G06T7/70 ,  G06T5/00 ,  G01J5/00 ,  G01J5/48

Abstract: 本申请涉及一种方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：对已预处理的集成电路施加激励信号后进行锁相红外热成像检测，得到红外图像，通过预处理提高集成电路的发射率。对红外图像进行处理，得到目标振幅图和目标相位图。根据目标振幅图确定集成电路的失效点的水平位置信息。根据目标相位图确定集成电路的失效点的深度信息。目标振幅图表征了集成电路失效点的水平位置信息，目标振幅图表征了集成电路的失效点的深度信息。结合水平信息和深度信息，可以确定集成电路失效点的具体位置。通过预处理提高集成电路的发射率，提高了材料表面红外发射率，提高了对集成电路失效点的定位精度。

公开(公告)号：CN113901675A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202111495488.6

申请日：2021-12-09

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 刘树强 ,  何亮 ,  余思达 ,  蔡金宝

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/04

Abstract: 本申请涉及一种电子元器件寿命预测方法、装置、计算机设备和存储介质。包括：确定标准电子元器件的特性参数和第一工况条件；获取预设温度下的标准电子元器件的第一试验寿命；确定标准电子元器件的加速倍数；获取待预测电子元器件的第二工况条件，根据标准电子元器件的加速倍数、第二工况条件、待预测电子元器件的特性参数，确定使待预测电子元器件的加速倍数与标准电子元器件的加速倍数相等时的试验温度；根据第一工况条件和第二工况条件，确定工况差异倍数；根据第一试验寿命和工况差异倍数，确定待预测电子元器件在试验温度下的第二试验寿命。从而能够预测其他工况的电子元器件的寿命，缩短了试验时间，节省了试验成本。