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公开(公告)号：CN112444529A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202011426046.1
申请日：2020-12-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC: G01N23/207
Abstract: 一种辨别非（100）面氧化镓晶体有无孪晶的HRXRD测试方法，将非（100）面氧化镓晶体放置在设备样品台上；将入射狭缝宽度设为10mm~13mm；将2θ设定为31.738°对应晶面为（002）；将样品从0°旋转至90°，旋转步长设定为0.1°~0.3°，记录（002）面衍射峰个数，样品台复位，然后以原点为中心在X‑Y平面上旋转180°，再以[010]晶向为轴将样品从0°旋转至90°，旋转步长设定为0.1°~0.3°，记录（002）面衍射峰个数；如果上述过程中，只探测到1个（002）面衍射峰，则判定测试区域内无孪晶，若探测到多个（002）面衍射峰，则判定测试区域内有孪晶；提高了效率、降低了成本。
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公开(公告)号：CN109778305A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910168422.2
申请日：2019-03-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明专利公开了一种InSb单晶生长前杂质预处理用单晶炉及除杂方法，在InSb单晶生长之前，单晶炉的提拉杆先装上一套原料除杂装置，待原料熔化后将InSb熔体表面的浮渣留存在除杂装置内，关闭挡板阀，开启上炉体将除杂装置卸下并更换上籽晶杆，关闭上炉体并重新打开挡板阀准备InSb单晶生长。本发明技术效果是不仅可以对InSb原料进行杂质的预处理，还可以保证引晶放肩操作过程中视野的清晰度。
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公开(公告)号：CN105970290B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201610615336.8
申请日：2016-08-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明公开了一种有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置。该装置包括构成单晶炉内多个热场部件，多个热场部件水平且同中心安装；热场中心内嵌有发热体和铱坩埚，由圆形感应线圈进行加热，发热体与铱坩埚分离，两者之间留有间隙；热场部件包括用于支撑铱反射屏的氧化锆内保温筒；覆盖在铱反射屏之上的上部保温部件，其上留有籽晶杆入口；环绕氧化锆内保温筒的中部保温部件；环绕铱坩埚和发热体的下部保温部件。该装置设计能够减少铱坩埚的损耗，有效抑制晶体内部杂质元素的含量，从而能够很好地抑制晶体内部缺陷，延长坩埚使用寿命，为实现大规模生产高质量、低成本的氧化镓单晶奠定了基础。
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公开(公告)号：CN109056052A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811149528.X
申请日：2018-09-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
CPC classification number: C30B11/06 , C30B11/006 , C30B29/10
Abstract: 本发明公开了一种砷锗镉单晶生长的锗元素补偿方法，该方法采用由单晶生长坩埚、锗元素补偿装置和六温区生长炉组成的生长装置，对砷锗镉单晶生长的锗元素补偿进行控制。将高纯度的CdGeAs2多晶原料放入带有Ge元素补偿装置的坩埚中，并进行真空密封，再放入六温区生长炉中，通过精确控温，实现了CdGeAs2单晶生长和Ge元素的补偿，使所生长单晶上下两端Ge元素均匀，避免了因单晶中Ge元素不同而形成的性能不一致现象，该方法易实现，从而有效增加了单晶体的可利用率，降低了生长成本。
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公开(公告)号：CN106435710B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201610615297.1
申请日：2016-08-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明公开了一种锑化镓晶体生长除杂装置。该除杂装置包括除杂连接件和除杂坩埚两部分，并通过除杂连接件与由籽晶拉线、籽晶杆和籽晶构成的Cz单晶炉籽晶装置连接；除杂连接件和除杂坩埚均设为圆柱形，除杂连接件的上端设有与籽晶杆连接的中心孔，该中心孔内径大于籽晶杆拉线外径且小于籽晶杆外径，除杂连接件通过该中心孔挂在籽晶杆上；除杂连接件的下端与除杂坩埚的上端焊接；除杂坩埚外径小于生长坩埚内径3‑5mm，除杂坩埚底部设为网状，以去除杂质，保留纯净的熔体。采用本装置可去除LEC法生长GaSb单晶过程中的杂质，消除杂质对成晶的影响，提高成晶率及晶体质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105970289A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610615250.5
申请日：2016-08-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明公开了一种生长大尺寸氧化镓晶体的掺杂方法。其步骤：一.采用Ga2O3多晶料事先合成Ga2O3多晶锭；二.先将多晶锭切磨成圆柱形，再切割成两个半圆柱，在其中的一个半圆柱中上开一个凹槽；三.将开槽的半圆柱放到铱金坩埚中心位置，取MnO2粉末放入半圆柱凹槽内，再将另一个半圆柱覆盖在此半圆柱上面，在铱金坩埚与圆柱形多晶料周围的空隙中放置小碎块多晶料挤压住圆柱形多晶料，在保温筒的上方盖上保温罩；四.在升温化料后，将铱金坩埚转动1小时，转速为每分钟5转，保证MnO2掺杂粉末与圆柱形Ga2O3多晶料和小碎块多晶料充分融合。采用本掺杂方法成功实现了能够生长掺杂大尺寸的Ga2O3单晶。
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公开(公告)号：CN119265687A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411774230.3
申请日：2024-12-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓单晶的生长方法，涉及半导体器件技术领域。本发明提供的氧化镓单晶的生长方法包括升温化料、降温生长和降温等过程。本发明通过将单块氧化镓籽晶固定在坩埚底部利用氧化镓多晶配合梯度升温和梯度降温进行铸造法生长氧化镓单晶，保证得到的氧化镓单晶的厚度达30mm以上。另外，本发明提供的氧化镓单晶生长方法仅利用坩埚和氧化镓籽晶即可完成氧化镓单晶的生长，铱使用量为导模法的1/2，显著降低了氧化镓单晶的制备成本。
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公开(公告)号：CN119221101A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411774761.2
申请日：2024-12-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本申请适用于半导体材料技术领域，提供了氧化镓单晶制备方法，该方法包括：将氧化镓籽晶切割为长方体，并将长方体氧化镓籽晶的底部加工为楔形，得到第一氧化镓籽晶；将第一氧化镓籽晶依次进行退火和表面处理，得到第二氧化镓籽晶；在进行引晶时，将第二氧化镓籽晶的下部下降至与熔体接触，之后依次进行提拉、放肩、等径、收尾和降温工序，得到氧化镓单晶。本申请提高氧化镓结晶的质量、降低缺陷浓度，减少多晶的风险。
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公开(公告)号：CN119221094A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411774369.8
申请日：2024-12-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本申请提供一种氧化镓晶体的生长装置，涉及半导体制备技术领域。该生长装置包括：加热器和用于放置氧化镓晶体的坩埚；加热器为桶型结构，且加热器的侧壁上薄下厚；坩埚放置于所述加热器内，且坩埚的侧壁上薄下厚。本申请能够明显减小温场的轴向温梯，有效解决了氧化镓晶体开裂问题，从而提高了氧化镓晶体生长的质量和效率。
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公开(公告)号：CN119221093A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411774303.9
申请日：2024-12-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本申请提供一种生长氧化镓晶体的生长装置，涉及半导体制备技术领域。该生长装置包括：加热器和用于放置氧化镓晶体的坩埚；加热器和坩埚均为桶型结构，且坩埚放置于加热器内；加热器的侧壁的斜率小于坩埚的侧壁的斜率，且加热器的上端面的半径大于坩埚的下端面的半径；其中，加热器的侧壁的斜率为加热器的上端面的直径减去下端面的直径得到的差值与加热器的高度的比值，坩埚的侧壁的斜率为坩埚的上端面的直径减去下端面的直径得到的差值与坩埚的高度的比值。本申请能够明显减小温场的轴向温梯，有效解决氧化镓晶体开裂问题，从而提高氧化镓晶体生长的质量和效率。
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