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公开(公告)号：CN1307729C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN03120597.6
申请日：2003-03-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明一种氮化镓基发光二极管管芯的制作方法，该方法适用于碳化硅衬底、硅衬底和砷化镓衬底上外延的氮化镓基发光二极管结构的管芯的制作，包括如下步骤：1)在碳化硅衬底上用金属化学气相沉积(MOCVD)技术分别生长N型氮化镓层、有源区和P型氮化镓层；2)在P型GaN层上制备P型欧姆接触接触电极；3)将衬底从背面用研磨的方法或离子减薄技术将其减薄到70μm到150μm之间；4)在减薄的面上用光刻和蒸发或溅射的方法制备N电极；5)最后用切割法或划片法沿设计好的管芯的分割道分割成单管芯。
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公开(公告)号：CN1770575A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200410088729.5
申请日：2004-11-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/00
Abstract: 一种利用倒装焊技术制作氮化镓基激光器管芯的方法，包括：在衬底上依次外延生长电极接触层，光限制层，波导层，发光有源区，波导层，光限制层和电极接触层；刻蚀电极接触层，制备P型欧姆接触电极；将衬底减薄；将激光器管芯分割；利用倒装焊技术将分割好的氮化镓基激光器管芯的P型欧姆接触电极层和支撑体上与管芯P电极大小相对应的金属焊料层以及管芯的N型欧姆接触电极层和支撑体上与管芯N电极大小相对应的金属焊料层焊接在一起；在管芯P电极的相应位置，从支撑体的背面开孔直到二氧化硅或氮化硅等绝缘隔离层，形成P型电极引出孔；在开孔后的支撑体的背面蒸镀金属层，引出管芯的P型电极，形成一个倒装的氮化镓基激光器的管芯。
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公开(公告)号：CN1527409A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN03119842.2
申请日：2003-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种小尺寸氮化镓基蓝、绿色发光二极管管芯的制作方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上分别制作N型氮化镓层、有源区和P型氮化镓层；在设计的N型欧姆接触电极区域利用刻蚀或腐蚀的方法形成一个圆形直径或方形边长小于50μm的孔，直到N型接触层；然后在样品表面蒸镀一层二氧化硅或氮化硅等绝缘薄膜；接着用光刻和腐蚀的方法将N型接触层上的绝缘膜腐蚀掉，露出N型接触层，而保留孔的侧墙面及台面上圆形直径或方形边长为100μm的绝缘层；在P型氮化镓层上制备P型欧姆接触接触电极；用光刻和蒸发或溅射的方法形成氮化镓基发光二极管的N型层欧姆接触接触电极；最后用切割法或划片法沿设计好的管芯的分割道分割成单个管芯。
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公开(公告)号：CN101872798B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201010183403.6
申请日：2010-05-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种紫外红外双色探测器及制作方法。该紫外红外双色探测器包括：一衬底，在该衬底上进行紫外红外双色探测器用材料结构的生长；一缓冲层，生长在衬底之上；一第一n型欧姆接触层，生长在缓冲层之上，用于欧姆接触；由相互交替生长的第一本征层与重掺杂n型层构成的多周期层；一第二n型欧姆接触层，生长在多周期层之上，部分区域作为n型欧姆接触电极用；一禁带宽度为Eg3的本征层，生长在第二n型欧姆接触层之上，且Eg3≤Eg2；一透明电极，形成于禁带宽度为Eg3的本征层之上；一上电极，形成于透明电极上一小区域；一中电极，形成于第二n型欧姆接触层的电极窗口；以及一下电极，形成于第一n型欧姆接触层的电极窗口。
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公开(公告)号：CN101740654B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200810226677.1
申请日：2008-11-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/075 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于InxGa1-xN纳米柱的半导体p-i-n结太阳能电池外延片，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行InxGa1-xN材料外延生长；一InxGa1-xN材料模板，该InxGa1-xN材料模板外延生长在衬底上；一纳米柱阵列，该纳米柱阵列加工形成于InxGa1-xN材料模板上；一半导体太阳能电池p-i-n结构，该p-i-n结构外延生长在纳米柱阵列的侧壁、顶部及纳米柱之间的材料模板表面。本发明同时公开了一种基于InxGa1-xN纳米柱的半导体p-i-n结太阳能电池外延片的制备方法。利用本发明，可以极大地增加单位芯片上光电转换区的面积，降低半导体薄膜表面对太阳光的反射，提高光子收集率，减少光生载流子的复合，提高器件的工作效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101525740B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200810101357.3
申请日：2008-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明是一种生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法，所述方法是在生长氮化铟的同时通入少量四氯化碳，其包括如下步骤：选择一衬底；将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内，升温并通入氨气预处理；降温至生长温度，同时通入三甲基铟(TMI)、氨气(NH3)、少量四氯化碳，生长出高质量的氮化铟单晶外延膜。本发明可以提高InN的结晶质量，并提高表面的平整度。
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公开(公告)号：CN100576663C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200710064384.3
申请日：2007-03-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/024
Abstract: 一种制做氮化镓基激光器倒装用热沉的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上蒸镀一层绝缘介质膜；步骤3：用光刻和腐蚀的方法将部分绝缘介质膜去掉，以用于制作激光器倒装的P型焊接电极；步骤4：在保留有绝缘介质膜的区域和去掉绝缘介质膜的区域蒸镀金属层；步骤5：在金属层的区域接着蒸镀金属焊料层，这层金属焊料层不是完全覆盖下面的金属层，而是留出部分区域用于激光器管芯倒装后电极引线的连接；步骤6：将样片分割成单个氮化镓基激光器倒装用的热沉。
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公开(公告)号：CN100576662C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200410088729.5
申请日：2004-11-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/00
Abstract: 一种利用倒装焊技术制作氮化镓基激光器管芯的方法，包括：在衬底上依次外延生长电极接触层，光限制层，波导层，发光有源区，波导层，光限制层和电极接触层；刻蚀电极接触层，制备P型欧姆接触电极；将衬底减薄；将激光器管芯分割；利用倒装焊技术将分割好的氮化镓基激光器管芯的P型欧姆接触电极层和支撑体上与管芯P电极大小相对应的金属焊料层以及管芯的N型欧姆接触电极层和支撑体上与管芯N电极大小相对应的金属焊料层焊接在一起；在管芯P电极的相应位置，从支撑体的背面开孔直到二氧化硅或氮化硅等绝缘隔离层，形成P型电极引出孔；在开孔后的支撑体的背面蒸镀金属层，引出管芯的P型电极，形成一个倒装的氮化镓基激光器的管芯。
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公开(公告)号：CN101525740A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200810101357.3
申请日：2008-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明是一种生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法，所述方法是在生长氮化铟的同时通入少量卤化物，其包括如下步骤：选择一衬底；将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内，升温并通入氨气预处理；降温至生长温度，同时通入三甲基铟(TMI)、氨气(NH3)、少量卤化物，生长出高质量的氮化铟单晶外延膜。本发明可以提高InN的结晶质量，并提高表面的平整度。
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公开(公告)号：CN100459331C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200610067460.1
申请日：2006-03-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种不对称的脊形波导氮化镓基半导体激光器，包括：一衬底；在该衬底依次生长的欧姆接触层、下限制层、下波导层、有源层、电子阻挡层、上波导层、上限制层、覆盖层，经过刻蚀后该上限制层形成台阶状结构，并制作绝缘层及欧姆电极。其是利用刻蚀方法在平行于结的方向形成不对称脊形波导GaN基激光器结构，该结构在脊形条宽较大时也可以实现激光器在基模下工作，这种结构的脊形宽度较普通脊形结构实现基模工作所允许的脊形宽度大，在注入电流密度相同的情况下，可以增加注入电流，从而提高激光器在基模工作时的输出功率。
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