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公开(公告)号：CN101525740B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200810101357.3
申请日：2008-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明是一种生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法，所述方法是在生长氮化铟的同时通入少量四氯化碳，其包括如下步骤：选择一衬底；将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内，升温并通入氨气预处理；降温至生长温度，同时通入三甲基铟(TMI)、氨气(NH3)、少量四氯化碳，生长出高质量的氮化铟单晶外延膜。本发明可以提高InN的结晶质量，并提高表面的平整度。
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公开(公告)号：CN100576663C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200710064384.3
申请日：2007-03-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/024
Abstract: 一种制做氮化镓基激光器倒装用热沉的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上蒸镀一层绝缘介质膜；步骤3：用光刻和腐蚀的方法将部分绝缘介质膜去掉，以用于制作激光器倒装的P型焊接电极；步骤4：在保留有绝缘介质膜的区域和去掉绝缘介质膜的区域蒸镀金属层；步骤5：在金属层的区域接着蒸镀金属焊料层，这层金属焊料层不是完全覆盖下面的金属层，而是留出部分区域用于激光器管芯倒装后电极引线的连接；步骤6：将样片分割成单个氮化镓基激光器倒装用的热沉。
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公开(公告)号：CN100576662C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200410088729.5
申请日：2004-11-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/00
Abstract: 一种利用倒装焊技术制作氮化镓基激光器管芯的方法，包括：在衬底上依次外延生长电极接触层，光限制层，波导层，发光有源区，波导层，光限制层和电极接触层；刻蚀电极接触层，制备P型欧姆接触电极；将衬底减薄；将激光器管芯分割；利用倒装焊技术将分割好的氮化镓基激光器管芯的P型欧姆接触电极层和支撑体上与管芯P电极大小相对应的金属焊料层以及管芯的N型欧姆接触电极层和支撑体上与管芯N电极大小相对应的金属焊料层焊接在一起；在管芯P电极的相应位置，从支撑体的背面开孔直到二氧化硅或氮化硅等绝缘隔离层，形成P型电极引出孔；在开孔后的支撑体的背面蒸镀金属层，引出管芯的P型电极，形成一个倒装的氮化镓基激光器的管芯。
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公开(公告)号：CN101525740A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200810101357.3
申请日：2008-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明是一种生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法，所述方法是在生长氮化铟的同时通入少量卤化物，其包括如下步骤：选择一衬底；将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内，升温并通入氨气预处理；降温至生长温度，同时通入三甲基铟(TMI)、氨气(NH3)、少量卤化物，生长出高质量的氮化铟单晶外延膜。本发明可以提高InN的结晶质量，并提高表面的平整度。
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公开(公告)号：CN100459331C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200610067460.1
申请日：2006-03-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种不对称的脊形波导氮化镓基半导体激光器，包括：一衬底；在该衬底依次生长的欧姆接触层、下限制层、下波导层、有源层、电子阻挡层、上波导层、上限制层、覆盖层，经过刻蚀后该上限制层形成台阶状结构，并制作绝缘层及欧姆电极。其是利用刻蚀方法在平行于结的方向形成不对称脊形波导GaN基激光器结构，该结构在脊形条宽较大时也可以实现激光器在基模下工作，这种结构的脊形宽度较普通脊形结构实现基模工作所允许的脊形宽度大，在注入电流密度相同的情况下，可以增加注入电流，从而提高激光器在基模工作时的输出功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101267087A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200710064384.3
申请日：2007-03-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/024
Abstract: 一种制做氮化镓基激光器倒装用热沉的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上蒸镀一层绝缘介质膜；步骤3：用光刻和腐蚀的方法将部分绝缘介质膜去掉，以用于制作激光器倒装的P型焊接电极；步骤4：在保留有绝缘介质膜的区域和去掉绝缘介质膜的区域蒸镀金属层；步骤5：在金属层的区域接着蒸镀金属焊料层，这层金属焊料层不是完全覆盖下面的金属层，而是留出部分区域用于激光器管芯倒装后电极引线的连接；步骤6：将样片分割成单个氮化镓基激光器倒装用的热沉。
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公开(公告)号：CN100369271C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200410033587.2
申请日：2004-04-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/108 , H01L31/18 , G01J1/02
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种氮化镓基肖特基势垒高度增强型紫外探测器，其中包括：一衬底；一高N型掺杂浓度层，该欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在高N型掺杂浓度层的上面，该有源层的面积小于欧姆接触层；一肖特基势垒高度增强层，该肖特基势垒高度增强层制作在有源层上；一N型肖特基接触电极，该肖特基电极制作在肖特基势垒高度增强层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在高N型掺杂浓度层上。
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公开(公告)号：CN101101934A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200610111261.6
申请日：2006-08-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种提高GaN基pin结构性能的紫外探测器，其特征在于，器件结构包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在成核层上；一有源层，该有源层制作在欧姆接触层上面的中间；一P型欧姆接触层，该P型欧姆接触层制作在有源层上；P型欧姆接触电极，该P型欧姆接触电极为点状结构或环形结构，制作在P型欧姆接触层上面；一N型欧姆接触电极，该欧姆电极为点状结构或环形结构，制作在N型欧姆接触层上面。
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公开(公告)号：CN100349305C
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200310119745.1
申请日：2003-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种大功率氮化镓基发光二极管管芯的制作方法，包括如下步骤：1)在蓝宝石等绝缘衬底上用金属化学气相沉积技术分别外延生长N型氮化镓层、有源区和P型氮化镓层；2)利用光刻和干法刻蚀技术将设计好的大面积管芯刻蚀分隔成小面积管芯，并刻蚀到N型接触区氮化镓层；3)利用光刻和蒸发的方法在P型层和刻蚀形成的N型接触区制备P型透明电极和N型欧姆接触电极；4)利用空气桥技术和光刻、蒸发等方法制备金属电极，将每个小面积管芯的P型区连接起来，使每个小面积管芯P型区导通；5)将衬底从背面用研磨的方法或离子减薄技术将其减薄到70μm到150μm之间；6)最后用切割法或划片法沿设计好的大面积管芯的分割道分割成单个管芯。
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公开(公告)号：CN1747184A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200410074363.6
申请日：2004-09-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/18 , G01N21/33 , G01J1/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种PIN结构氮化镓基紫外探测器，其特征在于，其中包括：一衬底；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在N型欧姆接触层上，并且该有源层的面积小于N型欧姆接触层；一窗口层，该窗口层制作在有源层上；一N型欧姆电极，该N型欧姆电极制作在N型欧姆接触层上；一P型欧姆电极，该P型欧姆电极制作在窗口层上。
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