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公开(公告)号：CN115859942A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211640948.4
申请日：2022-12-20
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC分类号： G06F40/205 , G06F16/35 , G06F18/2415 , G06F18/25
摘要： 本发明提出适用多场景MacBERT和记忆注意力的情感分析方法，首先使用MacBERT生成包含上下文语境的词向量，缓解了训练阶段和微调阶段的遮蔽差异性，其次通过记忆注意力模块进一步提取情感特征以及提高重要部分的注意力，最后通过线性层和Softmax层找到预测概率最大的标签。本发明能够更充分提取句子的深层次情感特征，可以适用于商品评论情感分析以及社交评论情绪分析等等，适用场景广泛。
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公开(公告)号：CN109350245B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201811397806.3
申请日：2018-11-22
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要： 本发明公开了一种触觉传递机，可进行交互式力和位移信号的触觉传递。由两套包含相同系统元件的单元A和单元B组成。驱动装置驱动运动元件机械运动，并带着弹性元件和工作端头一起运动，弹性元件在运动元件和工作端头中间并靠其自身受力形变来建立反馈力，工作端头跟位移传感器联接，位移传感器输出工作端头的位移信号，位移信号通过联接的信道输入控制系统并相互控制对方单元的运动元件作跟踪位移，即形成两套运动元件输出的机械位移或角位移准确的跟踪对方单元的工作端头的位移或角位移的伺服控制系统。本发明工作原理清晰，信号是交互式的传递，互动保真性好，各功能部件技术成熟可实施性强。
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公开(公告)号：CN106304603A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610857314.2
申请日：2016-09-27
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC分类号： H05H1/46
摘要： 本发明公开了一种中性束注入器离子源场反向位形等离子体射频驱动器，包括有真空腔体，在所述的真空腔体外平行布置有两线圈做为射频电源天线，每个线圈是由大于等于1.5匝的绕组构成，且两线圈的间距大于任一线圈内的绕组间的最大间距,两个线圈通同相位射频电流,并使线圈产生的磁场方向相同，在所述的真空腔体内侧安装有金属法拉第筒。本发明克服现有的中性束注入器离子源的等离子体射频驱动器采用匀强磁场约束等离子体的约束方式的不足,利用交变非匀强磁场，和其驱动的环形等离子体电流的自身磁场建立一种场反向位形的等离子体约束模式，从而避免法拉第筒直接接触高温等离子体，有利于等离子体的温升和约束。
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公开(公告)号：CN219107443U
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202223512732.8
申请日：2022-12-28
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC分类号： H04B10/075 , H04B10/079 , G01R19/00
摘要： 本实用新型公开了一种电压频率互转换模块，主要包括：电压频率转换模块，由信号发生电路、电压显示模块、电压频率转换电路、光发送器组成；频率电压转换模块，由光接收器、频率电压转换电路、电压显示模块组成；另外具有锂电池模块供电。本实用新型电路能够用于调试光传输通道中电压频率转换电路、光发送器、光接收器和频率电压转换电路。
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公开(公告)号：CN217214631U
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202221020654.7
申请日：2022-04-29
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/317 , H02M1/08 , H02H7/20
摘要： 本实用新型公开了一种强流离子源快速保护系统，包括有IGBT并联电路、分流电路、IGBT驱动电路和信号处理电路。IGBT并联电路由多只IGBT并联连接而成，分流电路串联在IGBT集电极与弧电源输出正端中，IGBT驱动电路有IGBT专用集成驱动器及外围电路组成，接受信号处理电路发出的控制信号，并发出IGBT驱动信号至IGBT，信号处理电路接受离子源高压打火信号并发出IGBT控制信号，实现弧电源输出电流的快速转移。本实用新型电路能够在高压打火时刻快速熄灭弧室内等离子而保护离子源。
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公开(公告)号：CN208027124U
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201820360356.X
申请日：2018-03-16
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC分类号： G05B19/042
摘要： 本实用新型公开了一种用于IGBT驱动的高精度触发系统，包括有FPGA以及分别与FPGA连接的电源电路、芯片配置及调试电路、时钟及复位电路、串口通信电路、显示及状态输入输出电路和IGBT驱动信号输出接口，所述的电源电路分别给FPGA、芯片配置及调试电路、时钟及复位电路、串口通信电路和显示及状态输入输出电路供电。本实用新型以FPGA芯片为核心，结合硬件描述语言实现多路IGBT驱动触发信号，系统输出精度高，抗干扰性强，易于集成，成本低。本实用新型利用通信接口实现FPGA与PC机通信，可以通过PC机实时控制所述系统输出脉冲的参数，易于调试和工程应用，增强了系统的可扩展性。
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公开(公告)号：CN206743100U
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201720283814.X
申请日：2017-03-22
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC分类号： H02M1/092
摘要： 本实用新型公开了一种强流离子源抑制极电源快速高压开关，包括有IGBT串联电路、均压电路、驱动电路和信号处理电路，IGBT串联电路由多只IGBT串联连接而成，均压电路包括有相互并联的静态均压电阻和动态缓冲电路，动态缓冲电路包括有二极管、缓冲电阻、缓冲电容，缓冲电阻与缓冲电容串联连接，二极管并联在缓冲电阻的两端，每个IGBT的集电极和发射极上并联一个均压电路，均压电路的二极管的正极连接到对应IGBT的集电极；各IGBT的栅极与IGBT驱动电路连接，IGBT驱动电路与信号处理电路双向电连接，信号处理电路完成IGBT各种信号的逻辑处理并通过光纤与主控系统双向连接。本实用新型结构简单、运行可靠、功耗低。
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公开(公告)号：CN206076016U
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201621042166.0
申请日：2016-09-07
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要： 本实用新型公开了一种高频隔离变压器，包括有铠装高压电缆和多个磁环，所述的铠装高压电缆包括有内导体以及依次包覆在内导体外侧的内绝缘层、屏蔽层、外绝缘层、铠装层和橡胶外护套，所述的多个磁环紧密的套在铠装高压电缆的橡胶外护套上，所述的内导体的两端形成变压器的次级，并连接绝缘接口次级输出端，所述的屏蔽层和铠装层的两端连接形成变压器的初级，且屏蔽层和铠装层的两端分别连接绝缘接口初级输入端。本实用新型通过有效的结构设计，将射频离子源的射频发射机和射频离子源上高电位端的线圈等进行了隔离，且通过采用常规的高压电缆作为主体结构，简化了加工和制作难度，降低了成本。
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公开(公告)号：CN307961114S
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202230671326.2
申请日：2022-10-12
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要： 1.本外观设计产品的名称：大功率射频离子源阻抗匹配箱。
2.本外观设计产品的用途：针对大功率射频离子源等离子体放电，用于调节射频离子源驱动器负载与功率源输出阻抗相匹配，从而实现从功率源最大功率输出并传输至射频离子源驱动器内，产生稳定的等离子体。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。-
公开(公告)号：CN307912826S
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202230671327.7
申请日：2022-10-12
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要： 1.本外观设计产品的名称：隔离变压器（大功率射频变比）。
2.本外观设计产品的用途：针对大功率射频离子源等离子体放电，用于射频功率的隔离传输和耦合，起保护射频离子源和功率源的作用，同时能简化匹配网络，更容易激发等离子体。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
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