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公开(公告)号：CN106298418B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201510253305.8
申请日：2015-05-18
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明提供了一种电感耦合等离子体的处理系统，其包括射频电源系统，所述射频电源系统包括源射频电源系统和偏置射频电源系统，所述源射频电源系统包括源射频电源和源匹配网络，所述偏置射频电源系统包括偏置射频电源和偏置匹配网络，其中，所述源匹配网络为具有宽频带工作的固定匹配网络，所述偏置匹配网络为自动匹配网络。源匹配网络能够使得源射频功率源的阻抗与等离子体阻抗的快速匹配，偏置匹配网络使得在低偏置射频功率下能够始终得到非常低的反射功率。因此，该处理系统能够实现射频电源和等离子体之间的阻抗快速准确地调整。此外，本发明还提供了电感耦合等离子体处理方法。
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公开(公告)号：CN106935530A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201511012950.7
申请日：2015-12-31
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种等离子体刻蚀光刻胶装置，包括一反应腔及一设置在反应腔上方的反应气体源，所述反应腔内设置一基座用以支撑基片，所述基片上方设置至少一气体分布板用以实现反应气体均匀分布至基片表面，所述气体分布板包括一铝或铝合金主体及包覆在所述主体外部的保护层。通过在铝或铝合金主体外设置了一层厚度合适的保护层，使得本发明设置在反应腔内的气体分布板既可以有效的吸附等离子体中的带电粒子，又能避免气体分布板对氧自由基的消耗，因此可以在维持反应腔内保持较高氧自由基浓度的同时，降低带电粒子在基片表面的累积，减小基片表面的电流。从而实现基片光刻胶的刻蚀速率维持在较高水平。
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公开(公告)号：CN106356318A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510418759.6
申请日：2015-07-16
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明提供了一种气体分布扩散板，其包括：温度控制装置，所述温度控制装置用于控制所述气体分布扩散板的温度保持稳定。稳定的表面温度使得进入反应腔内的反应气体吸附在气体分布扩散板表面的几率以及该反应气体原子活性基与气体分布扩散板表面的复合速率保持稳定，所以，通过本发明提供的气体分布扩散板，能够保证参与晶圆处理的反应气体中的气体分子和原子自由基浓度基本稳定，从而保证晶圆处理工艺的稳定性，进而提高晶圆处理的质量和性能。稳定的表面的温度可以降低工艺处理中反应副产物在扩散板表面的沉积形成固体颗粒掉落处理晶圆表面的风险，提高产品良率。本发明还提供了一种等离子体处理器。
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公开(公告)号：CN103972055B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310039528.5
申请日：2013-01-31
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 本发明公开了一种光刻胶去除方法。其包括：采用主要含氧等离子工艺，去除介电层顶部平面的所有光刻胶以及刻蚀开口侧壁的部分光刻胶；采用主要既含氧，又含F或CL的等离子工艺，去除步骤1中溅射的介电颗粒，以及刻蚀开口侧壁经步骤1后刻蚀开口侧壁剩余光刻胶中的部分光刻胶；采用主要含氧等离子工艺去除刻蚀开口侧壁经过步骤1和2后剩余的所有光刻胶。通过形成刻蚀开口的过程中，在中间步骤等离子处理过程中在去除刻蚀开口内腔中部分光刻胶的同时，一并去除在前一等离子处理过程中溅射出的、沉积在光刻胶表面的介电颗粒。
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公开(公告)号：CN103050396A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210594434.X
申请日：2012-12-31
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一多层介质刻蚀方法，包括步骤：提供半导体基底，其表面依次覆盖有多层介质和图形化的光阻材料层；以图形化的光阻材料层为掩膜，对刻蚀气体为碳氟化合物气体、氟化的碳氢化合物气体、氮氧气体的混合气体等离子化，并以此对多层介质进行刻蚀至暴露出半导体基底表面。该方法采用高C/F比的碳氟化合物气体和氟化的碳氢化合物气体作为主刻蚀气体，并添加一定流量的氮氧气体，能够通过一次等离子体刻蚀达到刻蚀不同材料形成的多层介质的目的，而无需按照材料分层多步进行。同时，其对作为掩膜的光阻材料层具有较低的刻蚀速率。
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公开(公告)号：CN106356297B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201510418839.1
申请日：2015-07-16
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/768
摘要： 本发明提供了一种氮化钽TaN的刻蚀方法，包括：步骤a、在第一时间段内，向反应腔室内通入第一刻蚀气体，以使TaN与所述第一刻蚀气体发生界面反应生成第一刻蚀产物；步骤b、在第二时间段内，向反应腔室内通入第二刻蚀气体；步骤c、循环执行所述步骤a和所述步骤b，直至所述TaN完全去除。在本发明提供的TaN刻蚀方法中，其在整个刻蚀过程中，能够保证TaN薄膜不同区域的刻蚀速率均相同，因此，在整个TaN薄膜材料刻蚀结束后，不会出现局部区域出现过刻蚀的现象，不会出现过刻蚀损害TaN薄膜下方的层结构。因此，相较于现有技术的刻蚀方法，本发明提供的刻蚀方法能够提高刻蚀工艺的兼容性和产品的良率。
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公开(公告)号：CN106356297A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510418839.1
申请日：2015-07-16
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/31138 , H01L21/76865 , H01L2221/1073
摘要： 本发明提供了一种氮化钽TaN的刻蚀方法，包括：步骤a、在第一时间段内，向反应腔室内通入第一刻蚀气体，以使TaN与所述第一刻蚀气体发生界面反应生成第一刻蚀产物；步骤b、在第二时间段内，向反应腔室内通入第二刻蚀气体；步骤c、循环执行所述步骤a和所述步骤b，直至所述TaN完全去除。在本发明提供的TaN刻蚀方法中，其在整个刻蚀过程中，能够保证TaN薄膜不同区域的刻蚀速率均相同，因此，在整个TaN薄膜材料刻蚀结束后，不会出现局部区域出现过刻蚀的现象，不会出现过刻蚀损害TaN薄膜下方的层结构。因此，相较于现有技术的刻蚀方法，本发明提供的刻蚀方法能够提高刻蚀工艺的兼容性和产品的良率。
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公开(公告)号：CN103050396B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210594434.X
申请日：2012-12-31
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一多层介质刻蚀方法，包括步骤：提供半导体基底，其表面依次覆盖有多层介质和图形化的光阻材料层；以图形化的光阻材料层为掩膜，对刻蚀气体为碳氟化合物气体、氟化的碳氢化合物气体、氮氧气体的混合气体等离子化，并以此对多层介质进行刻蚀至暴露出半导体基底表面。该方法采用高C/F比的碳氟化合物气体和氟化的碳氢化合物气体作为主刻蚀气体，并添加一定流量的氮氧气体，能够通过一次等离子体刻蚀达到刻蚀不同材料形成的多层介质的目的，而无需按照材料分层多步进行。同时，其对作为掩膜的光阻材料层具有较低的刻蚀速率。
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