公开(公告)号：CN102110671B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200910247495.7

申请日：2009-12-29

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 苏鼎杰 ,  郑敏祺 ,  廖金昌 ,  黄俊诚

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/07

CPC classification number: H01L27/027

Abstract: 一种静电放电保护装置，包括：第一主保护晶体管和第二主保护晶体管，以及包含第一电极和第二电极的电阻，其中，第一主保护晶体管的漏区、第二主保护晶体管的漏区、电阻的第一电极与静电放电保护装置的输入端电连接；其特征在于，还包括：辅助保护晶体管，电阻的第二电极与辅助保护晶体管的漏区以及被保护电路的输入端电连接，辅助保护晶体管包括多个晶体管器件；辅助保护晶体管的衬底上还形成有第一多晶硅区，所述第一多晶硅区与衬底间通过介电层隔离；所述多个晶体管器件的每一个栅区与第一多晶硅区相连接，至少部分第一多晶硅区位于衬底中的有源区内；导电类型相同的多个晶体管器件的每一个栅区与对应的第一多晶硅区均被偏置到相同的电位。

公开(公告)号：CN100590627C

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200710039479.X

申请日：2007-04-13

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 苏鼎杰 ,  何佳 ,  邵芳 ,  黄俊诚

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种建立场效应管不匹配模型的方法，通过函数拟和测量得到的场效应管间的不匹配曲线，并逐步将偏置电压、尺寸和温度作为函数变量增加到函数中，最终得到场效应管的不匹配程度随偏置电压、尺寸和温度变化的关系来作为场效应管的不匹配模型，所以能够较精确地衡量场效应管不匹配程度。

公开(公告)号：CN101286179A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200710039479.X

申请日：2007-04-13

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 苏鼎杰 ,  何佳 ,  邵芳 ,  黄俊诚

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种建立场效应管不匹配模型的方法，通过函数拟和测量得到的场效应管间的不匹配曲线，并逐步将偏置电压、尺寸和温度作为函数变量增加到函数中，最终得到场效应管的不匹配程度随偏置电压、尺寸和温度变化的关系来作为场效应管的不匹配模型，所以能够较精确地衡量场效应管不匹配程度。

公开(公告)号：CN101022105A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200610023917.9

申请日：2006-02-16

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 苏鼎杰 ,  萧金燕 ,  钱蔚宏 ,  张向莉

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件测试装置，包括：半导体衬底；在衬底上形成的有源区和隔离区；在有源区上形成的至少一个栅极；和在隔离区上形成的至少一个伪栅极。本发明的用于制造半导体器件测试装置的基版包括基底；位于基底上的有源区和隔离区；在有源区和/或隔离区上形成的条形膜阵列；以及在有源区的至少一个条形膜两侧形成的互连孔。条形膜阵列为栅极阵列且包括至少一个栅极和/或至少一个伪栅极，栅极位于有源区，伪栅极位于隔离区。本发明将伪栅极置于隔离区，从而在测试过程中伪栅极不能产生感应漏电流，因此对实际的MOS晶体管的漏电流测试不会造成影响。

公开(公告)号：CN1996593A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200610023162.2

申请日：2006-01-04

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 苏鼎杰 ,  郑敏祺 ,  廖金昌 ,  黄俊诚

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L27/0266

Abstract: 本发明公开了一种用于静电放电保护的系统和方法。该系统包括多个晶体管。这多个晶体管包括多个栅极区域、多个源极区域和多个漏极区域。多个源极区域和多个漏极区域位于衬底中的有源区内部，并且有源区至少与衬底中的隔离区域相邻。另外，该系统包括多晶硅区域。多晶硅区域经由介电层与衬底相隔离，并且多晶硅区域与多个栅极区域中的每一个交叉。多晶硅区域的至少一部分在有源区上。

公开(公告)号：CN101022105B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200610023917.9

申请日：2006-02-16

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 苏鼎杰 ,  萧金燕 ,  钱蔚宏 ,  张向莉

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的测试装置，包括：半导体衬底；在衬底上形成的有源区和隔离区；在有源区上形成的至少一个栅极；和在隔离区上形成的至少一个伪栅极。本发明的用于制造半导体器件测试装置的基版包括基底；位于基底上的有源区和隔离区；在有源区和/或隔离区上形成的条形膜阵列；以及在有源区的至少一个条形膜两侧形成的互连孔。条形膜阵列为栅极阵列且包括至少一个栅极和/或至少一个伪栅极，栅极位于有源区，伪栅极位于隔离区。本发明将伪栅极置于隔离区，从而在测试过程中伪栅极不能产生感应漏电流，因此对实际的MOS晶体管的漏电流测试不会造成影响。

公开(公告)号：CN100561738C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200610027589.X

申请日：2006-06-12

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 苏鼎杰 ,  郑敏祺 ,  廖金昌 ,  黄俊诚

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L27/0266 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/105 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种用于静电放电保护的系统和方法。该系统包括第一晶体管，所述第一晶体管耦合到第一系统并包括第一栅极、位于第一栅极和第一衬底之间的第一电介质层、第一源极和第一漏极。第一系统包括或耦合到逻辑核心晶体管，且该逻辑核心晶体管包括第二栅极、位于第二栅极和第二衬底之间的第二电介质层、第二源极和第二漏极。第一晶体管从多个晶体管中选择，且多个晶体管包括多个栅极区、多个源极区和多个漏极区。多个栅极区中的每一个与多晶硅区相交。

公开(公告)号：CN100492642C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200610027257.1

申请日：2006-06-02

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 苏鼎杰 ,  黄威森 ,  萧金燕

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明提供了一种金属氧化物半导体场效应晶体管保护电路的制造方法，所述电路包括NMOS管及保护二极管，所述的保护二极管有两个，该两个二极管的阳极分别和NMOS管栅极以及衬底相连接，该两个二极管的阴极相连。本发明制造的保护电路保护了金属氧化物半导体使其免受天线效应影响，同时防止对低开启电压以及零开启电压MOS管测量时保护二极管被开启而不能完整地测量MOS管的电流-电压特性。

公开(公告)号：CN101105518A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200610028787.8

申请日：2006-07-10

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 苏鼎杰 ,  黄俊诚 ,  郑敏祺 ,  程仁豪 ,  陈文桥

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种半导体器件漏电流检测方法，包括：获得漏极电流与栅极电压关系曲线；将所述漏极电流与栅极电压关系曲线分段，对各分段区间求跨导，获得具有第一峰值和第二峰值的跨导与栅极电压关系曲线；计算跨导与栅极电压关系曲线内跨导第二峰值与两峰值之间跨导最小值的比值；将所述比值与预设判别标准比较，若所述比值符合预设判别标准，则判定漏电流对器件性能的影响满足产品要求；若所述比值超出预设判别标准，则判定漏电流对器件性能的影响已超出产品要求。

公开(公告)号：CN101083264A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200610027257.1

申请日：2006-06-02

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 苏鼎杰 ,  黄威森 ,  萧金燕

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822

Abstract: 一种金属氧化物半导体场效应晶体管保护电路，包括NMOS管及保护二极管，所述的保护二极管有两个，该两个二极管的阳极分别和NMOS管栅极以及衬底相连接，该两个二极管的阴极相连。本发明保护了金属氧化物半导体使其免受天线效应影响，同时防止对低开启电压以及零开启电压MOS管测量时保护二极管被开启而不能完整地测量MOS管的电流－电压特性。