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公开(公告)号：CN108227390B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201611199033.9
申请日：2016-12-22
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明提供了一种光刻机的像质检测方法。所述方法包括：提供晶圆，在所述晶圆的表面上形成有若干相互间隔的孔洞图案；对所述孔洞图案进行缺陷扫描，以得到缺陷图像；对所述缺陷图像进行分析，以判断所述缺陷图像是否存在异常来定期监测光刻机镜头的成像平面是否发生异常。本发明中所述方法可以提高监测的频率，不需要停止(down)机台，减少监测所耗费的时间，并且这种检测方法具有较高的灵敏度,可以在光刻机的成像平面发生异常的初期及时的发现问题，避免产品量率的损失。
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公开(公告)号：CN107045259B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201610083868.1
申请日：2016-02-05
发明人： 邢滨
IPC分类号： G03F1/44
摘要： 一种包含有监测图形的掩膜版以及监测方法，其中掩膜版包括：掩膜版内具有设计图形和监测图形；其中，所述监测图形包括第一图形、以及位于第一图形两侧的若干分立的第二图形，第一图形的延伸方向与位于第一图形同一侧的第二图形的排列方向平行，第一图形与位于第一图形一侧的第二图形之间具有第一关键特征尺寸，第一图形与位于第一图形另一侧的第二图形之间具有第二关键特征尺寸，在俯视视图上第一关键特征尺寸与第二关键特征尺寸相同。本发明能够及时有效的发现有问题的掩膜版，能够判断掩膜版设计图形的剖面形貌质量，提高掩膜版图形质量判定的可靠性，提高半导体产品良率。
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公开(公告)号：CN107168010A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201610129786.6
申请日：2016-03-08
摘要： 一种光刻掩膜版的制造方法，包括：提供透光基底、掩膜版以及光刻胶层；对光刻胶层进行曝光处理以及显影处理，形成第一沟槽以及第二沟槽，所述第一沟槽的宽度小于第二沟槽的宽度；形成填充满第一沟槽的第一掩膜层；形成填充满第二沟槽的第二掩膜层；去除光刻胶层；以第一掩膜层以及第二掩膜层为掩膜刻蚀掩膜版直至暴露出透光基底表面，在第一掩膜层下方形成光学辅助线条掩膜，在第二掩膜层下方形成主图形掩膜，光学辅助线条掩膜的宽度小于主图形掩膜的宽度；去除第一掩膜层和第二掩膜层。本发明避免了定义光学辅助线条的掩膜倒掉的问题，提高了形成的光刻掩膜版的产品良率，减小光刻掩膜版重出的损耗。
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公开(公告)号：CN106601656A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510662052.X
申请日：2015-10-14
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01L21/677
摘要： 本发明提供一种机械手，涉及半导体技术领域。该机械手包括：主体部，其上设置用于抓取晶圆的夹取部；夹取部，其包括两个臂部，所述两个臂部限定一个圆形夹取区域；支撑部，其包括设置在所述两个臂部上的多个支撑单元，每个支撑单元具有用于支撑位于夹取区域的晶圆的突出部；校准部，其包括设置在所述两个臂部上的多个调节单元，每个所述调节单元具有可沿所述圆形夹取区域径向伸缩的调节模块，通过所述多个调节单元的调节模块调节晶圆位于所述圆形夹取区域的位置。本发明的可以在晶圆放置在涂布机卡盘之前对晶圆中心进行校准，确保晶圆中心与手臂中心重合，进而确保晶圆放置在卡盘上时，晶圆中心与卡盘中心重合。
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公开(公告)号：CN106597811A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510672885.4
申请日：2015-10-16
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明提供一种用于监测光刻机成像平面异常的方法，所述方法包括：在光罩上放置监测图形，所述监测图形的工艺窗口小于所述光罩上的产品电路图形的工艺窗口；对所述光罩上的图形进行曝光；以及对曝光后形成的图形进行缺陷扫描，以用于基于所述缺陷扫描的结果是否存在特定分布而确定光刻机成像平面是否发生异常。本发明所提供的用于监测光刻机成像平面异常的方法不需要机台暂停生产，可以提高监测的频率，减少监测所耗费的时间，并能在光刻机成像平面发生异常的初期及时发现问题，避免产品量率的损失。
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公开(公告)号：CN114200796B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202010911176.8
申请日：2020-09-02
IPC分类号： G03F9/00 , H01L23/544
摘要： 一种对准标记及其形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括标记区，所述标记区上具有待处理层；在所述标记区上待处理层内形成第一标记开口；以所述第一标记开口作为对准标，在所述标记区上待处理层内形成第二标记开口，所述第一标记开口与所述第二标记开口相互分立。通过在标记区内形成第一标记开口和第二标记开口，且第一标记开口与第二标记开口相互分立，使得所述第一标记开口与所述第二标记开口不会产生重叠，避免因重复刻蚀所述标记区内的同一位置而造成的刻蚀穿透，进而避免了因刻蚀穿透所造成的刻蚀环境污染以及残留物的产生，避免了所述标记区中的残留物进入到器件区中对器件结构造成的影响，有效提升了最终形成的半导体结构的性能。
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公开(公告)号：CN115458507A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202110645114.1
申请日：2021-06-09
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/48
摘要： 一种对准标记及其形成方法，其中对准标记包括：衬底，所述衬底包括对准区和芯片区，所述对准区中具有标记原点；位于所述对准区上的第一待处理层；位于所述第一待处理层内的若干相互分立的标记开口，每个所述标记开口在所述对准区上具有对应的投影图形，若干所述投影图形以所述标记原点为圆心分布。通过位于第一待处理层内的若干相互分立的标记开口，使得若干标记开口之间不会产生重叠，避免因重复刻蚀对准区内的同一位置而造成的刻蚀穿透，进而避免了因刻蚀穿透所造成的刻蚀环境污染以及残留物的产生。另外，还避免了对准区中的残留物进入到芯片区中对器件结构造成的影响，有效提升了最终形成的半导体结构的性能。
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公开(公告)号：CN106684032B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201510746891.X
申请日：2015-11-05
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/027 , H01L23/544 , G03F7/20
CPC分类号： H01L21/68 , G03F7/705 , G03F7/70633 , G03F9/7015 , H01L21/027 , H01L21/67259 , H01L21/68714 , H01L21/76811 , H01L21/76834 , H01L21/76892 , H01L22/20 , H01L23/544 , H01L2223/54426
摘要： 一种互连结构的形成方法和曝光对准系统，本发明在形成互连结构的曝光过程中，根据第一对准件的标准坐标和测量坐标以及第二对准件的标准坐标和测量坐标获得晶圆坐标，以表征所述晶圆位置的偏差；在第二掩膜层中形成第二开口的过程中，根据所述晶圆坐标调整晶圆位置，由第二开口定义位置而形成的互联结构能够与所述第一待连接件和所述第二待连接件均具有较好的对准，能够有效提高所形成半导体器件的性能，提高器件制造良品率。
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公开(公告)号：CN108227390A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201611199033.9
申请日：2016-12-22
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明提供了一种光刻机的像质检测方法。所述方法包括：提供晶圆，在所述晶圆的表面上形成有若干相互间隔的孔洞图案；对所述孔洞图案进行缺陷扫描，以得到缺陷图像；对所述缺陷图像进行分析，以判断所述缺陷图像是否存在异常来定期监测光刻机镜头的成像平面是否发生异常。本发明中所述方法可以提高监测的频率，不需要停止(down)机台，减少监测所耗费的时间，并且这种检测方法具有较高的灵敏度,可以在光刻机的成像平面发生异常的初期及时的发现问题，避免产品量率的损失。
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公开(公告)号：CN106154741A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510198746.2
申请日：2015-04-21
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种掩模板、散焦量的测试方法及其测试系统，所述掩模板上具有测试图形，所述测试图形包括：基准光栅图形组，所述基准光栅图形组包括多个平行排布的第一条状图形；测试光栅图形组，所述测试光栅图形组包括多个平行排布的第二条状图形，每个所述第二条状图形包括平行排布的一条基准条形和若干条测试条形，所述第一条状图形和基准条形的宽度大于所述测试条形的宽度，所述第一条状图形和第二条状图形沿同一方向延伸。采用本发明提供的测试图形，能够在实际生产中，在晶圆上与实际需求的图形同步地形成测试结构。采用现有的套刻精度测量设备对测试标记中，基准标记与测试标记之间的位置偏移量进行测试，能够得到所述晶圆的散焦量。
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