公开(公告)号：CN108701646A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780012655.2

申请日：2017-01-17

申请人： 武汉新驱创柔光电科技有限公司

发明人： 西蒙·多米尼克·奥吉尔

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/525 ,  H01L23/538 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L21/76892 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5382 ,  H01L23/5386 ,  H01L27/283 ,  H01L27/285 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/102

摘要： 公开了形成用于可定制集成电路(IC)的连接目标的方法，该连接目标提供了导电迹线的选择性互连以通过将导电点沉积(例如通过印刷)到目标上来互连IC的设备和/或外部端子。还提供了具有连接目标的可定制且定制的IC，用于它们的形成和使用的方法同样被提供。连接目标由在第一导电迹线和第二导电迹线之间的绝缘层中的孔形成，在孔处在第二迹线中具有间隙，该间隙在第一导电迹线和第二导电迹线之间提供开路，该开路可以通过将导电点沉积到连接目标上以导电地桥接间隙来闭合。

公开(公告)号：CN107026146A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201610816528.5

申请日：2016-09-12

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 彭士玮 ,  赖志明 ,  陈俊光 ,  陈志良 ,  杨超源 ,  曾健庭 ,  萧锦涛 ,  刘如淦 ,  严永松

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/5286 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76892 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L28/00 ,  H01L24/43 ,  H01L23/535 ,  H01L24/19

摘要： 本发明涉及具有双电源轨结构的集成芯片。在一些实施例中，集成芯片具有第一金属互连层，该第一金属互连层具有在第一方向上延伸的下金属布线。第二金属互连层具有通过第一通孔层耦合至下金属布线并且在下金属布线上方在垂直于第一方向的第二方向上延伸的多个连接销。第三金属互连层具有在下金属布线和连接销上方在第一方向上延伸的上金属布线。上金属布线通过布置在第一通孔层上方的第二通孔层的方式耦合至连接销。将连接销连接至下金属布线和上金属布线减小了连接至连接销的电流密度，从而减小电迁移和/或IR问题。本发明的实施例还涉及集成芯片及其形成方法。

公开(公告)号：CN106684032A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201510746891.X

申请日：2015-11-05

申请人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 张强 ,  邢滨 ,  郝静安

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  H01L23/544 ,  G03F7/20

CPC分类号： H01L21/68 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70633 ,  G03F9/7015 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/68714 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76892 ,  H01L22/20 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54426 ,  H01L21/768 ,  G03F7/20 ,  H01L21/76897

摘要： 一种互连结构的形成方法和曝光对准系统，本发明在形成互连结构的曝光过程中，根据第一对准件的标准坐标和测量坐标以及第二对准件的标准坐标和测量坐标获得晶圆坐标，以表征所述晶圆位置的偏差；在第二掩膜层中形成第二开口的过程中，根据所述晶圆坐标调整晶圆位置，由第二开口定义位置而形成的互联结构能够与所述第一待连接件和所述第二待连接件均具有较好的对准，能够有效提高所形成半导体器件的性能，提高器件制造良品率。

公开(公告)号：CN105789380A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610284215.X

申请日：2016-04-29

申请人： 青岛瑞元鼎泰新能源科技有限公司

发明人： 李明 ,  四建方 ,  胡志刚 ,  李建峰 ,  赵世恒 ,  李宗彩

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/768 ,  H01L31/05

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/188 ,  H01L21/76892 ,  H01L31/0508

摘要： 本发明涉及太阳能电池板互联条滚轮式处理装置，属于焊接机模块技术领域。其解决了现有互联条不能从源头上解决漫反射的问题。本发明包括焊接太阳能电池板互联条的加热体，还包括滚压轮、支架、导热进管和导热出管，滚压轮通过支架连接于同加热体一同上下移动的机构上，且压轮平行设置于互联条的正上方，滚压轮与互联条相对的一面设置有花纹结构；滚压轮通过导热进管和导热出管冷却。滚压轮设置于互联条工序流转而出的一侧。本发明通滚轮式处理装置过对互联条进行滚压，形成漫反射条纹，具有很好的市场应用价值，经处理后的太阳能电池板，发电量提高1.5个百分点。

公开(公告)号：CN105789379A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610280864.2

申请日：2016-04-29

申请人： 青岛瑞元鼎泰新能源科技有限公司

发明人： 李明 ,  四建方 ,  胡志刚 ,  李建峰 ,  赵世恒 ,  李宗彩

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/768 ,  H01L31/05

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/188 ,  H01L21/76892 ,  H01L31/0508

摘要： 本发明涉及太阳能电池板互联条一体式直杆处理装置，属于焊接机模块技术领域。其解决了现有互联条不能从源头上解决漫反射的问题。本发明包括焊接太阳能电池板互联条的加热体，还包括压花直杆、导热导向杆、导热进管和导热出管，压花直杆一端通过导热导向杆连接于加热体上且平行设置于互联条的正上方，压花直杆随加热体一同上下移动，导热导向杆为可活动连接杆或者固定连接杆；压花直杆与互联条相对的一面设置有花纹结构；压花直杆的另一端通过导热进管和导热出管冷却。本发明通直杆式处理装置过对互联条进行压制，形成漫反射条纹，具有很好的市场应用价值，经处理后的太阳能电池板，发电量提高1.5个百分点。

公开(公告)号：CN103311220B

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201310261423.4

申请日：2013-06-27

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 徐亮

IPC分类号： H01L23/525 ,  H01L27/12 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/525 ,  G02F1/136259 ,  G02F2001/136263 ,  H01L21/485 ,  H01L21/76892 ,  H01L21/76894 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明实施例公开了一种线路修补结构及修补方法，用于修补薄膜晶体管阵列基板上沿不同方向延伸的电连接线在相互交叉处所形成的断路。所述线路修补结构包括从断路点所在的电连接线朝同一侧延伸而出并连通断路点两端的修补线及保护图案。所述修补线穿过与断路点所在电连接线相交的另一电连接线。所述保护图案设置在修补线与修补线所穿过的电连接线之间。

公开(公告)号：CN103904023A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201210572829.X

申请日：2012-12-25

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 郭振华 ,  虞颖

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76892 ,  H01L21/32138

摘要： 本发明公开了一种厚铝刻蚀工艺中光刻胶的去除方法，该方法在金属铝层刻蚀后，仅通入水汽，在水汽化环境中去除光刻胶。本发明在不改变厚铝刻蚀方法的前提下，通过优化去胶条件，减少了厚铝侧壁聚合物的堆积，从而降低了侧壁聚合物的腰带效应，确保了后续湿法刻蚀后，厚铝侧壁无胶残留；同时，还减少了气体的使用量和去胶时间。

公开(公告)号：CN103311220A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310261423.4

申请日：2013-06-27

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 徐亮

IPC分类号： H01L23/525 ,  H01L27/12 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/525 ,  G02F1/136259 ,  G02F2001/136263 ,  H01L21/485 ,  H01L21/76892 ,  H01L21/76894 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明实施例公开了一种线路修补结构及修补方法，用于修补薄膜晶体管阵列基板上沿不同方向延伸的电连接线在相互交叉处所形成的断路。所述线路修补结构包括从断路点所在的电连接线朝同一侧延伸而出并连通断路点两端的修补线及保护图案。所述修补线穿过与断路点所在电连接线相交的另一电连接线。所述保护图案设置在修补线与修补线所穿过的电连接线之间。

公开(公告)号：CN102618852A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210020842.4

申请日：2012-01-30

申请人： FEI公司

发明人： S.兰多夫 ,  C.D.钱德勒

IPC分类号： C23C16/513

CPC分类号： C23C16/486 ,  C23C16/047 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/407 ,  H01J2237/31732 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76892

摘要： 改进的沉积低电阻率金属的束沉积方法。本发明的优选实施方案使用新型聚焦离子束诱导沉积前体沉积低电阻率金属材料，如锡。申请人已经发现，通过使用甲基化或乙基化金属，如六甲基二锡作为前体，可以沉积电阻率低至40µΩ. cm的材料。

公开(公告)号：CN101256978A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810082602.0

申请日：2008-02-27

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 许履尘 ,  J·A·曼德尔曼 ,  W·R·通蒂 ,  杨智超

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/525

CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76892 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种电熔丝的制造方法和半导体结构。提供一种结构的制造方法，该方法包括提供一种结构。该结构包括(a)衬底层，(b)在衬底层中的第一熔丝电极，以及(c)在衬底层和第一熔丝电极上的熔丝电介质层。该方法还包括(i)在熔丝电介质层中形成开口，以便第一熔丝电极通过该开口暴露于周围环境，(ii)在该开口的侧壁和底壁上形成熔丝区域，以便将熔丝区域电耦合到第一熔丝电极，以及(iii)在所述形成熔丝区域之后，用电介质材料填充该开口。