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公开(公告)号：CN106597811B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201510672885.4
申请日：2015-10-16
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明提供一种用于监测光刻机成像平面异常的方法，所述方法包括：在光罩上放置监测图形，所述监测图形的工艺窗口小于所述光罩上的产品电路图形的工艺窗口；对所述光罩上的图形进行曝光；以及对曝光后形成的图形进行缺陷扫描，以用于基于所述缺陷扫描的结果是否存在特定分布而确定光刻机成像平面是否发生异常。本发明所提供的用于监测光刻机成像平面异常的方法不需要机台暂停生产，可以提高监测的频率，减少监测所耗费的时间，并能在光刻机成像平面发生异常的初期及时发现问题，避免产品量率的损失。
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公开(公告)号：CN107293481B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201610192692.3
申请日：2016-03-30
摘要： 一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底，所述基底包括器件区和对准区，所述器件区的基底表面具有器件栅极结构，所述对准区的基底表面具有第三栅极结构；在所述器件栅极结构侧壁形成侧墙的同时，在第三栅极结构的顶部表面形成保护层；形成覆盖器件栅极结构、第三栅极结构和保护层的层间介质层；平坦化所述层间介质层直至暴露出器件栅极结构的顶部表面，且第三栅极结构的顶部表面至少保留部分厚度的保护层；以所述保护层为掩膜去除器件栅极结构。所述方法提高了对准区对位标记的对比度。
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公开(公告)号：CN109283796A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201710602290.0
申请日：2017-07-21
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明提供一种光刻仿真系统，涉及半导体技术领域。所述系统包括：掩模，所述掩模包括透光区域和不透光区域；照明光源，用于发出光束；投影成像透镜系统，从所述掩模透过的至少部分光经所述投影成像透镜系统后照射到衬垫区并形成光斑，其中，所述衬垫区设置在晶圆上；光瞳探测器，设置在所述投影成像透镜系统的光瞳面位置，其中所述光瞳探测器用于接收所述光斑从所述晶圆表面反射回的光形成光瞳图像并探测和输出所述光瞳图像。该光刻仿真系统通过硬件辅助方式能够提高光刻仿真精度，并降低计算量，还能用于对晶圆表面的一些例如粗糙度的检测，以及改善足部或底切等缺陷。
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公开(公告)号：CN107293481A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201610192692.3
申请日：2016-03-30
摘要： 一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底，所述基底包括器件区和对准区，所述器件区的基底表面具有器件栅极结构，所述对准区的基底表面具有第三栅极结构；在所述器件栅极结构侧壁形成侧墙的同时，在第三栅极结构的顶部表面形成保护层；形成覆盖器件栅极结构、第三栅极结构和保护层的层间介质层；平坦化所述层间介质层直至暴露出器件栅极结构的顶部表面，且第三栅极结构的顶部表面至少保留部分厚度的保护层；以所述保护层为掩膜去除器件栅极结构。所述方法提高了对准区对位标记的对比度。
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公开(公告)号：CN106684032A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201510746891.X
申请日：2015-11-05
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/027 , H01L23/544 , G03F7/20
CPC分类号： H01L21/68 , G03F7/705 , G03F7/70633 , G03F9/7015 , H01L21/027 , H01L21/67259 , H01L21/68714 , H01L21/76811 , H01L21/76834 , H01L21/76892 , H01L22/20 , H01L23/544 , H01L2223/54426 , H01L21/768 , G03F7/20 , H01L21/76897
摘要： 一种互连结构的形成方法和曝光对准系统，本发明在形成互连结构的曝光过程中，根据第一对准件的标准坐标和测量坐标以及第二对准件的标准坐标和测量坐标获得晶圆坐标，以表征所述晶圆位置的偏差；在第二掩膜层中形成第二开口的过程中，根据所述晶圆坐标调整晶圆位置，由第二开口定义位置而形成的互联结构能够与所述第一待连接件和所述第二待连接件均具有较好的对准，能够有效提高所形成半导体器件的性能，提高器件制造良品率。
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公开(公告)号：CN116097173A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202180053479.3
申请日：2021-03-16
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种掩膜版、对准标记以及光刻系统，所述对准标记包括多个间隔排布的对准图形，所述对准图形包括沿第一方向延伸的第一图形和沿第二方向延伸的第二图形，所述第一图形在第一方向包括相对的第一端和第二端，所述第二图形在第二方向包括相对的第三端和第四端，所述第二端和第三端连接，第四端和第一端连接，所述对准图形为二维线形图形，本发明实施例与所述对准标记为一维线形图形的情况相比，在利用本发明实施例提出的对准标记进行对准的过程中，对准标记在宏观上构成周期排布的摩尔纹，摩尔纹能够使得对准系统获得更大的一阶衍射信号强度，相应的对准信号强度较大，提高套刻精度(OVL)，降低返工率和生产成本。
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公开(公告)号：CN108227390B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201611199033.9
申请日：2016-12-22
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明提供了一种光刻机的像质检测方法。所述方法包括：提供晶圆，在所述晶圆的表面上形成有若干相互间隔的孔洞图案；对所述孔洞图案进行缺陷扫描，以得到缺陷图像；对所述缺陷图像进行分析，以判断所述缺陷图像是否存在异常来定期监测光刻机镜头的成像平面是否发生异常。本发明中所述方法可以提高监测的频率，不需要停止(down)机台，减少监测所耗费的时间，并且这种检测方法具有较高的灵敏度,可以在光刻机的成像平面发生异常的初期及时的发现问题，避免产品量率的损失。
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公开(公告)号：CN107045259B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201610083868.1
申请日：2016-02-05
发明人： 邢滨
IPC分类号： G03F1/44
摘要： 一种包含有监测图形的掩膜版以及监测方法，其中掩膜版包括：掩膜版内具有设计图形和监测图形；其中，所述监测图形包括第一图形、以及位于第一图形两侧的若干分立的第二图形，第一图形的延伸方向与位于第一图形同一侧的第二图形的排列方向平行，第一图形与位于第一图形一侧的第二图形之间具有第一关键特征尺寸，第一图形与位于第一图形另一侧的第二图形之间具有第二关键特征尺寸，在俯视视图上第一关键特征尺寸与第二关键特征尺寸相同。本发明能够及时有效的发现有问题的掩膜版，能够判断掩膜版设计图形的剖面形貌质量，提高掩膜版图形质量判定的可靠性，提高半导体产品良率。
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公开(公告)号：CN107168010A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201610129786.6
申请日：2016-03-08
摘要： 一种光刻掩膜版的制造方法，包括：提供透光基底、掩膜版以及光刻胶层；对光刻胶层进行曝光处理以及显影处理，形成第一沟槽以及第二沟槽，所述第一沟槽的宽度小于第二沟槽的宽度；形成填充满第一沟槽的第一掩膜层；形成填充满第二沟槽的第二掩膜层；去除光刻胶层；以第一掩膜层以及第二掩膜层为掩膜刻蚀掩膜版直至暴露出透光基底表面，在第一掩膜层下方形成光学辅助线条掩膜，在第二掩膜层下方形成主图形掩膜，光学辅助线条掩膜的宽度小于主图形掩膜的宽度；去除第一掩膜层和第二掩膜层。本发明避免了定义光学辅助线条的掩膜倒掉的问题，提高了形成的光刻掩膜版的产品良率，减小光刻掩膜版重出的损耗。
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公开(公告)号：CN106601656A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510662052.X
申请日：2015-10-14
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01L21/677
摘要： 本发明提供一种机械手，涉及半导体技术领域。该机械手包括：主体部，其上设置用于抓取晶圆的夹取部；夹取部，其包括两个臂部，所述两个臂部限定一个圆形夹取区域；支撑部，其包括设置在所述两个臂部上的多个支撑单元，每个支撑单元具有用于支撑位于夹取区域的晶圆的突出部；校准部，其包括设置在所述两个臂部上的多个调节单元，每个所述调节单元具有可沿所述圆形夹取区域径向伸缩的调节模块，通过所述多个调节单元的调节模块调节晶圆位于所述圆形夹取区域的位置。本发明的可以在晶圆放置在涂布机卡盘之前对晶圆中心进行校准，确保晶圆中心与手臂中心重合，进而确保晶圆放置在卡盘上时，晶圆中心与卡盘中心重合。
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