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公开(公告)号：CN221051741U
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202322951268.0
申请日：2023-11-01
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 封焊石英材料用新型节能喷火头,涉及耐高温石英材料封焊加工设备。本实用新型的封焊石英材料用新型节能喷火头，其特征在于该喷火头前端为空心圆环柱结构，后端为实心圆柱结构，前端侧壁上设置有两个进气口，后端内部设置有数个出气流管，数个出气流管以喷火头轴心为中心对称设置；喷火头前端内部为气体混合区，后端端头为气体汇集出口。本实用新型的封焊石英材料用新型节能喷火头，结构简单，操作简便，节约资源，降低成本，多个出气流管设计，使得点火火源更聚集；采用钼、铼钨合金制作，在封焊石英材料时，能够承受更高的温度，且封焊过程中，减缓喷火头的生锈速度。
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公开(公告)号：CN209039630U
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201821745466.4
申请日：2018-10-26
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司
摘要： 直拉法生长高纯锗单晶的单晶生长炉，涉及一种单晶生长炉设备，尤其是直拉法生长高纯锗单晶的单晶炉设备。直拉法生长高纯锗单晶的单晶生长炉，将石墨件安装在石英炉管外面，并由石英保温圈包裹将其密封，再配置相应的高频感应线圈环绕于石英炉管外部；其中，石英炉管分为两段，上段空心圆柱内腔大于下段空心圆柱内腔；所述的石英支撑件分为两个部分，一部分设置于石英炉管内，另一部分设置于石英炉管外部，支撑石墨件及石英保温圈。本实用新型的结构减少了部件所产生的污染源，进而提升超高纯锗单晶的质量水平，从而保证了晶体生长过程中热传导的均匀性，并且延长了石墨件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN212103066U
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202020485292.3
申请日：2020-04-07
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本实用新型涉及半导体材料SiC单晶生长领域，具体公开了一种PVT生长SiC单晶籽晶粘接盘，所述籽晶粘接盘包括籽晶和石墨圆板，籽晶粘接于石墨圆板上，石墨圆板直径不小于籽晶直径，石墨圆板上设置有数个等间距的凹坑，凹坑外缘与籽晶边缘相切，本实用新型所涉及的籽晶粘接盘结构减小了籽晶粘接应力，使得PVT方法生长出的碳化硅单晶晶体缺陷密度降低，晶体更容易与粘接盘分离。所需结构无须过高成本，却改善了晶体材料的质量，而且可以减少企业的生产成本，使得碳化硅材料在半导体领域的应用中发挥更好更高效的作用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN216704328U
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202123342580.7
申请日：2021-12-28
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 本实用新型涉及一种晶片切割油的油渣分离装置，属于废弃物回收利用技术领域，包括炉体支架、反应炉、温度控制器、真空泵、冷凝装置、存储装置，反应炉设置于炉体支架上，且于反应炉加热位置设置温度控制器，所述反应炉顶侧开孔通过管道依次连接有真空泵、冷凝装置、存储装置，顶部设置密封盖，所述密封盖顶部架设倒置的漏斗形烟囱，漏斗形烟囱顶部开口，通过管道连接有空气过滤装置，所述反应炉和真空泵之间的连接管道上设置有过滤网，本实用新型能实现切割油和渣的分离，设备简单，回收效果好。
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公开(公告)号：CN212103061U
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202020485258.6
申请日：2020-04-07
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本专利涉及半导体材料SiC单晶生长领域，具体公开了一种PVT法生长SiC用的单晶炉测温结构，所述单晶炉包括用坩埚围成的晶体生长用晶体生长室，配置于生长室室内顶部的石墨盘，和在所述晶体生长室外围的保温层，所述测温结构包括所述石墨盘中心设置通孔，通孔上镶嵌盖片形成的测温窗，以及设置于石墨盘上方保温层内和所述测温窗垂直贯穿的测温孔，使得测量温度的红外线能够穿过保温层和石墨盘，直接测量SiC晶体生长室内的温度，从而减小了生长温度的测量误差，使得PVT方法生长SiC单晶时的温度控制更精确，生长出的碳化硅单晶晶体缺陷密度降低。
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