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公开(公告)号：CN113564712A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110911820.6
申请日：2021-08-10
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
摘要： 碳化硅单晶生长中废料的回收处理方法。本发明属于第三代半导体材料碳化硅单晶生长及加工领域，具体涉及碳化硅单晶生长及加工过程碳化硅废料的回收处理方法，具体包括按顺序依次焙烧脱除碳单质、混酸处理脱除微量元素和碱氧化处理脱除硅单质三个步骤，其中脱除碳单质的方法为将碳化硅废料磨成粒径小于200微米的粉料后，装入石英舟放入管式炉内，管式炉加热到400℃‑600℃，焙烧2h‑5h，设定氧气瓶的通气速率以100kPa‑200kPa的压力值注入，冷却后取出石英舟，获得脱除碳单质的碳化硅废料，本发明方法脱除了碳化硅废料中含量较多的杂质，经以上步骤提纯后得到高纯碳化硅粉料，再把碳化硅粉料利用于碳化硅单晶的生产，以达到碳化硅废料的综合回收再利用，减少了碳化硅废料对环境的污染。
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公开(公告)号：CN117265636A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310650628.5
申请日：2023-06-03
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 一种大尺寸VGF法砷化镓的装料装置及装料方法,涉及化合物半导体晶体生长领域，尤其是一种大尺寸VB法和VGF法生长III‑V族单晶生长的一种大尺寸VGF法砷化镓的装料装置及装料方法。本发明的一种大尺寸VGF法砷化镓的装料装置及装料方法，其特征在于该装料装置包括上平台、支撑杆、下平台，上坩埚、下坩埚和石英安瓿瓶，上平台与下平台相对平行设置，支撑杆设置在上平台与下平台之间，上坩埚与下坩埚从上至下放置，石英安瓿瓶安装在下坩埚上。本发明的VGF法砷化镓的装料装置及装料方法，不但能实现大尺寸、质量多的装料难题，而且装料过程简单、快捷，不管是单晶率还是位错均优于传统装料方法。
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公开(公告)号：CN113564712B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202110911820.6
申请日：2021-08-10
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
摘要： 碳化硅单晶生长中废料的回收处理方法。本发明属于第三代半导体材料碳化硅单晶生长及加工领域，具体涉及碳化硅单晶生长及加工过程碳化硅废料的回收处理方法，具体包括按顺序依次焙烧脱除碳单质、混酸处理脱除微量元素和碱氧化处理脱除硅单质三个步骤，其中脱除碳单质的方法为将碳化硅废料磨成粒径小于200微米的粉料后，装入石英舟放入管式炉内，管式炉加热到400℃‑600℃，焙烧2h‑5h，设定氧气瓶的通气速率以100kPa‑200kPa的压力值注入，冷却后取出石英舟，获得脱除碳单质的碳化硅废料，本发明方法脱除了碳化硅废料中含量较多的杂质，经以上步骤提纯后得到高纯碳化硅粉料，再把碳化硅粉料利用于碳化硅单晶的生产，以达到碳化硅废料的综合回收再利用，减少了碳化硅废料对环境的污染。
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公开(公告)号：CN111455405A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010518994.1
申请日：2020-06-09
申请人： 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南东昌金属加工有限公司
摘要： 本发明涉及稀有金属冶炼领域,具体公开一种多单元串联多级电解精炼制备高纯铟的方法及装置，包括电解前储液槽、电解槽、电解后储液槽、第一循环泵通过管道和U型槽连通形成一个电解精炼循环系统，并通过该电解槽进行一级电解、真空蒸馏、二级电解、单晶生长这四个步骤制得质量一致性好、纯度达8N的高纯铟，为我国磷化铟材料高端产品的制备提供技术基础和材料基础。
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公开(公告)号：CN113913939B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202111065459.6
申请日：2021-09-10
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法，属于半导体衬底材料制备技术领域。本发明的方法具体为将7N砷化镓多晶和半绝缘砷化镓晶体回料按一定比例配料，利用腐蚀液清洗多晶料及回料表面杂质及附着物，并将砷化镓多晶料、回料、氧化硼、砷在洁净间内装入PBN坩埚，将高纯碳帽套在坩埚颈部，PBN坩埚放置于石英管内，石英管口放置石英封帽，对石英管加热抽真空后封焊，采用VGF工艺进行单晶生长，将所得单晶切除头尾后切片，最后对晶片采用砷压闭管高温退火处理。发明在现有技术基础上，通过对单晶生长过程中碳的掺杂调控，获得原始暗点、颗粒度较低的高质量单晶，有利于进一步降低晶片内的暗点及颗粒度值。
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公开(公告)号：CN115029783B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202210496774.2
申请日：2022-05-09
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 基于VB法与VGF法结合的砷化铟单晶生长方法，涉及一种VB法与VGF法结合砷化铟晶体生长装置、装料方法以及晶体生长工艺。所述的生长装置，由加热炉体、热场系统、支撑系统、容器系统和坩埚下降装置组成，所述生长方法，包括装料、装炉、化料、接籽晶、放肩、等径生长、冷却退火步骤。所述的装料容器分为上坩埚、下坩埚和石英安瓿瓶，利用锥形料、圆饼料和梯型料合理的搭配设计，不但能使装料结构稳定、还有助于高温时很好的化料，可以有效提高成晶率31%，通过砷化铟多晶的合成、装料、单晶生长获得籽晶胚、籽晶胚加工获得籽晶，再进行单晶生长，最终生长远低于LEC生长的低位错的砷化铟单晶。
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公开(公告)号：CN115029783A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210496774.2
申请日：2022-05-09
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 基于VB法与VGF法结合的砷化铟单晶生长方法，涉及一种VB法与VGF法结合砷化铟晶体生长装置、装料方法以及晶体生长工艺。所述的生长装置，由加热炉体、热场系统、支撑系统、容器系统和坩埚下降装置组成，所述生长方法，包括装料、装炉、化料、接籽晶、放肩、等径生长、冷却退火步骤。所述的装料容器分为上坩埚、下坩埚和石英安瓿瓶，利用锥形料、圆饼料和梯型料合理的搭配设计，不但能使装料结构稳定、还有助于高温时很好的化料，可以有效提高成晶率31%，通过砷化铟多晶的合成、装料、单晶生长获得籽晶胚、籽晶胚加工获得籽晶，再进行单晶生长，最终生长远低于LEC生长的低位错的砷化铟单晶。
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公开(公告)号：CN113913939A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111065459.6
申请日：2021-09-10
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法，属于半导体衬底材料制备技术领域。本发明的方法具体为将7N砷化镓多晶和半绝缘砷化镓晶体回料按一定比例配料，利用腐蚀液清洗多晶料及回料表面杂质及附着物，并将砷化镓多晶料、回料、氧化硼、砷在洁净间内装入PBN坩埚，将高纯碳帽套在坩埚颈部，PBN坩埚放置于石英管内，石英管口放置石英封帽，对石英管加热抽真空后封焊，采用VGF工艺进行单晶生长，将所得单晶切除头尾后切片，最后对晶片采用砷压闭管高温退火处理。发明在现有技术基础上，通过对单晶生长过程中碳的掺杂调控，获得原始暗点、颗粒度较低的高质量单晶，有利于进一步降低晶片内的暗点及颗粒度值。
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公开(公告)号：CN111321469A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010262959.8
申请日：2020-04-07
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本发明涉及半导体材料SiC单晶生长领域，具体公开了一种PVT生长SiC单晶籽晶粘接盘及粘接方法，所述籽晶粘接盘包括籽晶和石墨圆板，籽晶粘接于石墨圆板上，所述石墨圆板直径不小于籽晶直径，石墨圆板上设置有数个等间距的凹坑，凹坑外缘与籽晶边缘相切，然后使用粘接剂将籽晶粘接在改造后的粘接盘上，本发明所涉及的籽晶粘接盘结构减小了籽晶粘接应力，使得PVT方法生长出的碳化硅单晶晶体缺陷密度降低，晶体更容易与粘接盘分离。所需结构无须过高成本，却改善了晶体材料的质量，而且可以减少企业的生产成本，使得碳化硅材料在半导体领域的应用中发挥更好更高效的作用。
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公开(公告)号：CN212293771U
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202021046127.4
申请日：2020-06-09
申请人： 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南东昌金属加工有限公司
摘要： 本实用新型涉及稀有金属冶炼领域,具体公开一种多单元串联多级电解精炼装置，包括电解前储液槽、电解槽、电解后储液槽、第一循环泵通过管道和U型槽连通形成一个电解精炼循环系统，用于制备高品质磷化铟衬底片用的8N高纯铟，以实现工业化和规模生产，制得的高纯铟质量一致性好、纯度达8N，为我国磷化铟材料高端产品的制备提供技术基础和材料基础。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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