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公开(公告)号：CN109101918A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810871224.8
申请日：2018-08-02
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
CPC分类号： G06K9/0004 , H01L27/3234
摘要： 本发明提供一种指纹识别结构及其制作方法、有机电致发光显示面板，该指纹识别结构设置在有机电致发光显示面板的阳极层的入光侧，阳极层包括多个图形部和位于相邻的两个图形部之间的间隔部；指纹识别结构包括：光学层，具有成像小孔，用于将与有机电致发光显示面板接触的指纹成像到光学感应器上；第一绝缘层，设置在光学层与阳极层之间，第一绝缘层包括绝缘本体，在绝缘本体上，且位于与间隔部相对应的位置处设置有朝向阳极层凸出的凸台，阳极层覆盖凸台的部分能够阻挡自间隔部进入第一绝缘层中的杂光进入光学层的成像小孔。本发明提供的指纹识别结构，其可以避免出现漏光现象，改善指纹识别效果。
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公开(公告)号：CN115909905A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211679922.0
申请日：2022-12-26
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G09F9/30
摘要： 本申请提供一种显示模组和显示装置。该显示模组包括：显示面板、柔性电路板、面板凸起和胶体。其中，显示面板具有相对设置的第一表面和第二表面；显示面板包括依次相连的显示部、弯折部和绑定部。柔性电路板设置于绑定部的第一表面所在的一侧并沿绑定部远离弯折部的方向延伸并形成露出于第一端面的涂胶部，第一端面为绑定部远离弯折部的一端的端面。面板凸起分布于绑定部的第一表面并至少部分裸露于第一端面，用于连接显示面板和柔性电路板。胶体设置于第一端面和支撑面之间，至少部分胶体覆盖面板凸起；支撑面为涂胶部靠近绑定部的一侧的表面。可以实现降低显示面板的面板凸起遭受盐雾或水汽侵蚀的风险，避免显示模组出现无显或异显不良。
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公开(公告)号：CN109036236B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201811076861.2
申请日：2018-09-14
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G09G3/00
摘要： 本发明提供一种阵列基板检测方法及检测装置，涉及显示技术领域，用于改善现有技术中对阵列基板上的信号线进行良率测试的过程耗费时间长的问题。阵列基板检测方法，包括：向阵列基板上的多根栅线逐行输入扫描开启信号，以使阵列基板上的数据线生成采集信号；其中，每向一根所述栅线输入所述扫描开启信号，所述数据线上传输的电信号进行一次累计；获取每根所述数据线上的所述采集信号；根据所述采集信号的突变，确定发生短路的数据线以及所述发生短路的数据线在阵列基板上的位置。
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公开(公告)号：CN108962758B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201810826079.1
申请日：2018-07-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/66 , H01L21/265
摘要： 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，在形成多晶硅薄膜之后，确定多晶硅薄膜的晶界比率；然后确定晶界比率是否在预先获得的标准范围内；如果晶界比率在标准范围内，则根据预设的离子注入量对多晶对薄膜进行离子注入；如果晶界比率不在标准范围内，则对预设的离子注入量进行调整，根据调整后的离子注入量对多晶对薄膜进行离子注入。通过对晶界比率进行监控，从而达到监控LTPS特性的目的，而对于拦截到的特性异常的情况，通过调整离子注入浓度，可在前端修复特性不良，降低特性不良损失，提升良率。
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公开(公告)号：CN107520023B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201710708564.4
申请日：2017-08-17
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： B02C19/18
摘要： 本发明涉及一种柔性基板的报废处理系统及方法，用以解决传统破碎机的设计不适用于柔性基板的报废处理的问题。该系统包括：降温设备，用于对柔性基板进行降温处理，使柔性基板的温度低于第一预设温度；报废设备，用于对降温处理后的柔性基板进行机械破碎处理；其中，第一预设温度为柔性基板中柔性基底材料的最低脆化温度。由于降温后柔性基板中柔性基底材料已经脆化，柔性基板的整体脆性增大，再采用机械破碎处理方式进行处理，则很容易使柔性基板碎化，碎化后的柔性基板废料没有粘结，能够自然从设备上脱离，无需采用其他辅助设施处理，可以缩短每一次报废处理的时间，而且可以避免后续移动设备再送柔性基板进入报废设备时被残留的废料划伤。
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公开(公告)号：CN108962758A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810826079.1
申请日：2018-07-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/66 , H01L21/265
CPC分类号： H01L29/6675 , H01L21/26506 , H01L22/12 , H01L22/20
摘要： 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，在形成多晶硅薄膜之后，确定多晶硅薄膜的晶界比率；然后确定晶界比率是否在预先获得的标准范围内；如果晶界比率在标准范围内，则根据预设的离子注入量对多晶对薄膜进行离子注入；如果晶界比率不在标准范围内，则对预设的离子注入量进行调整，根据调整后的离子注入量对多晶对薄膜进行离子注入。通过对晶界比率进行监控，从而达到监控LTPS特性的目的，而对于拦截到的特性异常的情况，通过调整离子注入浓度，可在前端修复特性不良，降低特性不良损失，提升良率。
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公开(公告)号：CN109959666B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201910287502.X
申请日：2019-04-11
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种阵列基板缺陷判定方法、处理器及判定系统，该方法包括：实时获取待判别阵列基板当前扫描区域的表面图像数据；对获取到的表面图像数据进行处理，确定阵列基板存在的缺陷与扫描时间的对应关系；根据缺陷与扫描时间的对应关系、预存储的扫描时间与扫描位置的对应关系以及预存储的缺陷类型规则，确定阵列基板中存在缺陷的类型。上述方法可以根据实时获取待判别阵列基板当前扫描区域的表面图像数据，确定阵列基板中存在缺陷的类型，无需工程师进行人为判定，节约了缺陷判定时间，根据判定结果可以及时对缺陷进行处理，避免大量的经济损失。
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公开(公告)号：CN109580632B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201811413017.4
申请日：2018-11-23
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G01N21/88
摘要： 本发明实施例提供了一种缺陷确定方法、装置及存储介质，缺陷确定方法包括：获取待检测样品经过第一工艺后目标区域所对应的第一灰阶值和比较区域所对应的第二灰阶值；获取待检测样品经过第二工艺后目标区域所对应的第三灰阶值和比较区域所对应的第四灰阶值，第二工艺为第一工艺的下一道工艺；根据第一灰阶值、第二灰阶值、第三灰阶值和第四灰阶值，确定目标区域是否为缺陷区域。通过本发明实施例的缺陷确定方法可以去除前层工艺图形对现工艺的待检测样品的灰阶值的影响，使灰阶差值波动范围降低，能够实现在更严格的阈值条件下，将缺陷区域的误判率被控制在可接受范围，从而提高AOI设备准确度和检出率，并能够更加精确地计算缺陷区域大小。
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公开(公告)号：CN109101918B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201810871224.8
申请日：2018-08-02
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种指纹识别结构及其制作方法、有机电致发光显示面板，该指纹识别结构设置在有机电致发光显示面板的阳极层的入光侧，阳极层包括多个图形部和位于相邻的两个图形部之间的间隔部；指纹识别结构包括：光学层，具有成像小孔，用于将与有机电致发光显示面板接触的指纹成像到光学感应器上；第一绝缘层，设置在光学层与阳极层之间，第一绝缘层包括绝缘本体，在绝缘本体上，且位于与间隔部相对应的位置处设置有朝向阳极层凸出的凸台，阳极层覆盖凸台的部分能够阻挡自间隔部进入第一绝缘层中的杂光进入光学层的成像小孔。本发明提供的指纹识别结构，其可以避免出现漏光现象，改善指纹识别效果。
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公开(公告)号：CN107677232B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201710859678.9
申请日：2017-09-21
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶粒尺寸测量方法及装置、多晶硅薄膜的生产方法，用以使测量到的晶粒尺寸很好地反映晶粒形状特点，以对工艺生产产生有效的指导，本发明提供的一种晶粒尺寸测量方法，包括：获取结晶体的一个结晶区域的晶粒形貌图，并根据所述晶粒形貌图绘制晶粒界面图；对所述晶粒界面图中的至少一个晶粒进行测量，分别确定各个测量晶粒的横向尺寸和纵向尺寸；根据测量的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，确定所述结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸。
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