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公开(公告)号：CN109473510B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201811023086.4
申请日：2018-09-04
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明涉及发光晶闸管、发光晶闸管阵列、曝光头和图像形成设备。发光晶闸管包括具有第一到第四半导体层的堆叠结构，并且第三半导体层从半导体基板侧起依次至少包含与第二半导体层接触的第五半导体层和第六半导体层。第六半导体层是形成堆叠结构的所有层中的具有最小带隙的层，并且，第五半导体层与第六半导体层之间的带隙的差值△Eg大于或等于0.05eV且小于或等于0.15eV。
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公开(公告)号：CN114175281A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080054210.2
申请日：2020-07-28
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 提供了一种发光元件，该发光元件具有：第一有源层，通过注入电流来发射具有第一波长的光；第二有源层，通过吸收具有第一波长的光来发射具有不同于第一波长的第二波长的光；以及第一反射镜，在第一反射镜处具有第一波长的光的反射率大于具有第二波长的光的反射率，其中，第一反射镜被部署在比第一有源层和第二有源层靠近发射端的位置处，由第一有源层或第二有源层发射的光从发射端投射到外部。
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公开(公告)号：CN109473510A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811023086.4
申请日：2018-09-04
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/455 , B41J2/44 , G03G15/04 , G03G15/04036 , H01L33/0016 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/08 , H01L33/30
Abstract: 本发明涉及发光晶闸管、发光晶闸管阵列、曝光头和图像形成设备。发光晶闸管包括具有第一到第四半导体层的堆叠结构，并且第三半导体层从半导体基板侧起依次至少包含与第二半导体层接触的第五半导体层和第六半导体层。第六半导体层是形成堆叠结构的所有层中的具有最小带隙的层，并且，第五半导体层与第六半导体层之间的带隙的差值△Eg大于或等于0.05eV且小于或等于0.15eV。
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公开(公告)号：CN101394064B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200810149702.0
申请日：2008-09-19
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01S5/18313 , B41J2/435 , H01S5/18333 , H01S2301/166
Abstract: 本发明提供了垂直腔表面发射激光器以及使用其的成像设备。提供了具有抑制多模操作的多层反射器的激光器。垂直腔表面发射激光器包括层叠的第一反射镜、具有活性层的腔、以及第二反射镜。第二反射镜是由多次交替地层叠的第一层和第二层构成的多层反射器，第二层的折射率高于第一层的折射率。多个第二层中的至少一个第二层具有氧化限制结构，该氧化限制结构具有氧化区域和非氧化区域。
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公开(公告)号：CN120062566A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202411710007.2
申请日：2024-11-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: F21K9/20 , F21K9/68 , F21V23/00 , F21V23/06 , G01S7/481 , G01S17/08 , F21Y115/00 , F21Y115/30
Abstract: 本发明涉及一种光源装置和测距装置。该光源装置包括多个半导体发光元件，这多个半导体发光元件被配置为在半导体衬底的第一面侧上顺次堆叠第一反射器、包括第一活性层的第一半导体谐振器、第二反射器、以及第一电极，并且在半导体衬底的与第一面相对的第二面上堆叠第二电极。供电焊盘向多个半导体发光元件供给电力。多个半导体发光元件根据相对于供电焊盘的距离被划分为多个组。相对于供电焊盘的距离更短的组中的半导体发光元件被配置为在第一电极和第二电极之间具有更大的电阻值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118731913A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410349098.5
申请日：2024-03-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G01S7/484 , B60W30/095 , B60W50/14 , B60W30/09 , G02B27/00 , G01S17/10 , G01S17/931
Abstract: 本公开涉及光发射设备、测距设备、以及可移动物体。光发射设备包括：第一半导体光发射元件，包括在半导体基板之上的第一活性层和第一谐振器部分，并且发射第一光；第二半导体光发射元件，包括在所述第一半导体光发射元件之上依次堆叠的第一反射器、第二谐振器部分、以及第二反射器，并且发射第二光，所述第二谐振器部分包括由所述第一光激发的第二活性层，其中所述第二半导体光发射元件的振荡波长比所述第一半导体光发射元件的振荡波长长，其中所述第二半导体光发射元件包括所述第二谐振器部分与所述第二反射器之间的可饱和吸收层，并且其中所述第二活性层的厚度L和吸收系数α满足以下不等式：3.45≤α×L≤15。
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公开(公告)号：CN106165124B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201580016561.3
申请日：2015-03-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L33/06
Abstract: 本发明提供了一种发光设备，该发光设备在不增大到有源层的电流注入密度的情况下发射具有高阶能级的光。根据本发明的发光设备包括上电极层、下电极层以及设置在它们之间的有源层。在这种情况下，通过经由上电极层和下电极层向有源层注入电流来发射光，有源层具有多个量子约束结构，并且第一量子约束结构具有能级E0的基能级以及具有能级E1的高阶能级，并且第二量子约束结构具有比E0高的能级E2，并且E1和E2是大体一致的。
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公开(公告)号：CN101447643B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200810178670.7
申请日：2008-11-27
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01S5/18358 , B82Y20/00 , H01S5/1039 , H01S5/34326 , H01S2301/163
Abstract: 本发明涉及一种表面发射激光器和使用表面发射激光器形成的光学设备。表面发射激光器在第一分布式布拉格反射器和第二分布式布拉格反射器之间具有活性层。形成第一分布式布拉格反射器以便具有被包括在反射阻带中的谐振模和与谐振模不同的第一纵模以及被排除在反射阻带之外的与谐振模和第一纵模不同的第二纵模。在第一纵模和第二纵模下振荡被抑制。结果，表面发射激光器可在单纵模下振荡，从而抑制纵模跳跃。
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公开(公告)号：CN114175281B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202080054210.2
申请日：2020-07-28
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 提供了一种发光元件，该发光元件具有：第一有源层，通过注入电流来发射具有第一波长的光；第二有源层，通过吸收具有第一波长的光来发射具有不同于第一波长的第二波长的光；以及第一反射镜，在第一反射镜处具有第一波长的光的反射率大于具有第二波长的光的反射率，其中，第一反射镜被部署在比第一有源层和第二有源层靠近发射端的位置处，由第一有源层或第二有源层发射的光从发射端投射到外部。
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公开(公告)号：CN118825777A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410467251.4
申请日：2024-04-18
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 一种发光装置，包括：第一发光单元和第二发光单元；以及第一驱动布线和第二驱动布线，第一驱动布线被构造为驱动第一发光单元，第二驱动布线被构造为驱动第二发光单元。具有台面结构的多个发光元件布置在第一发光单元和第二发光单元中。第一驱动布线与第一发光单元中的台面结构的上表面电接触。第一驱动布线在第二发光单元中的台面结构的上表面上方延伸。第二发光单元中的台面结构的上表面和第一驱动布线通过绝缘膜电绝缘。
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