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公开(公告)号:CN102040700B
公开(公告)日:2013-06-05
申请号:CN201010505496.X
申请日:2010-10-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08F212/14 , C08F8/12 , G03F7/039
CPC classification number: G03F7/0392 , C08F8/12 , C08F212/14 , C08F212/32 , C08F220/18 , C08F2220/1825 , C08F2220/1833 , C08F2220/185 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , C08F220/30 , C08F230/08
Abstract: 提供一种使受保护的聚合物去保护的方法,在包含具有用酰基保护的酚羟基的单元结构的聚合物的去保护反应中,该方法能够在短时间段内使该聚合物脱去酰基同时保持其它结构,并且能够取出已脱去酰基的聚合物同时高度抑制已脱去酰基的聚合物被除了参与反应的聚合物之外的物质污染。更具体地,提供一种使受保护的聚合物去保护的方法,至少包括在有机溶剂中溶解所述受保护的聚合物和去保护试剂的步骤,所述受保护的聚合物至少包含具有用酰基保护的酚羟基的单元结构,所述去保护试剂选自由各自具有1.00以下的ClogP值的伯胺化合物或仲胺化合物,条件是在所述仲胺化合物中,耦合至氨基氮原子的两个碳原子的任一个都不是三代的。所述伯胺化合物或仲胺化合物各自优选由式HNR12-nR2n(1)表示。
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公开(公告)号:CN101625524B
公开(公告)日:2012-11-28
申请号:CN200910140187.4
申请日:2009-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0382 , Y10S430/114 , Y10S430/128
Abstract: 本发明是一种化学增幅型光阻组合物,其至少含有1种或2种以上的具有羧基且不含有共价键结于碱性中心即氮上的氢的胺化合物或氧化胺化合物,但排除胺及氧化胺的氮原子被包含于芳香环的环状结构的情形。由此,可提供一种化学增幅光阻材料等的光阻材料、及使用此材料的图案形成方法,该光阻材料在用于微加工的微影成像术且特别是使用KrF激光、ArF激光、F2激光、极短紫外线、电子射线、X射线等作为曝光光源的微影术中,可赋予高解像性,同时在基板界面也能赋予良好图案形状。
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公开(公告)号:CN102419510A
公开(公告)日:2012-04-18
申请号:CN201110214208.X
申请日:2011-07-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/78 , H01J2237/004 , H01J2237/31796
Abstract: 本发明提供一种层叠有电子束用光阻膜和有机导电性膜的被加工基板,所述被加工基板上至少依序层叠有电子束用光阻膜和有机导电性膜,所述被加工基板上具有导电性无机薄膜来作为表层,其特征在于:在所述被加工基板的被加工面,具有前述有机导电性膜与前述导电性无机薄膜一部分直接接触的区域。由此,提供一种被加工基板,其可有效率地进行去除静电,并且即便进行高电流密度的电子束照射,也可稳定地形成高精度光阻图案。
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公开(公告)号:CN102221783A
公开(公告)日:2011-10-19
申请号:CN201110122793.0
申请日:2011-02-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 提供一种化学放大正性抗蚀剂组合物,该组合物包括具有其中键合的胺结构的聚合物PB与包括具有用酸不稳定保护基保护的酸性侧链的重复单元和在侧链上具有酸产生部分的重复单元的聚合物PA。
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公开(公告)号:CN101982808A
公开(公告)日:2011-03-02
申请号:CN201010552383.5
申请日:2010-05-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/039 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/0397
Abstract: 一种包含聚合物的化学放大型抗蚀剂组合物,所述聚合物包含具有足够极性以赋予聚合物粘附力的单元和在酸作用下变为碱溶性的酸不稳定单元。所述聚合物包含具有通式(1)的重复单元,其中R1为H、F、CH3或CF3,Rf为H、F、CF3或CF2CF3,A是二价的烃基,R2、R3、R4为烷基、烯基、氧代烷基、芳基、芳烷基或芳氧代烷基。包含芳环结构的重复单元的存在量为≥60mol%,而具有通式(1)的重复单元的存在量<5mol%。
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公开(公告)号:CN101477307A
公开(公告)日:2009-07-08
申请号:CN200810154778.2
申请日:2008-06-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0046 , G03F7/0392
Abstract: 光掩模坯料具有抗蚀膜,该抗蚀膜包含(A)基础树脂,(B)产酸剂,和(C)碱性化合物。该抗蚀膜进一步包含(D)聚合物,该聚合物包含具有侧链的重复单元,该侧链带有氟化烃基,该氟化烃基包含与羟基键合的碳原子和与该碳原子键合的邻近碳原子,该邻近碳原子总计至少有两个与其键合的氟原子。聚合物(D)的加入确保整个抗蚀膜的均匀显影,能形成具有高CD均匀性的抗蚀图案。
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公开(公告)号:CN119219581A
公开(公告)日:2024-12-31
申请号:CN202410841838.7
申请日:2024-06-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07D307/12 , C07D309/06 , C07D305/06 , C07D319/12 , C07D493/08 , C07D333/16 , C07D335/02 , G03F1/22 , G03F1/24 , G03F7/20 , G03F7/42 , C08F8/00 , C08F8/34 , C08F212/14 , C08F212/32 , C08F220/20 , G03F7/004 , G03F7/039
Abstract: 本发明涉及缩醛修饰剂、聚合物、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明提供一种化学增幅正型抗蚀剂组成物,并提供用于制造该抗蚀剂组成物使用的基础聚合物的缩醛修饰剂、经该缩醛修饰剂修饰的聚合物、及使用该化学增幅正型抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案形成方法。给予成为脂肪族性或芳香族性羟基的保护基团的具有含氧原子或硫原子的环族饱和杂环的缩醛修饰剂、含有侧链具有芳香族性羟基被下式(AL‑1)或(AL‑2)表示的酸不稳定基团保护的结构的重复单元A1且因酸作用而脱保护成为碱可溶性的聚合物、及含有含该聚合物的基础聚合物的化学增幅正型抗蚀剂组成物。#imgabs0#
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公开(公告)号:CN114656341B
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202111587281.1
申请日:2021-12-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C43/23 , C07D493/18 , C07D307/00 , C07D495/18 , C07C69/712 , C07C69/78 , G03F7/038
Abstract: 本发明涉及醇化合物、化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题为提供高感度且溶解对比度优良,且可提供LER及CDU小且形状良好的图案的化学增幅负型抗蚀剂组成物、适合作为使用于该化学增幅负型抗蚀剂组成物中的交联剂的醇化合物、以及使用该化学增幅负型抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段为一种醇化合物,以下式(A1)表示。#imgabs0#
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公开(公告)号:CN117666284A
公开(公告)日:2024-03-08
申请号:CN202311143912.X
申请日:2023-09-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供可形成能形成具有极高的分辨率、LER小、矩形性优良、显影负载的影响及显影残渣缺陷受到抑制的图案的抗蚀剂膜的化学增幅正型抗蚀剂组成物,以及提供使用该化学增幅正型抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段是一种化学增幅正型抗蚀剂组成物,含有:经酸不稳定基团保护且因酸的作用而成为碱可溶性的基础聚合物;该基础聚合物包含含有下式(A1)表示的含酚性羟基的单元及下式(A2)表示的被酸不稳定基团保护的重复单元的聚合物,且该基础聚合物所含的聚合物的全部重复单元中,具有芳香环骨架的重复单元为65摩尔%以上。
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公开(公告)号:CN111665684B
公开(公告)日:2023-08-25
申请号:CN202010148552.2
申请日:2020-03-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及正型光阻抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题是提供PED稳定性优异、DOF特性优异、LWR良好、可形成拖尾受到抑制的形状的图案的正型抗蚀剂组成物、及使用该正型抗蚀剂组成物的图案形成方法。一种正型抗蚀剂组成物,含有:(A)下式(1)表示的第1鎓盐化合物;(B)下式(2)表示的第2鎓盐化合物;(C)基础聚合物,该基础聚合物含有下式(a)表示的含酸不稳定基团的重复单元、及视需要的下式(b)表示的含酸不稳定基团的重复单元,且其碱溶解性会因酸而改善(但是,含有下式(b)表示的含酸不稳定基团的重复单元时,酸不稳定基团的碳数为14以上者在全部重复单元中为5摩尔%以下的话,则亦可含有。);及(D)有机溶剂。
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