光阻组合物及图案形成方法

    公开(公告)号:CN101625524B

    公开(公告)日:2012-11-28

    申请号:CN200910140187.4

    申请日:2009-07-10

    CPC classification number: G03F7/0045 G03F7/0382 Y10S430/114 Y10S430/128

    Abstract: 本发明是一种化学增幅型光阻组合物,其至少含有1种或2种以上的具有羧基且不含有共价键结于碱性中心即氮上的氢的胺化合物或氧化胺化合物,但排除胺及氧化胺的氮原子被包含于芳香环的环状结构的情形。由此,可提供一种化学增幅光阻材料等的光阻材料、及使用此材料的图案形成方法,该光阻材料在用于微加工的微影成像术且特别是使用KrF激光、ArF激光、F2激光、极短紫外线、电子射线、X射线等作为曝光光源的微影术中,可赋予高解像性,同时在基板界面也能赋予良好图案形状。

    被加工基板、其制造方法及光阻图案的形成方法

    公开(公告)号:CN102419510A

    公开(公告)日:2012-04-18

    申请号:CN201110214208.X

    申请日:2011-07-22

    CPC classification number: G03F1/78 H01J2237/004 H01J2237/31796

    Abstract: 本发明提供一种层叠有电子束用光阻膜和有机导电性膜的被加工基板,所述被加工基板上至少依序层叠有电子束用光阻膜和有机导电性膜,所述被加工基板上具有导电性无机薄膜来作为表层,其特征在于:在所述被加工基板的被加工面,具有前述有机导电性膜与前述导电性无机薄膜一部分直接接触的区域。由此,提供一种被加工基板,其可有效率地进行去除静电,并且即便进行高电流密度的电子束照射,也可稳定地形成高精度光阻图案。

    化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法

    公开(公告)号:CN117666284A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311143912.X

    申请日:2023-09-06

    Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供可形成能形成具有极高的分辨率、LER小、矩形性优良、显影负载的影响及显影残渣缺陷受到抑制的图案的抗蚀剂膜的化学增幅正型抗蚀剂组成物,以及提供使用该化学增幅正型抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段是一种化学增幅正型抗蚀剂组成物,含有:经酸不稳定基团保护且因酸的作用而成为碱可溶性的基础聚合物;该基础聚合物包含含有下式(A1)表示的含酚性羟基的单元及下式(A2)表示的被酸不稳定基团保护的重复单元的聚合物,且该基础聚合物所含的聚合物的全部重复单元中,具有芳香环骨架的重复单元为65摩尔%以上。

    正型抗蚀剂组成物及图案形成方法

    公开(公告)号:CN111665684B

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN202010148552.2

    申请日:2020-03-05

    Abstract: 本发明涉及正型光阻抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题是提供PED稳定性优异、DOF特性优异、LWR良好、可形成拖尾受到抑制的形状的图案的正型抗蚀剂组成物、及使用该正型抗蚀剂组成物的图案形成方法。一种正型抗蚀剂组成物,含有:(A)下式(1)表示的第1鎓盐化合物;(B)下式(2)表示的第2鎓盐化合物;(C)基础聚合物,该基础聚合物含有下式(a)表示的含酸不稳定基团的重复单元、及视需要的下式(b)表示的含酸不稳定基团的重复单元,且其碱溶解性会因酸而改善(但是,含有下式(b)表示的含酸不稳定基团的重复单元时,酸不稳定基团的碳数为14以上者在全部重复单元中为5摩尔%以下的话,则亦可含有。);及(D)有机溶剂。

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