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公开(公告)号：CN1668786A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN03816590.2
申请日：2003-07-08
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/06
CPC classification number: H01L21/3225 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B25/20 , C30B29/06
Abstract: 本发明涉及外延生长用硅晶片，将通过柴克劳斯基法(CZochralski method－CZ法)掺杂氮，在至少晶片中心成为会发生空隙型缺陷的V区域的区域内培育的硅单晶加以切削，而制作成的硅晶片，是特征是在晶片表面出现的上述空隙型缺陷中，开口部尺寸是20nm以下的缺陷数目是0.02个/cm2以下的外延生长用硅晶片，及特征是在此外延生长用硅晶片的表面形成有外延层的外延晶片。由此，能够容易地以高生产性且低成本制成具有高吸杂能力、且在外延层上极少有对器件特性有不良影响的SF的高品质的外延晶片。
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公开(公告)号：CN111164241A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201880063993.3
申请日：2018-09-20
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 星亮二
Abstract: 本发明提供一种单晶硅的培育方法，其为利用CZ法培育高电阻率单晶硅的方法，该培育方法中，培育所述单晶硅时，计算有助于所述单晶硅的目标电阻率的掺杂剂浓度的1/3的值，以使施主所造成的载流子浓度变化量为所述计算值以下的方式，设定培育条件以控制培育的单晶硅中的轻元素杂质的浓度，并基于该设定的培育条件来培育具有所述目标电阻率的单晶硅，所述施主起因于可能在制造器件时形成于培育后的所述单晶硅中的所述轻元素杂质。由此，提供一种即使经过器件工序也能够抑制产生起因于轻元素杂质的施主、且能够抑制偏离目标电阻率的变化量的高电阻率单晶硅的培育方法。
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公开(公告)号：CN105247115B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201480030832.6
申请日：2014-05-08
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明涉及一种磷掺杂单晶硅的制造方法，其特征在于，通过MCZ法从掺杂有磷的硅熔融液中提拉单晶硅，以使所述磷掺杂单晶硅中的磷浓度达到2×1016atoms/cm3以上的方式来掺杂磷，使中心磁场强度为2,000高斯以上的方式对所述硅熔融液施加水平磁场，由此制造氧浓度为1.6×1018atoms/cm3(ASTM’79)以上的所述磷掺杂单晶硅。由此，提供一种使氧浓度为1.6×1018atoms/cm3(ASTM’79)以上且高浓度掺杂磷的单晶硅的制造方法。
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公开(公告)号：CN105814676B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201480066875.X
申请日：2014-11-12
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L22/12 , G01N15/06 , G01N27/00 , G01N27/04 , G01N27/041 , H01L22/14 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供一种单晶硅基板的缺陷浓度评价方法，其是对通过粒子束流的照射在单晶硅基板中形成的缺陷浓度进行评价的方法，在对所述单晶硅基板的电阻率进行测定后，对该单晶硅基板照射所述粒子束流，在该照射后，再次对所述单晶硅基板的电阻率进行测定，根据所述粒子束流的照射前后的电阻率测定结果，分别求出照射前后的单晶硅基板中的载流子浓度，并计算出载流子浓度的变化率，根据该载流子浓度的变化率，对通过所述粒子束流的照射形成在所述单晶硅基板中，并由硅原子空位构成的VV缺陷的浓度进行评价。由此，提供一种能够对通过粒子束流的照射形成在单晶硅基板中的VV缺陷的浓度进行简单评价的方法。
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公开(公告)号：CN106574395A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580044303.6
申请日：2015-06-19
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为用于通过切克劳斯基法生长单晶硅的单晶生长装置，其特征在于，该单晶生长装置具备：主腔室，其配置容纳原料熔液的石英坩埚和对该石英坩埚进行加热和保温的加热器；以及提拉腔室，其与该主腔室的上部连接，提拉并收纳生长的单晶硅，所述主腔室具备硅细棒插入器，所述硅细棒插入器能够将含有掺杂剂的多个硅细棒分别独立地插入所述原料熔液而使其熔融。由此，提供能够生长高电阻率的单晶硅的单晶生长装置及使用了该装置的单晶生长方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105814676A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201480066875.X
申请日：2014-11-12
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L22/12 , G01N15/06 , G01N27/00 , G01N27/04 , G01N27/041 , H01L22/14 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供一种单晶硅基板的缺陷浓度评价方法，其是对通过粒子束流的照射在单晶硅基板中形成的缺陷浓度进行评价的方法，在对所述单晶硅基板的电阻率进行测定后，对该单晶硅基板照射所述粒子束流，在该照射后，再次对所述单晶硅基板的电阻率进行测定，根据所述粒子束流的照射前后的电阻率测定结果，分别求出照射前后的单晶硅基板中的载流子浓度，并计算出载流子浓度的变化率，根据该载流子浓度的变化率，对通过所述粒子束流的照射形成在所述单晶硅基板中，并由硅原子空位构成的VV缺陷的浓度进行评价。由此，提供一种能够对通过粒子束流的照射形成在单晶硅基板中的VV缺陷的浓度进行简单评价的方法。
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公开(公告)号：CN1365403A
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：CN01800727.9
申请日：2001-03-27
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/06
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/203 , C30B15/206
Abstract: 本发明提供一种硅片及硅单晶的制造方法,对使用CZ法在V－多区域成为优势的条件下所培养的硅单晶棒进行切割得到镜面硅片,用粒子计数器计数粒子时,0.1μm尺寸以上的计数数目为1个/cm2以下。由此,提供一种使COP等缺陷的密度与尺寸更加减低,提高装置特性优良的高品质硅片的生产性,并减低成本的制造技术。
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公开(公告)号：CN115103934B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202080096689.6
申请日：2020-12-01
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种硅单晶的制造方法，其为在熔融开始前的原料中导入氮化硅粉末并通过切克劳斯基法提拉掺杂有氮的硅单晶的硅单晶的制造方法，其特征在于，基于所述氮化硅粉末中所包含的碳杂质量，以使硅单晶中的碳浓度在容许值以下的方式限制能够使用的氮化硅粉末的上限量，从而掺杂氮。由此，能够在达成低碳浓度规格的同时，以低成本实现目标的氮掺杂量。
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公开(公告)号：CN112639176B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN201980056306.X
申请日：2019-06-10
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明涉及一种单晶培育方法，其为基于直拉法(CZ法)或磁控拉晶法(MCZ法)的单晶培育方法，其包括：将装填在坩埚中的硅原料熔融形成熔融液的第一工序；使所述熔融液部分凝固形成凝固层的第二工序；在所述凝固层与所述熔融液共存的状态下，去除所述熔融液的至少一部分的第三工序；将所述凝固层熔融形成熔融液的第四工序；及由该熔融液培育单晶硅的第五工序。由此能够提供用一台CZ拉晶机进行硅原料的高纯度化和单晶培育、从而培育降低了杂质浓度的单晶的方法。
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公开(公告)号：CN110036143B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201780075050.8
申请日：2017-11-13
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种单晶硅制造方法，当对原料融液施加磁场并利用切克劳斯基法提拉单晶硅时，设定单晶硅的提拉直径为300mm以上，设定单晶硅的生长轴取向为＜111＞，设定单晶硅的提拉直径为D[mm]，设定原料融液表面的中心磁场强度为M[Gauss]，设定单晶硅的旋转速度为R[rpm]，以满足1096/D‑(0.134×M+80×R)/D＞0.7的关系的方式进行单晶硅的生长。由此，能够制造宏观上的RRG分布及微观上的电阻率变动良好的＜111＞结晶。
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