公开(公告)号：CN101584047A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200680004323.1

申请日：2006-02-07

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： 拉亚·夏尔马 ,  保罗·摩根·帕蒂森 ,  约翰·F·克丁 ,  中村修二

IPC: H01L29/22 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/22 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/10 ,  H01S5/1053 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种半导体发光二极管和其制作方法，其中在织构化表面上沉积含铟(In)发光层以及后续装置层。所得装置是无磷光体的白光光源。

公开(公告)号：CN102099976B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN200980128483.0

申请日：2009-06-01

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： D·A·科恩 ,  S·P·邓巴尔思 ,  中村修二

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01S5/3013 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2054 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3214 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

Abstract: 一种制造(Al、Ga、In)N激光二极管的方法，包括在第一温度下在生长衬底上沉积一个或多个III-N层，在第二温度下在第一温度沉积的层上沉积含铟激光器核心，在抑制激光器核心劣化的条件下进行所有随后的制造步骤，其中该条件是基本上低于第二温度的温度。