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公开(公告)号：CN106784011A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710177593.2
申请日：2017-03-23
申请人： 北京世纪金光半导体有限公司
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/0696 , H01L29/7803
摘要： 本发明公开了具有浪涌电压自抑和自过压保护的碳化硅UMOSFET器件元胞结构，该元胞结构的p‑well区分为三层，最上层位于U型槽的左右两侧，且与U型槽接触；中间层和最下层均由分别设置在元胞结构左右两侧的两部分构成，且二者的左右两部分均不接触；中间层的左右两部分与元胞结构竖向中轴向之间的距离大于最下层的左右两部分与元胞结构竖向中轴向之间的距离；即在元胞结构的漏极电流通路上引入一JFET结构。本申请通过在漏极电流通路上特意引入的JFET结构，自动调节器件导通电阻和自锁保护效应的同时还能够保持较小器件元胞尺寸。
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公开(公告)号：CN116632038A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310682516.8
申请日：2023-06-09
申请人： 北京世纪金光半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/161 , H01L29/66 , H01L29/78
摘要： 本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，半导体器件包括：相对键合固定的单晶硅晶圆和碳化硅晶圆，单晶硅晶圆与碳化硅晶圆之间具有第一绝缘层；碳化硅晶圆具有碳化硅外延层，碳化硅外延层具有相对的第一表面和第二表面，第一表面具有第一区域；单晶硅晶圆包括位于第一区域表面上的第一单晶硅区块；半导体器件包括第一MOS结构，第一MOS结构包括：位于第一区域表面内的第一源极；位于第一区域表面上的第一金属层，第一金属层与第一源极连接，且与第一单晶硅区块绝缘；位于第一区域表面上的第一栅极，第一单晶硅区块复用为第一MOS结构的第一栅极；位于碳化硅晶圆背离单晶硅晶圆一侧的第一漏极。
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公开(公告)号：CN116344588A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310565977.7
申请日：2023-05-18
申请人： 北京世纪金光半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/16 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 本申请公开了一种SiC MOSFET器件及其制备方法，该SiC MOSFET器件通过在漂移区形成多个间隔排布的反型注入区，使任相邻两个反型注入区和介于该相邻两个反型注入区之间的漂移区构成JFET区，即JFET区向衬底方向延伸，从而使最大电场位置远离器件表面而向漂移区内部转移，还使得最大电场位置和最大电流密度集中的沟道区域相分离，且漂移区电流密度分布更加均匀，因此，器件在短路后的热点不再集中于沟道附近的器件表面，而是更靠近衬底，且更均匀地分布在漂移区，以减少栅氧化层和栅极金属熔化的失效概率，延迟热逃逸发生时间，降低热点温度，提高器件抗短路耐受能力，增大器件短路耐受时间。
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公开(公告)号：CN111755497B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201810614318.7
申请日：2018-06-14
申请人： 北京世纪金光半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/329
摘要： 本发明公开了一种功率器件JTE和掩埋FLR复合终端结构及其制作方法。该新型终端结构主要由三种结构组合而成：在N型（或P型）外延耐压层的结终端区域的上层是与外延层相反掺杂的P型层（外延是P型时则为N型），同时在上层P型层中有离散的多个沟槽环，沟槽中填入了SiO2或其他High‑K介质；在每个沟槽的正下方还有与外延层相反掺杂的P型环掩埋场限环结构，这些P型环的上部与上层的P型层相连接，由此构造成上层是JTE结构，下层是掩埋场限环FLR的复合结构耐压终端。该复合终端结构工艺简单，对JTE浓度或FLR环宽、间距的工艺偏差以及表面电荷不敏感，同时能大幅提高器件终端的耐压能力和减少所需耐压终端的芯片面积。
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公开(公告)号：CN106960852B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201710128147.2
申请日：2017-03-06
申请人： 北京世纪金光半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/144 , H01L31/107
摘要： 本发明公开了具有漂移沟道的紫外雪崩光电二极管探测器，该探测器的每个器件单元从上至下依次包括CE电极、SiO2层、N‑CHANNEL、P‑well或N‑well、衬底和背面电极；CE电极嵌入在SiO2层的中心；P‑well或N‑well由对称设置在器件单元左右两侧的两部分构成；N‑CHANNEL设在SiO2层下方，两部分P‑well或N‑well的上方；N‑CHANNEL的上部中心设置有点状雪崩二极管，点状雪崩二极管与CE电极电连通；SiO2层上由内到外依次设置有内漂移环、外漂移环和接地GND，接地GND与P‑well或N‑well电连通。本申请的探测器在雪崩倍增高场区域比较小的同时保证大面积的光探测区域，提高了量子效率；减小雪崩区域的面积，有助于减小暗电流和暗激发，同时对于晶片质量和缺陷的容忍度提高，防止了大面积雪崩倍增高场区在缺陷位置的提前击穿。
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公开(公告)号：CN111725291A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201810613402.7
申请日：2018-06-14
申请人： 北京世纪金光半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/06
摘要： 本发明公开了JTE内嵌多沟槽复合终端结构功率器件及制作方法；自上而下依次层叠设置有P型区、外延层、衬底层和阴极，阳极设置在P型区；在外延层的上方设置有P+区和JTE，所述P+区和所述JTE的一端连接；所述JTE顶部设置有若干个沟槽环，所述沟槽环中填有High-K介质。本申请的新型复合终端耐压结构工艺简单，对JTE浓度敏感性降低，同时能提高器件终端的耐压能力和减少所需耐压终端的芯片面积；同时终端的N型抗浪涌电流增强层Surge layer在正向导通时大的浪涌电流下还能起到分流作用，增强器件的抗浪涌电流能力。
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公开(公告)号：CN111653626A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201810494560.5
申请日：2018-05-22
申请人： 北京世纪金光半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
摘要： 本发明公开了一种具有深沟槽和侧壁注入的碳化硅超结SBD器件元胞结构，所述元胞结构的N-外延层中设置有若干个深沟槽，深沟槽的侧壁及底部注入或二次外延工艺构造一圈P Plus，然后在深沟槽的底部填入High-K介质或SiO2，然后上部的其余部分中填入P型掺杂的多晶硅或金属，并与肖特基区的肖特基接触金属相连，填充的金属部分与侧壁也构成肖特基接触。本申请通过在碳化硅SBD器件元胞中结合深沟槽结构和与其相连P Plus结构，构造出一种新颖的超结器件，能避免传统超结结构的深注入或多次外延工艺的难度，进一步降低器件正向导通损耗，增强SBD器件的耐压能力，可靠性和抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN107706096A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201711063523.0
申请日：2017-11-02
申请人： 北京世纪金光半导体有限公司
CPC分类号： H01L21/0485 , H01L29/45
摘要： 本发明公开了一种碳化硅功率芯片背面减薄和制备欧姆接触的方法及产品，该方法为：假设原来设计需要减薄掉目标值为A，首先采用金刚石砂轮研磨减薄掉厚度C，然后采用深孔刻蚀在背面蚀刻出均匀间隔的深孔阵列，孔的深度约为B；其中，A＝B+C；在完成背面减薄和深孔刻蚀后制备欧姆接触，其方法为：先背面高浓度离子注入，然后通过紫外激光激活退火激活所注入离子，再蒸发或溅射金属形成欧姆接触；或者不做背面离子注入，直接蒸发或溅射一层金属Ni或Ni与其他金属的合金，然后通过RTA或紫外激光退火使金属与背面的SiC间直接形成欧姆接触。本申请通过结合背面研磨、背面深孔刻蚀和RTA或紫外激光退火工艺,可以减少金刚石砂轮的耗量，降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN106816437A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710129027.4
申请日：2017-03-06
申请人： 北京世纪金光半导体有限公司
CPC分类号： H01L27/0623 , H01L21/8213
摘要： 本发明公开了一种集成电流传感器的SiC晶体管器件，所述SiC晶体管器件的源极一侧、有源区内按设定比例均匀选取若干个原胞作为源传感器，其他的原胞作为器件源极的原胞，即主原胞；同时采用源极的多层布线方式使源极压块金属与所述源传感器的压块金属处于一个平面上；所述源传感器的栅极与SiC晶体管器件的栅极都是相连的，共用栅极压块金属，并且共用漏极。本申请不仅可以实时地监控芯片的电流，而且能够全面地反应整个芯片内的电流状况；可以得到实时的、非常准确的数据；以利于系统进行及时的控制保护。
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公开(公告)号：CN116314266A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310249555.9
申请日：2023-03-10
申请人： 北京世纪金光半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 本发明提供了一种超级结结构及其制备方法，该超级结结构包括：衬底、外延层，以及位于外延层背离衬底一侧的凹槽；外延层包括多个分压层和围绕凹槽的掺杂区域，分压层相邻凹槽的一侧延伸至掺杂区域内，衬底与外延层的掺杂类型相同，衬底与分压层的掺杂类型不同，分压层与掺杂区域的掺杂类型相同。该超级结结构中的凹槽和围绕凹槽周围的掺杂区域可以构成内终端结构，并且使分压层匹配这种内终端结构，从而实现内部源漏电压的分压，提供空穴电流的通路，优化了开关性能；通过分压层还可以将电位连接至相同高度下的整个平面，以实现外延层的局部耗尽，减少外延层耗尽的空间电荷对纵向电场的贡献，可以达到降低导通电阻的效果。
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