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公开(公告)号：CN102345107A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010242937.1
申请日：2010-08-02
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: C23C14/48
Abstract: 本发明公开了一种离子注入机的定向台用的滑动和旋转轴密封组件，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。该结构包括：本发明采用一个阶梯状的升降旋转轴，两个密封座盖，两个上密封座，上密封座和密封座间的两个O型圈，一个密封座，一个密封卡套接头，两个抱轴且带自润滑特性的轴套，两个唇形密封圈，一个端面密封用O型圈。所述的密封组件的阶梯滑动旋转轴是的阶梯状的，它上有多个阶梯，所述的密封座压盖用于压盖住唇形密封圈，上密封座上留有安装唇形密封圈的槽，上密封座安装密封座的两端，两者面间密封是O型圈，在密封座和上密封座的分界面有加强密封和润滑的抱轴轴套，密封座上的轴孔大于升降和旋转轴的轴径0.5mm，座上横向开有孔通向轴孔，横向孔连接有卡套接头，用于真空抽气。本发明原理简单，采用的标准件市场易购，滑动和旋转密封的漏气率微小，结构耐用可靠。
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公开(公告)号：CN101764031A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200810238900.4
申请日：2008-12-04
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/02 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种应用于半导体制造离子注入工艺中所应用的离子注入机磁四极透镜管道，它包括一个密封管道、一个抽气管道、一个连接法兰。这三件零件焊接成为一个整体或整体铸造成型。本发明通过管道外形的优化设计，提高了管道容积，增大了真空系统的抽气流导，缩短了注入机真空系统建立的时间，提高了生产效率，且安装及维修性能好。
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公开(公告)号：CN101436523A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200710175964.X
申请日：2007-10-17
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/265 , G01B21/02 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开了一种精确测量离子束束斑宽度的装置和方法，涉及离子注入机，属于半导体集成电路器件制造领域。该装置包括移动法拉第杯、剂量采样法拉第杯、剂量检测器、数控扫描发生器、电机运动控制器、控制计算机。由计算机协调各部分动作并进行控制。测量方法包括移动法拉第杯沿水平方向穿过靶室；在移动法拉第杯停顿的每个位置点，对离子束流进行采样；采样信号经剂量检测器进行放大和模数转换后送给控制计算机存储；控制计算机同时记录对应的移动法拉第杯位置编码；在移动法拉第杯水平穿过整个靶室后，控制计算机根据得到的位置和束流数据计算出离子束斑的宽度值，计算公式为：W＝p2－p1，p1－移动法拉第杯第一次采样到半束流的位置值；p2－移动法拉第杯第二次采样到半束流的位置值。本发明能够自动实现离子束斑宽度的精确测量，精度达7μm。
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公开(公告)号：CN1564309A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410023102.1
申请日：2004-04-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十八研究所 , 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01L21/265 , H01J37/317
Abstract: 本发明为一种强流氧离子注入机的晶片自转动装置，包括正面有多个晶片放置位置的靶盘7，所述靶盘7的各晶片放置位置的中心部位有安装了滚珠轴承2、8的贯通轴孔9，对应于晶片放置位置的靶盘1的后部装有微型电动机1且其电动机转轴6装在所述贯通轴孔9的相应滚珠轴承2上并同装有滚珠轴承8的硅衬转盘轴5的一端相连接，该硅衬转盘轴5的另一端同安装在靶盘正面用于放置晶片3的硅衬转盘4中心部位相连接。应用本发明可以使强流氧离子注入机的晶片剂量均匀性达到≤1％，很好地克服了已有技术晶片注入剂量不均匀、颜色特征不一致的问题，从而得到均匀性好的晶片。
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公开(公告)号：CN103094033A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110347060.7
申请日：2011-11-07
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/08
CPC classification number: H01J37/24 , H01J37/08 , H01J2237/065 , H01J2237/2485
Abstract: 一种双灯丝离子源弧流平衡调节方法，它包括：灯丝电源1(1)、灯丝电源2(2)、偏置电源1(3)、偏置电源2(4)、弧压电源(5)、比较器1(6)、比较器2(7)、两个霍尔传感器(8)。灯丝电源1(1)和2(2)用来给离子源的灯丝加热，当灯丝加热温度达到一定程度时，灯丝就会发射电子，偏置电源1(3)和2(4)加在阴极与灯丝之间，使得电子以一定能量打到阴极上，形成偏流。同样阴极在持续的轰击下，阴极表面发射电子，弧压电源(5)连接在弧室与阴极之间，电子在弧压电场作用下，向弧室运动，最终吸附到弧室上形成弧流。首先，调节灯丝电源1(1)，直至偏流达到设定值，在调节偏置电源1(3)，电子在弧压电场作用下，使其形成的弧流值与设定值相等。然后以灯丝电源1(1)和偏置电源1(3)为基准，分别调节灯丝电源2(2)和偏置电源2(4)。通过检测的电流反馈值，不断调节电源的输入值，直到偏流和弧流均与设定值相等。这样的双闭环控制，能达到双灯丝离子源平衡弧流的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102956427A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110241154.6
申请日：2011-08-22
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 本发明公开了一种宽带束流离子源引出电极运动控制系统，包括：主控计算机(1)、光纤通信卡(2)、四轴电机运动控制卡(3)、Y1轴直流电机(4)、Y2轴直流电机(5)、Z1轴直流电机(6)、Z2轴直流电机(7)、Y1轴直线位移电位器(8)、Y2轴直线位移电位器(9)、Z1轴直线位移电位器(10)、Z1轴直线位移电位器(11)、条行引出电极(12)。其特征在于光纤通信卡(2)插在主控计算机(1)的PCI插槽上，光纤通信卡(2)和四轴电机运动控制卡(3)之间通过光纤连接传递信号，四轴电机运动控制卡(3)通过控制四个直流电机的运动，经过丝杠传动，调整引出电极在Y1轴、Y2轴、Z1轴、Z2轴四个方向的位移，从而使引出电极的引出缝和离子源腔体的引出缝在同一水平面上，并且保持平行，距离可调。
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公开(公告)号：CN102956421A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110241135.3
申请日：2011-08-22
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开了一种用于离子注入机的离子源灯丝及其夹持装置。一种离子注入机用离子源，可以产生宽带束或扁状带束，为使其正常工作发明一种灯丝及灯丝夹持装置，以产生稳定的强电子。主要包括：灯丝(1)、灯丝联接杆(2)、石墨支撑板(3)、绝缘陶瓷座(4)、丝夹(5)和电源输入带(6)等。该装置特征在于，采用特别的灯丝(1)安装于灯丝联接杆(2)上，并采用特别的丝夹(5)联接灯丝联接杆(2)和电源输入带(6)；灯丝(1)的设计可以发射高强度电子，丝夹(5)可以牢固的固定灯丝联接杆(2)，并起到输送高压的作用。说明书对装置工作原理进行了详细的说明，并给出了具体的实施方案。
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公开(公告)号：CN102534536A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010621900.X
申请日：2010-12-27
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅片台多轴运动装置，主要包括：硅片台自转机构(1)、硅片台倾斜机构(2)、竖直和摆动运动机构(3)和机架(4)。所述的硅片台自转机构(1)置于硅片台倾斜机构(2)上；所述的硅片台倾斜机构(2)置于竖直和摆动运动机构(3)上；所述的竖直和摆动运动机构(3)置于机架(4)上。其特征在于，硅片台自转机构(1)可以绕硅片台中心旋转；硅片台自转机构(1)可以垂直于硅片台面转动；硅片台倾斜机构(2)可以摆动旋转和竖直运动，从而实现硅片台的多角度运动扫描。
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公开(公告)号：CN102446682A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010513564.7
申请日：2010-10-13
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/21 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开了一种离子注入低能透镜，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。该结构包括：入口电极(1)、出口电极(2)、中间聚焦电极(3)、安装法兰(4)、两个连接棒(5)、绝缘供电连接(6)。所述的入口电极(1)、出口电极(2)分别与连接棒(5)的一端连接，连接棒(5)的另一端连接到安装法兰(4)；所述的安装法兰(4)用于固定连接棒(5)和绝缘供电连接(6)，处在地电位；所述的中间聚焦电极(3)和绝缘供电连接(6)连接，与入口电极(1)、出口电极(2)之间绝缘；所述的绝缘供电连接(6)一端连接中间聚焦电极(3)，另一端连接外部电源，向聚焦电极(3)供电，连接电源端具有两个连接口，可用于检测实际供电状态。入口电极(1)、出口电极(2)和中间聚焦电极(3)共同组成膜片透镜结构，实现了在低能模式下对离子束实行先扩散后聚焦，总体实现的聚焦的作用。
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公开(公告)号：CN102446680A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010514098.4
申请日：2010-10-13
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开了一种有效提高多电荷离子产额的新型发射电子阴极，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。该结构包括：一个凹形发射面、一个圆柱屏蔽筒及圆心处一个中心固定杆；所述的凹形发射面为高纯钨材料，圆形片状块结构，离子源通过它发射电子；所述的圆柱屏蔽筒为高纯钨材料，圆筒结构，与凹形发射面连接在一起，对内置灯丝起屏蔽保护作用；所述的中心固定杆通过圆柱屏蔽筒中心并支撑固定凹形发射面及圆柱屏蔽圆筒。本发明中所述的发射电子阴极结构采用凹型弧面代替一般的平面结构，使阴极发射的电子在放电弧室中心区域相对更加集中，从而提高气体分子电离效率而有效提高离子源多电荷离子产额；同时连接简单、稳定可靠，热变形小及使用寿命长特点，保证离子源长期工作的稳定可靠性。
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