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公开(公告)号：CN103094033A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110347060.7
申请日：2011-11-07
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/08
CPC分类号： H01J37/24 , H01J37/08 , H01J2237/065 , H01J2237/2485
摘要： 一种双灯丝离子源弧流平衡调节方法，它包括：灯丝电源1(1)、灯丝电源2(2)、偏置电源1(3)、偏置电源2(4)、弧压电源(5)、比较器1(6)、比较器2(7)、两个霍尔传感器(8)。灯丝电源1(1)和2(2)用来给离子源的灯丝加热，当灯丝加热温度达到一定程度时，灯丝就会发射电子，偏置电源1(3)和2(4)加在阴极与灯丝之间，使得电子以一定能量打到阴极上，形成偏流。同样阴极在持续的轰击下，阴极表面发射电子，弧压电源(5)连接在弧室与阴极之间，电子在弧压电场作用下，向弧室运动，最终吸附到弧室上形成弧流。首先，调节灯丝电源1(1)，直至偏流达到设定值，在调节偏置电源1(3)，电子在弧压电场作用下，使其形成的弧流值与设定值相等。然后以灯丝电源1(1)和偏置电源1(3)为基准，分别调节灯丝电源2(2)和偏置电源2(4)。通过检测的电流反馈值，不断调节电源的输入值，直到偏流和弧流均与设定值相等。这样的双闭环控制，能达到双灯丝离子源平衡弧流的方法。
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公开(公告)号：CN102737937B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201210099031.8
申请日：2012-04-06
申请人： FEI公司
IPC分类号： H01J37/26 , H01J37/244
CPC分类号： H01J37/26 , H01J37/244 , H01J37/302 , H01J2237/0203 , H01J2237/043 , H01J2237/065 , H01J2237/22 , H01J2237/2441 , H01J2237/24455 , H01J2237/24507 , H01J2237/26 , H01J2237/262 , H01J2237/2802
摘要： 本发明涉及在带电粒子射束设备中保护辐射检测器的方法。本发明涉及一种在TEM中保护直接电子检测器（151）的方法。本发明包括在设置新的射束参数诸如改变聚光透镜（104）、投影器透镜（106）和/或射束能量的激发之前预测检测器上的电流密度。该预测是使用光学模型或者查表实现的。当预测的检测器暴露小于预定数值时，实现所期改变，否则产生警告消息并且推迟设置的改变。
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公开(公告)号：CN102737937A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210099031.8
申请日：2012-04-06
申请人： FEI公司
IPC分类号： H01J37/26 , H01J37/244
CPC分类号： H01J37/26 , H01J37/244 , H01J37/302 , H01J2237/0203 , H01J2237/043 , H01J2237/065 , H01J2237/22 , H01J2237/2441 , H01J2237/24455 , H01J2237/24507 , H01J2237/26 , H01J2237/262 , H01J2237/2802
摘要： 本发明涉及在带电粒子射束设备中保护辐射检测器的方法。本发明涉及一种在TEM中保护直接电子检测器（151）的方法。本发明包括在设置新的射束参数诸如改变聚光透镜（104）、投影器透镜（106）和/或射束能量的激发之前预测检测器上的电流密度。该预测是使用光学模型或者查表实现的。当预测的检测器暴露小于预定数值时，实现所期改变，否则产生警告消息并且推迟设置的改变。
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公开(公告)号：CN103198990A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310005725.5
申请日：2013-01-08
申请人： FEI公司
IPC分类号： H01J9/44
CPC分类号： H01J37/00 , G01T1/29 , H01J37/02 , H01J37/073 , H01J2237/06316 , H01J2237/06341 , H01J2237/065
摘要： 本发明涉及来自场发射源的发射参数的确定。通过电流如何随引出电压而变的测量可以确定发射体的状态。由在不同条件下发射的带电粒子的一系列相对简单的测量结果来确定场形因数β函数。然后可以使用该场形因数来确定发射的导出特性，在现有技术中是难以在不将源从聚焦镜筒移除并将其安装在专用设备中的情况下确定它们的。该关系式是由源配置确定的且已经发现其独立于发射体形状，并且因此可以随着发射体形状随时间推移而变来确定发射特性，而不必确定发射体形状且不必重新定义场形因数与所述一系列相对简单测量结果之间的关系式以及场形因数与其他发射参数之间的关系。
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公开(公告)号：CN102934195A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180027850.5
申请日：2011-04-21
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/16 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/065 , H01J2237/0815 , H05H1/30
摘要： 揭示一种离子源(200)，其能够利用电感耦合等离子生产来产生高密度宽带离子束。与常规电感耦合等离子源相反，本揭示所描述的电感耦合等离子源不是圆柱形的。事实上，将所述源界定成使得其宽度(w)大于其高度(h)，所述宽度(w)为沿着其提取所述束的维度。可界定所述源的深度(d)，使从天线(203)到等离子的能量转移最大化。在另一实施例中，使用包围所述电感耦合等离子源的多尖形磁场(210，211，212)，进一步增加电流密度且改良所提取的离子束的均匀性。亦可通过包含气流率以及输入射频功率的若干个独立的控制要素来控制离子束的均匀性。
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公开(公告)号：CN1838362A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610071790.8
申请日：2006-03-22
申请人： 精工爱普生株式会社
发明人： 吉田真
CPC分类号： H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/3165 , H01J2237/06341 , H01J2237/065 , H01J2237/2614
摘要： 一种电子发射元件的制造方法，具有：将包含形成导电性膜(85)的材料的功能液(80)，由喷出头(15)作为液滴(63)向所述元件电极(81、82)之间喷出的液滴喷出工序；干燥液滴的干燥工序；在一对元件电极(81、82)之间进行通电处理，形成电子发射部(87)的电子发射部形成工序。在液滴喷出工序中，由液滴(63)形成的液膜(83)，在电子发射部形成工序中，利用产生的焦耳热，容易形成电子发射部(87)地形成具有缩颈部84的形状。提供能够使电子发射元件的制造更容易的电子发射元件及电子发射元件的制造方法、显示装置及电子机器。
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公开(公告)号：CN102439683B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201080020420.6
申请日：2010-04-22
申请人： 瓦里安半导体设备公司
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/024 , H01J37/09 , H01J2237/0451 , H01J2237/0453 , H01J2237/0456 , H01J2237/065 , H01J2237/08 , H01J2237/083 , H01J2237/31 , H01J2237/31701 , Y10S438/961
摘要： 一种离子源，包括具有萃取孔隙的电弧室及等离子体鞘调制器。等离子体鞘调制器被装配以控制边界的形状，上述边界位于等离子体与接近萃取孔隙的等离子体鞘之间。等离子体鞘调制器可包括一对绝缘体，此对绝缘体安置于电弧室中且藉由安置于接近萃取孔隙的间隙来隔开。具有高电流密度的聚焦良好的离子束可藉由离子源产生。高电流密度离子束可改善相关制程的产出。离子束的发射率也可被控制。
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公开(公告)号：CN102449739A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080024190.0
申请日：2010-04-01
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 科斯特尔·拜洛 , 杰·T·舒尔 , 艾力克斯恩德·S·培尔
IPC分类号： H01L21/265 , H05H1/24 , H05H1/34
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/065 , H01J2237/0815 , H01L31/0288 , H01L31/1804 , H01L31/206 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种离子源，其能够使用一或多个等离子源产生高密度宽带离子束。除了所述等离子源，所述离子源亦包含扩散腔。所述扩散腔具有沿与所述等离子源的介电圆柱体相同的轴定向的提取孔径。在一实施例中，位于所述扩散腔的相对末端上的双等离子源用于形成更均一的提取离子束。在又一实施例中，多尖峰磁场用于进一步改良提取离子束的均一性。
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公开(公告)号：CN102439683A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201080020420.6
申请日：2010-04-22
申请人： 瓦里安半导体设备公司
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/024 , H01J37/09 , H01J2237/0451 , H01J2237/0453 , H01J2237/0456 , H01J2237/065 , H01J2237/08 , H01J2237/083 , H01J2237/31 , H01J2237/31701 , Y10S438/961
摘要： 一种离子源，包括具有萃取孔隙的电弧室及等离子体鞘调制器。等离子体鞘调制器被装配以控制边界的形状，上述边界位于等离子体与接近萃取孔隙的等离子体鞘之间。等离子体鞘调制器可包括一对绝缘体，此对绝缘体安置于电弧室中且藉由安置于接近萃取孔隙的间隙来隔开。具有高电流密度的聚焦良好的离子束可藉由离子源产生。高电流密度离子束可改善相关制程的产出。离子束的发射率也可被控制。
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公开(公告)号：CN103198990B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310005725.5
申请日：2013-01-08
IPC分类号： H01J9/44
CPC分类号： H01J37/00 , G01T1/29 , H01J37/02 , H01J37/073 , H01J2237/06316 , H01J2237/06341 , H01J2237/065
摘要： 本发明涉及来自场发射源的发射参数的确定。通过电流如何随引出电压而变的测量可以确定发射体的状态。由在不同条件下发射的带电粒子的一系列相对简单的测量结果来确定场形因数β函数。然后可以使用该场形因数来确定发射的导出特性，在现有技术中是难以在不将源从聚焦镜筒移除并将其安装在专用设备中的情况下确定它们的。该关系式是由源配置确定的且已经发现其独立于发射体形状，并且因此可以随着发射体形状随时间推移而变来确定发射特性，而不必确定发射体形状且不必重新定义场形因数与所述一系列相对简单测量结果之间的关系式以及场形因数与其他发射参数之间的关系。
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