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公开(公告)号：CN114211070B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202111681898.X
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及钎焊技术领域，具体涉及一种Sn基钎料焊点重熔晶体取向制备方法，具体提供一种Sn/Ag/Bi/In钎料，其成份及重量百分比为：Ag：3.5，Bi：0.5，In：8.0，Sn：余量；所述钎料为膏状钎料；本发明钎料中的合金元素增多，可使Sn基钎料焊点的熔点降低至193～209℃，能够在更低的温度参数下进行软钎焊，保证芯片焊接损耗率更低；本发明钎料在重熔后形成焊点，Sn焊点的硬度的各向异性影响降低，焊点的力学性能提高，强度变得均匀。
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公开(公告)号：CN116728017A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310831227.X
申请日：2023-07-07
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及属于材料制备与连接技术领域，本发明公开了一种能够控制微小线性焊点尺寸的方法，包括：获取若干个特定结构的铜棒，且铜棒的端面为正方形；对铜棒进行预处理，获取待焊接铜棒，对待焊接铜棒的表面进行处理，获取处理后的铜棒；按照预设的空间位置，固定两个处理后的铜棒，并放置于干燥皿中等待凝固，对凝固后的处理后的铜棒填充焊膏，对处理后的铜棒进行焊接，获取对接焊棒；将对接焊棒固定在PCB板上进行减薄处理，获取减薄处理后的对接焊棒；对接近所需尺寸的所述对接焊棒进行抛磨处理，控制微小线性焊点尺寸。本发明通过特制的焊接载体和打磨平台，保证焊点表面得到充分抛光，使线性焊点尺寸完整、图像清晰的要求。
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公开(公告)号：CN114226901B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111667742.6
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本申请公开了一种多双孪晶组和细小晶粒构成的多晶结构焊点生成方法，包括：对预制的多系焊球进行处理，得到备用焊球；对PCB板进行焊前预处理，得到备用PCB板；对备用焊球进行第一次焊接处理，使备用焊球与备用PCB板上的铜结合，得到凸焊点；对凸焊点进行去锡操作，得到IMC焊盘；对IMC焊盘和备用焊球进行第二次焊接处理，得到IMC凸焊点；对IMC凸焊点进行第三次焊接处理，得到多晶结构焊点。本申请通过形成多双孪晶组和细小晶粒构成的多晶结构焊点，降低焊点内部Sn取向不利的现象，延长焊点可靠性和使用寿命。本申请方法工艺简单，成本低廉，制作出焊点尺寸可控。
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公开(公告)号：CN114012538B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202111400806.6
申请日：2021-11-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本申请公开了一种能够控制一维线性对接焊点尺寸的方法，包括：对待焊接的两根铜棒进行焊前预处理，得到两根待焊铜棒；按照预设的空间位置对两根待焊铜棒进行焊接操作，得到一维线性对接焊棒；使用定制树脂制作打磨平台，对一维线性对接焊棒进行打磨处理，得到初始线性对接焊点；对初始线性对接焊点进行抛磨处理，得到成品线性对接焊点。本申请能够实现精确控制一维线性对接焊点的尺寸，同时获得的对接接头能够满足拉伸、蠕变、时效、电迁移测试的各种要求。
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公开(公告)号：CN114211075A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111659851.3
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种通过改变焊接参数改变Sn基钎料焊点重熔晶体取向的方法，涉及材料制备与连接技术领域，以SABI钎料为原料，重熔温度为245℃～310℃，可应用于基体材料主要为Cu/Ni UBM的电子封装元器件的低温钎焊，通过工艺参数设定，得到的焊点晶体取向与普通钎料如SAC305的晶体取向不同，焊点内部晶向彼此交互交叉相互掺杂，且晶向碎且乱，形成交叉晶和多双孪晶，交叉晶和多双孪晶的存在使Sn基焊点的各向异性程度大大降低，性能均匀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113953730B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202111400740.0
申请日：2021-11-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K37/00 , B24B41/06 , B23K101/42
Abstract: 本申请公开了一种能够精确控制一维线性对接焊点抛光质量的抛光组件，包括一维线性对接焊棒和焊棒载体；一维线性对接焊棒的截面为正方形；一维线性对接焊棒由第一铜棒、第二铜棒和对接焊点组成，对接焊点将第一铜棒和第二铜棒对接焊接；焊棒载体用于承载一维线性对接焊棒，并且包裹一维线性对接焊棒的三个侧面，一维线性对接焊棒只有一个侧面可见。本申请通过对抛光组件进行改良组装，使得线性焊点的抛光表面在抛光时既能充分得到抛光处理，又能很大程度减少由于施力不均而产生曲面的影响，满足焊点表面在进行扫面电镜和电子背散射衍射测试时尺寸完整、图像清晰的要求。
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公开(公告)号：CN114152862B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202111400563.6
申请日：2021-11-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本申请公开了避免线性焊点电迁移过程热影响的测试组件及其制作方法，包括线性对接焊接铜棒、基底板和结构板；线性对接焊接铜棒包括线性焊点、第一铜棒和第二铜棒；线性焊点位于第一铜棒和第二铜棒之间，与第一铜棒和第二铜棒焊接连接；结构板包裹该线性对接焊接铜棒，线性对接焊接铜棒的截面为长方形，线性对接焊接铜棒只有一个侧面可见；基底板用于承载结构板。本申请克服了一维线性焊点在传统方法通电时产生的热应力不均的难点，有利于电迁移过程中对界面金属间化合物演变行为的表述，能够准确评价线性焊点对接接头可靠性；进一步的，大幅减少了由于热应力对焊点产生的实验误差，满足了电迁移测试时只需考虑通电时间的唯一变量要求。
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公开(公告)号：CN114211075B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202111659851.3
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种通过改变焊接参数改变Sn基钎料焊点重熔晶体取向的方法，涉及材料制备与连接技术领域，以SABI钎料为原料，重熔温度为245℃～310℃，可应用于基体材料主要为Cu/Ni UBM的电子封装元器件的低温钎焊，通过工艺参数设定，得到的焊点晶体取向与普通钎料如SAC305的晶体取向不同，焊点内部晶向彼此交互交叉相互掺杂，且晶向碎且乱，形成交叉晶和多双孪晶，交叉晶和多双孪晶的存在使Sn基焊点的各向异性程度大大降低，性能均匀。
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公开(公告)号：CN116399746A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310386215.0
申请日：2023-04-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开一种用于纳米银焊膏热疲劳测试结构及其制作方法，属于功率电子器件封装技术领域，包括基板，基板上方设置有阵列烧结层，阵列烧结层上方设置有芯片，基板与芯片通过阵列烧结层形成互联结构；阵列烧结层由若干个连续设置的纳米银层构成，相邻两纳米银层之间设置有间隙，若干个纳米银层围成正方形结构，且若干个纳米银层沿芯片的边缘设置。本发明能够保证互联结构在热疲劳载荷下具有更集中的应力，解决了传统结构在测试热疲劳可靠性高的纳米银焊膏时效果不明显的问题，缩短了测试时间。
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公开(公告)号：CN114211068B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202111660949.0
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开一种通过预制IMCs焊盘形成全IMCs结构焊点的方法，属于材料制备与连接领域，适用于制备全IMCs的微型钎焊对接接头，应用于微电子连接的力学、热学以及电学的可靠性研究，其通过以下步骤实现：焊料漏印；将焊料加热重熔形成焊球；依据尺寸要求挑选焊球；将焊球置于印制电路板表面的铜片上，加热重熔结合且形成凸点结构；腐蚀凸点结构；制成两个IMCs焊盘；加热重熔使IMCs焊盘结合；对IMCs焊盘的焊点进行研磨、精抛，最终获得全IMCs焊点。本发明能够避免Sn基焊料中Sn各向异性降低焊点可靠性的情况；工艺简单，成本低廉。本发明的关键步骤在于焊料涂覆在预制的IMCs焊盘进行重熔、冷却，通过EDS技术确定焊点成分为IMCs。
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