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公开(公告)号：CN104953984A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510357707.2
申请日：2015-06-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/30
Abstract: 本发明提供了一种线性化的晶体管合成电感，包括：第一跨导放大器，第二跨导放大器，第一电流镜，第二电流镜，第三电流镜，反馈电容，可调电阻，第一可调电流源，第二可调电压源。其中：两个跨导放大器交叉连接构成回转器，回转器能够把第二跨导放大器的输入电容回转成等效电感。可调电阻用于提高晶体管合成电感的等效电感值与品质因子Q值。第一电流镜中的一个MOS晶体管与第一跨导放大器中的一个晶体管连接构成电路复用的负阻网络，提高了Q值。采用反馈电容与三个电流镜构成的前向反馈电流源，改善了电感的1-dB压缩点和总谐波失真。本发明电感可应用于放大器中，提高放大器的线性度，并且当输入信号的幅度变化时，放大器的增益稳定。
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公开(公告)号：CN103546119A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310503465.4
申请日：2013-10-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/04
Abstract: 本发明提供一种高Q值超宽带可调谐有源电感，涉及射频集成电路技术领域，以解决现有有源电感的电感值、Q值均不高，实部损耗比较大的问题。该发明包括电源、输入端与CMOS源随结构，其中，还包括传输线结构、有源反馈偏置、负阻补偿网络，所述传输线结构并联于所述CMOS源随结构的栅极和漏极之间，所述有源反馈偏置中的第二晶体管M2的源级与所述CMOS源随结构中的第一晶体管M1的栅级连接，第三晶体管M3的漏极与所述第一晶体管M1的源级连接，所述负阻补偿网络与所述有源反馈偏置中的第三晶体管M3的漏极连接，并且与所述CMOS源随结构的第一晶体管M1的漏极连接。本发明具有较大的电感值和品质因子Q，并使实部损耗减小。
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公开(公告)号：CN101656267B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200910093286.1
申请日：2009-09-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/40 , H01L29/417
Abstract: 本发明公开了一种晶体管，尤其是高热稳定性功率异质结双极晶体管。该晶体管发射极镇流电阻上的压降有效补偿了由于自加热效应引起温度上升而导致的内建电压的变化。同时，该晶体管采用发射极指间距由器件两侧向中心处线性增大的非均等指间距对称结构，或采用发射极指间距由两侧向中心处逐渐增大的同时，相邻的两个或两个以上指间距具有相同指间距值的对称结构，达到显著改善器件中心区域发射极指向外侧散热的能力，也有效阻止了热量从外侧指向中心指的流入，实现削弱指间热耦合效应、有效提高功率晶体管热稳定性的目的。与常规功率晶体管相比，本晶体管结温沿有源区分布更加均匀，抗热烧毁性好，可在较宽的偏置范围内有效改善功率器件的热稳定性。
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公开(公告)号：CN119989577A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510205540.1
申请日：2025-02-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F30/17 , G06F30/27 , G06N3/0499 , G06N3/084 , G06N3/126
Abstract: 本发明公开了一种VCSEL阵列氧化孔径智能优化设计方法，用以改善VCSEL阵列温度分布均匀性，从而提高激光器整体性能。本发明首先通过训练BP神经网络模型替代热电反馈模型，建立了氧化孔径与稳态结温之间的映射关系，然后直接选取VCSEL阵列各单元的氧化孔径进行染色体的编码，构建了表征VCSEL阵列温度均匀性的适应度函数来提供优化标准，最后采用遗传算法来实现任意形状和单元个数的VCSEL阵列氧化孔径最优优化设计。本发明有效缩短了寻求VCSEL阵列最优氧化孔径设计中的人力成本和时间成本。最后，以具有61个单元的六边形VCSEL阵列为例进行了氧化孔径优化设计，并证明了本发明方法的有效性和实用性。
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公开(公告)号：CN109450404B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201811219238.8
申请日：2018-10-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/48
Abstract: 一种可工作在Ku波段的有源电感，包括第一Q‑增强型跨导器单元(1)，第二Q‑增强型跨导器单元(2)，第一可调输入单元(3)，第二可调输入单元(4)。其中，第一Q‑增强型跨导器单元(1)与第一可调输入单元(3)串联构成第一级阻抗变换电路，第二Q‑增强型跨导器单元(2)与第二可调输入单元(4)串联构成第二级阻抗变换电路，且第一级阻抗变换电路与第二级阻抗变换电路级联，使得有源电感的总等效电容减小，阻抗变换次数增加，最终获得了高Q值，大电感值，可工作在Ku波段的有源电感。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110310984B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN201910575002.6
申请日：2019-06-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/735 , H01L29/737 , H01L27/02 , H01L27/12
Abstract: 本发明公开了一种等温共发射区横向SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管仅具有一个Si发射区(24)以及多个数量相等的Si集电区(22)和SiGe基区(23)来构成多个子晶体管共用一个发射区的晶体管。各子晶体管的Si集电区(22)与SiGe基区(23)均以Si发射区(24)为对称中心呈中心对称分布，将有利于减小各子晶体管之间的热耦合，改善各子晶体管的散热能力，进而降低各子晶体管的热阻，实现所述晶体管等温分布的目的。与常规的横向SiGe异质结双极晶体管相比，在相同的环境温度、工作电压以及总集电极电流情况下，所述晶体管中各子晶体管的热阻更小，峰值结温更低，且所述晶体管的温度分布和电流分布更加均匀，从而有利于所述晶体管的热稳定工作。
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公开(公告)号：CN114448388A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210045299.7
申请日：2022-01-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/48
Abstract: 一种宽频带压控有源电感，包括低噪声跨导单元(1)，双支路跨导单元(2)，第一可调偏置单元(3)，第二可调偏置单元(4)，可调补偿单元(5)共5个单元。低噪声跨导单元(1)与双支路跨导单元(2)连接构成感性反馈回路，并取得低的噪声；第一可调偏置单元(3)和第二可调偏置单元(4)共同为反馈回路提供偏置电流，同时与可调补偿单元(5)的两个可调电压源一起，实现对有源电感性能的调控。通过所述5个单元及其4个调控端(Vtune1、Vtune2、Vtune3、Vtune4)的分工合作，使有源电感在高频区的同一频率下高Q峰值和电感峰值、宽频带且频带可相对于电感峰值独立调节、低噪声等多种性能集于一体。
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公开(公告)号：CN112688162B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011554812.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供高均匀结温分布的垂直腔面发射激光器阵列，包括：多个垂直腔面发射激光器单元；对于任意两个垂直腔面发射激光器单元，第一垂直腔面发射激光器单元的注入电流大于第二垂直腔面发射激光器单元的注入电流；其中，任意两个垂直腔面发射激光器单元中，第一垂直腔面发射激光器单元与垂直腔面发射激光器阵列中心的距离，大于第二垂直腔面发射激光器单元与垂直腔面发射激光器阵列中心的距离。本发明实施例提供的高均匀结温分布的垂直腔面发射激光器阵列，可在不改变各个垂直腔面发射激光器单元原有台面排布的基础上，实现在较大偏置范围内对垂直腔面发射激光器阵列中结温分布均匀性的有效改善，进而提高其输出光束质量。
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公开(公告)号：CN112347704A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011414317.1
申请日：2020-12-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F30/27 , G06F30/17 , G06N3/04 , G06N3/08 , G06F111/10
Abstract: 本发明涉及一种高效的基于贝叶斯理论的人工神经网络微波器件建模方法，用于解决目前的微波器件神经网络建模方法繁琐耗时，难以满足日益提高的缩短微波器件和电路设计周期要求的问题。本方法首先找到对应的神经网络模型所需的最优的有效参数个数，然后通过这个最优的有效参数个数，计算得出所对应的神经网络模型的最优的隐藏层神经元个数，从而得到每个微波器件的神经网络模型的最优结构。此外，该方法可以直接嵌入到神经网络自动模型生成算法中，无论初始设置的隐藏层神经元个数是否接近最优值，均可以非常快速地找到对于当前微波器件建模问题来说最优的神经网络模型结构。该方法与现有技术相比，大大缩短了建模时间，提高了建模效率。
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公开(公告)号：CN111478680A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010309140.2
申请日：2020-04-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/02
Abstract: 一种射频压控有源电感涉及集成电路领域，包括：第一跨导单元(1)，第二跨导单元(2)，第三跨导单元(3)，第四跨导单元(4)，有源反馈电阻单元(5)，第一偏置单元(6)，第二偏置单元(7)。第一跨导单元(1)与第二跨导单元(2)构成主回路。第三跨导单元(3)、第四跨导单元(4)与有源反馈电阻单元(5)构成补偿回路。调节补偿回路的不同电压调制端，可补偿因调节主回路不同电压调制端引起的电感值和Q值的变化，进而实现高频下的Q值相对于电感值可独立调节和在调节电感值时Q值保持恒定的性能。补偿回路，一方面，增大了有源电感在高频下的Q值，另一方面与主回路配合，使得有源电感具有宽的工作频带，且在高频下具有高的电感值。
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