一种差压传感器及其制备方法
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116429315A

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202310226441.2

    申请日:2023-03-09

    IPC分类号: G01L13/06 B81B7/02 B81C1/00

    摘要: 本发明提供了一种差压传感器及其制备方法。本发明的差压传感器包括:衬底结构,感压膜片,空腔结构,通气沟道,压阻电阻和电极引出接口。本发明的差压传感器采用刻蚀工艺形成空腔及通气沟道,使感压膜片通过通气沟道从衬底侧面感知外界压力,既解决了封装时衬底背面要预留粘片尺寸与传感器体积会变大的矛盾,又避免了感压膜片因变形过大而破裂的问题,减少了制作成本与流片周期。同时,通过采用SOI硅片减薄形成感压膜片及干法刻蚀工艺形成空腔,使制作出的膜片厚度及尺寸偏差小,远低于传统的差压传感器从背面腐蚀形成膜片的工艺偏差,且膜片表面形貌平整,与传统的差压传感器相比,体积小、抗过载能力强,成本低、精度高。

    一种基于硅通孔技术的高安全电流集成半导体桥芯片

    公开(公告)号:CN115597437A

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202211303733.3

    申请日:2022-10-24

    IPC分类号: F42B3/13

    摘要: 本发明提供了一种基于硅通孔技术的高安全电流集成半导体桥芯片,包括:焊盘层、半导体桥层、隔离层、硅基体、分流层、热沉和硅通孔。焊盘层位于芯片最顶层,并联半导体桥层和分流层;下一层为半导体桥层;隔离层有两处;分流层通过硅通孔并联到半导体桥层;热沉使分流层产生的热量尽快导入外界连接器件。本发明一种基于硅通孔技术的高安全集成半导体桥芯片,分流层额定功率的大小对电流进行筛选,低于额定功率以下的电流会被消耗,达到一定的值后分流层断路,并且半导体桥分流的占比可以通过半导体桥和分流层电阻比值进行调整,使分流层先热,半导体桥层后热,使得火工品更安全,且器件集成化更高、体积更小、更易装配。

    一种纳秒级体负阻效应的微型半导体短路开关

    公开(公告)号:CN114914359A

    公开(公告)日:2022-08-16

    申请号:CN202210660812.3

    申请日:2022-06-13

    IPC分类号: H01L47/00 H03K17/08

    摘要: 本发明提供了一种纳秒级体负阻效应的微型半导体短路开关。所述短路开关包括:电场加载层、导通层、绝缘层、开关控制层、隔离层和衬底。所述导通层和电场加载层位于所述短路开关最顶层,起电气连接作用;下一层为所述绝缘层,为隔绝导通层与开关控制层的电气连接,保证所述开关的绝缘电阻;所述开关控制层与电场加载层的连接,在一定电场加载条件下,通过体负阻效应实现短路开关纳秒级由通到断的转变;所述隔离层介于所述开关控制层和基底之间,起电气隔离作用,同时能抑制衬底的脉冲电流干扰,增加安全性;所述衬底为短路开关图形化的支撑载体。本发明短路开关通过体负阻效应可以实现纳秒级的电路开关控制,且整体尺寸、质量微小。

    一种面向MEMS气体传感器的甲烷气敏材料的制备方法

    公开(公告)号:CN117867459A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202410050390.7

    申请日:2024-01-15

    摘要: 本发明设计一种面向MEMS气体传感器的甲烷气敏材料的制备方法,用以提高气敏材料的稳定性能力,减小环境温、湿度等因素对半导体气体传感器性能的影响。气敏材料层由敏感材料层和催化保护层组成,其中敏感材料层选用Pt掺杂SnO2,催化保护层选用Pt掺杂ZrO2。本发明一方面通过采用Pt和SnO2共沉积修饰后,增大了耗尽层厚度,提升了传感器的灵敏度;另一方面,通过在敏感材料表面沉积催化保护层,可以提高SnO2的稳定性能力,减小环境因素对传感器性能的影响。

    一种基于MEMS换能元的发火输入能量测试方法及设备

    公开(公告)号:CN117006904A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202311211986.2

    申请日:2023-09-19

    IPC分类号: F42C21/00

    摘要: 本发明公开一种基于MEMS换能元发火输入能量测试方法,针对火工品试验确定换能元在发火过程需要精准确定换能元施加电能量,施加电能量的状态,对发火可靠性、安全性等的影响很大。本发明在不影响发火体系的特性状态下,实现测量更精确。使得测试数据更精确、更安全、更简化、更可靠。同时提高试验效率,降低试验测试成本。将发火控制和能量输入选择部分功能集成在一个模块中,然后将上位机与控制模块用通讯控制或直接线路控制,距离可至少在3米以上,是的测试过程安全,且测试目的都可以达到要求。

    一种力传感器芯片及其制备方法
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117598663A

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202311586181.6

    申请日:2023-11-24

    IPC分类号: A61B5/00 A61B5/021 G01L1/20

    摘要: 本发明提供了一种力传感器,包括MEMS力感应芯片、开口封外壳、金属球和柔性电路板;其中MEMS力感应芯片内置于开口封外壳内,力敏感区外露于开口位置;柔性电路板上分布有弹簧结构和焊盘,焊盘位于柔性电路板中心位置,与弹簧结构相连接;金属球通过焊锡与焊盘连接。施加外力时,柔性电路板弹簧结构拉伸,中心焊盘带动金属球发生位移变化,金属球与MEMS力敏感区接触引起敏感区内电阻发生变化,最终导致输出电压的变化。采用柔性弹簧结构加金属球组合的方式实现力的传导,避免了上述情况的发生,最重要地,在保证用户舒适性地基础上,提升了监测信号地测试精度。

    一种带有力传导结构的力传感器芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN117297569A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202311581875.0

    申请日:2023-11-24

    摘要: 本发明提供了一种带有力传导结构的力传感器芯片及其制备方法,包括:力传导结构,薄膜结构和衬底结构。所述力传导结构位于整个结构的上方,由力的感知端、弹簧、力的施加端及固定端组成;所述薄膜结构位于整个结构的中间,由悬臂梁、夹缝和电极引出接口组成;所述衬底结构位于整个结构的下方,由空腔结构和衬底固定端组成。本发明的力传感器在芯片内部集成了力传导结构,可直接感受外界力信号,无需外加媒介进行力的传导,便于后续封装。同时,通过工艺制作的力传导结构,确保了力的施加端可以精准定位向悬臂梁的尖端施加力信号,提高了传感器性能的稳定性,使其具有易集成封装、施力点定位精准、线性度好、灵敏度高、体积小等特点。

    一种二总线的通信方法、装置、设备及存储介质

    公开(公告)号:CN116248434B

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202310491173.7

    申请日:2023-05-05

    IPC分类号: H04L12/40

    摘要: 本发明涉及二总线通信技术领域,具体提供一种二总线的通信方法、装置、设备及存储介质,旨在解决二总线长距离、多节点带载下通信能力变差或者不能通信的问题。为此目的,本发明提供的方法包括在发送下行数据后,设置接收窗口期,在接收窗口期内控制总线功耗,使得反馈电流可以传递到总线控制器,再经过采样和放大处理,得到理想数据信号。通过上述方法,使得二总线通信距离和节点带载量显著增加。

    一种差分电容压力传感器
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115235655A

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202210923420.1

    申请日:2022-08-02

    IPC分类号: G01L1/14 G01L9/12

    摘要: 本发明公开了一种差分电容式压力传感器,属于微电子技术领域。上下移动电极通过凸起圆柱体与承压薄膜连接,并分别与上下固定电极组成了可变电容,固定电极与承压薄膜之间通过环形绝缘层连接。本发明的压力传感器,通过差分电容结构,提高了器件的灵敏度,上、下移动电极中分别含有狭缝结构,提高移动电极刚性的同时,利用凸起圆柱体连接承压薄膜,改变了传统电容压力传感器由于电极非均匀变形带来的非线性,提高了器件的线性度。

    一种压力传感器
    20.
    实用新型

    公开(公告)号:CN217845473U

    公开(公告)日:2022-11-18

    申请号:CN202222368291.2

    申请日:2022-09-07

    摘要: 本实用新型提供了一种压力传感器。本实用新型的压力传感器包括:衬底结构,感压膜片,密闭空腔结构,压阻电阻,电极信号接口和高浓度硼连接区。本实用新型的压力传感器采用半桥电路进行压力信号与电信号的转换,三个电极位于传感器的一端,封装简单便于用户安装使用。整体结构只有电极信号接口处覆盖金属,压阻电阻与电极信号接口之间采用高浓度硼进行连接,与传统的压力传感器相比,极大地减少了金属面积,制作材料安全,体积小、精度高,可放置在医用导管中进入体内进行压力测量,在医学领域中具有很好的发展前景。