公开(公告)号：CN118011175B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410420863.8

申请日：2024-04-09

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网山西省电力公司电力科学研究院

发明人： 陈燕宁 ,  刘芳 ,  宋斌斌 ,  王凯 ,  赵扬 ,  朱亚星 ,  左阿惠 ,  许玉洁 ,  孟庆萌 ,  常泽洲 ,  齐宇

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明提供一种晶体管器件缺陷分析方法及系统，涉及半导体器件检测领域。分析方法包括：搭建缺陷检测平台，并检测缺陷检测样品的初始瞬态电容；其中，缺陷检测样品包括在衬底上形成的多个晶体管器件，晶体管器件具有金属/氧化物/半导体层叠结构，每一晶体管器件的栅极通过梳状导电结构连接至第一引脚，缺陷检测样品的衬底连接至第二引脚；搭建电磁干扰平台，并对缺陷检测样品进行电磁干扰；检测损伤瞬态电容；基于初始瞬态电容确定初始缺陷能级和初始缺陷浓度，基于损伤瞬态电容确定损伤缺陷能级和损伤缺陷浓度；确定缺陷检测样品的电磁损伤程度。通过本发明提供的分析方法，能够探测晶体管器件的微观缺陷，准确测量晶体管器件的缺陷能级。

公开(公告)号：CN114864666B

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202210810588.1

申请日：2022-07-11

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  吴波 ,  刘芳 ,  邓永锋 ,  王凯 ,  余山 ,  付振 ,  郁文 ,  刘倩倩 ,  王帅鹏 ,  彭鹏 ,  邵宇鹰

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片。所述NLDMOS器件包括：衬底；设于所述衬底上的P型体区与N型漂移区；设于所述N型漂移区上的场氧化层与N型掺杂区；以及设于所述场氧化层与所述N型掺杂区上的栅极，其中，所述N型掺杂区包括所述场氧化层、所述栅极与所述N型漂移区的交界区。本发明中的N型掺杂区可在保证一定的关断状态下的击穿电压（BVoff）下减小NLDMOS器件的导通电阻，同时有效地将电力线密度重新分布以降低交界区的电场峰值，在器件大注入时为漂移区提供额外的净电荷，从而能够使Kirk效应得到有效的抑制，进而提高导通状态下的击穿电压（BVon），即，提高NLDMOS器件的安全工作区和可靠性。

公开(公告)号：CN115373907A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202211316659.9

申请日：2022-10-26

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国网福建省电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  梁英宗 ,  邓永峰 ,  王立城 ,  付振 ,  陈燕宁 ,  刘芳

IPC分类号： G06F11/14 ,  G06F11/30 ,  G06F16/178

摘要： 本发明涉及芯片领域，公开一种工控机与数据备份系统。所述工控机包括：查询模块，用于查询所述工控机的存储空间使用率；以及同步模块，用于：在所述工控机的存储空间使用率大于第一阈值且小于或者等于第二阈值的情况下，将所述工控机上的生产数据强制同步至主服务器或网络附属存储器中的一者；或者在所述工控机的存储空间使用率大于所述第二阈值的情况下，将所述工控机上的生产数据强制同步至所述主服务器或所述网络附属存储器中的一者与备用服务器。本发明可通过在工控机上配置查询模块和同步模块来自动查询工控机的存储空间使用率，并在存储空间使用率大于不同阈值时针对生产数据执行不同的强制同步操作，以实现生产数据的自动化上传的目的。

公开(公告)号：CN115064446A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202210990168.6

申请日：2022-08-18

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  肖超 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  付振 ,  刘芳 ,  田俊 ,  张泉 ,  尹强

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

摘要： 本公开涉及功率半导体领域，具体公开了一种超结半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：通过深沟槽刻蚀工艺在晶圆的第一预定区域刻蚀得到至少一个Ai深沟槽，在所述Ai深沟槽中填充掺杂浓度为NAi的第一外延层形成第i层第一导电类型的外延柱；通过深沟槽刻蚀工艺在晶圆的第二预定区域刻蚀得到至少一个Di深沟槽，在所述Di深沟槽中填充掺杂浓度为NDi的第二外延层形成第i层第二导电类型的外延柱；循环上述步骤在晶圆中制作超结结构。该技术方案可以解决传统深沟槽单次外延填充产生的空洞问题；主要用于制备超结半导体器件。

公开(公告)号：CN114896929A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210405357.2

申请日：2022-04-18

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司常州供电分公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  梁英宗 ,  陈燕宁 ,  成睿琦 ,  赵扬 ,  付振 ,  刘芳

IPC分类号： G06F30/36

摘要： 本发明实施例提供一种有界波电磁脉冲模拟器设计方法及系统，属于电磁技术领域。所述有界波电磁脉冲模拟器沿x轴向包括脉冲源、前过渡段、平行板段、后过渡段和终端负载，所述方法包括：获取终端负载的阻抗匹配值；基于所述阻抗匹配值和预设特征阻抗图谱，获得有界波电磁脉冲模拟器的结构参数；基于所述结构参数进行有界波电磁脉冲模拟器的模拟构建，对应输出模拟构建方案。本发明方案实现了基于用户需求进行有界波电磁脉冲模拟器结构参数准确推理的想法，实现了隔离开关操作场景下电磁环境的精准复现。

公开(公告)号：CN114818393A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210740098.9

申请日：2022-06-28

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网宁夏电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  梁英宗 ,  陈燕宁 ,  鹿祥宾 ,  张东嵘 ,  付振 ,  刘芳 ,  闫振华 ,  张庆平 ,  夏绪卫

IPC分类号： G06F30/20 ,  G01R31/26 ,  G06F119/04

摘要： 本公开实施例公开了一种半导体器件失效时刻预测方法、装置、设备及介质。本公开实施例提供的半导体器件失效时刻预测方法，包括：获取所述半导体器件的静态参数的第一阶段测试数据，其中，所述测试数据为时间序列数据；基于所述第一阶段测试数据和预先构建的差分整合移动平均自回归ARIMA模型得到所述半导体器件的第二阶段预测数据；基于所述半导体器件的第二阶段预测数据确定所述半导体器件的失效时刻。本公开实施例的技术方案解决了现有的HCI测试耗时过长，无法满足工业生产过程中产品数量大、工期紧的需求的技术问题，大幅缩短了半导体器件失效时刻的获取时长，降低了测试成本，提高了测试效率。

公开(公告)号：CN114583049A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210479541.1

申请日：2022-05-05

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网重庆市电力公司电力科学研究院

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  王凯 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  余山 ,  邓永峰 ,  吴波 ,  郁文 ,  刘倩倩

IPC分类号： H01L49/02

摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种MIM电容器的制作方法及MIM电容器。所述MIM电容器的制作方法包括：在基板上形成下极板；在下极板上沉积温度系数低的导热电阻材料，形成第一薄膜电阻层；在第一薄膜电阻层上形成介质层；在介质层上沉积温度系数低的导热电阻材料，形成第二薄膜电阻层，使第一薄膜电阻层和第二薄膜电阻层全包覆介质层；在第二薄膜电阻层上形成上极板。本发明通过两层温度系数低的薄膜电阻层将MIM电容器的介质层全包覆住，可以降低MIM电容器整体的温度系数，提高MIM电容器的温度线性度性能。

公开(公告)号：CN113805044B

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202111354981.6

申请日：2021-11-16

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网福建省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 刘芳 ,  陈燕宁 ,  赵东艳 ,  付振 ,  余山 ,  王帅鹏 ,  王凯 ,  邓永峰 ,  郁文 ,  刘倩倩 ,  潘成 ,  林文彬

IPC分类号： G01R31/28

摘要： 本发明实施例提供一种芯片可靠性评估方法、装置及芯片，该方法包括测试芯片的抗ESD能力；添加寄生元件和等效器件至芯片的内部电路，组成新电路，其中，所述寄生元件为所述芯片在电磁干扰下产生的电容和/或电感，所述等效器件为芯片封装等效的电阻和/或电感；对所述新电路进行老化测试，以确定所述芯片的老化特性；根据所述芯片的抗ESD能力和所述芯片的老化特性，对所述芯片进行可靠性评估。所述芯片可靠性评估方法实现了芯片在不同电磁干扰下的可靠性的评估。

公开(公告)号：CN113948411A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202111057876.6

申请日：2021-09-09

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  北京大学 ,  国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心) ,  国家电网有限公司

发明人： 付振 ,  刘芳 ,  赵东艳 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  王帅鹏 ,  杜艳 ,  黄海潮 ,  何燕冬

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L23/544

摘要： 本发明涉及器件可靠性研究领域，提供一种栅氧化层时变击穿测试方法、可靠性测试方法及测试结构。所述栅氧化层时变击穿测试方法包括：将多个氧化层电容的衬底集成为一个共用的测试极并接地，其中所述多个氧化层电容各自的栅氧化层的面积均不相同；在通过同一恒定电压源向各个氧化层电容的栅极同时施加同一恒定电压的条件下，持续测量各个氧化层电容的栅极电流；将氧化层电容的栅极电流发生跳变的时间作为该氧化层电容的栅氧化层击穿时间，直至获得各个氧化层电容的栅氧化层击穿时间。本发明在持续施加恒定电压的情况下一次测试就可以获得多个氧化层电容的栅氧化层击穿时间，在节省测试设备成本的前提下，极大地提高了测试效率。

公开(公告)号：CN113851466A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202111436654.5

申请日：2021-11-29

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网福建省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  邓永峰 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  郁文 ,  吴波

IPC分类号： H01L23/64 ,  H01L49/02

摘要： 本发明涉及半导体器件领域，提供一种隔离电容及隔离电容的制备方法。所述隔离电容包括衬底、下极板、上极板以及位于所述下极板与所述上极板之间的电介质层，还包括设置于所述下极板与所述衬底之间的隔离层；所述隔离层由介电常数在2~3之间的电介质材料形成，所述隔离层用于降低所述下极板与所述衬底之间的寄生电容。本发明在下极板与衬底之间增加超低介电常数的隔离层，大幅度降低下极板与衬底之间的寄生电容。