-
公开(公告)号：CN115275551A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210924721.6
申请日：2022-08-02
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本申请公开了一种低损耗共面波导键合结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。该低损耗共面波导键合结构包括：位于第一基底上的第一共面波导；位于第二基底上且与第一共面波导结构相同的第二共面波导；以及将第一共面波导和第二共面波导的导体一一对应连接的多个二维异质结构；所述二维异质结构包括用于传输信号的二维导电材料层，以及位于二维导电材料层下方的二维介电材料层。本申请通过使用二维导电材料键合共面波导，利用其高电导率的特性减小趋肤效应损耗。二维导电材料均匀覆盖在需要连接的导体表面，提高了键合部分传输线的均匀性，减少高频传输反射，保证传输带宽；且二维导电材料和金属之间无需形成焊点，避免造成金属电极损伤。
-
公开(公告)号：CN113176427A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110436616.3
申请日：2021-04-22
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G01R1/073
Abstract: 本发明提供一种射频桥接探针，包括：微波传输结构以及分别对称连接于所述微波传输结构两端的两个探针组件；两个所述探针组件分别连接微带传输线；所述微波传输结构包括信号通道、屏蔽层以及中间介质；所述探针组件包括一第一探针和一第二探针；所述第一探针与所述微波传输结构的信号通道连接，所述第二探针与所述微波传输结构的屏蔽层连接。射频桥接探针，可用于连接两侧的微带传输线或共面波导结构，其极限带宽可以保证DC‑hGHz信号传输的完整性。
-
公开(公告)号：CN106555166B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201611020137.9
申请日：2016-11-18
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本发明属于自旋电子器件制备及表征领域，它是一种超薄膜制备、界面表征及调控集成系统及应用方法，该集成系统主要由多组多功率磁控溅射设备、原位时间分辨磁光克尔测量仪、多角度离子辐照设备，通过超高真空互联装置将上述三组设备进行集成，依次进行超薄多层膜制备、界面表征、调控。本发明可以在不破坏真空度的情况下实现自旋电子器件的高精度超薄多层膜制备、原位精确表征及界面实时调控功能，可用于研究基于超薄多层膜的界面自旋相关效应，制备具有特定磁特性的超薄多层膜。
-
公开(公告)号：CN106556809A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610942992.9
申请日：2016-10-26
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G01R33/12
CPC classification number: G01R33/12
Abstract: 本发明一种真空环境下的薄膜磁性表征仪器，包括：超快激光器、多个半反半透镜、时间延迟线、多个反射镜、偏振分光棱镜、倍频器、两个滤光片、至少一个直角棱镜、斩波器、光学聚焦透镜组、维样品支架、密闭真空腔体、真空泵组、1/2玻片、分光棱镜、光电二极管、锁相放大器、磁铁、恒温装置、平移台、成像装置。本发明通过实现磁性薄膜制备过程中的原位表征，提高测量效率及精度。通过配备可高达五维的多维样品调节装置，辅以样品平移台，获得成像效果。泵浦、探测光束的共轴垂直入射简化了光路，降低了光路调节难度。除此之外，本发明可使样品在真空腔内部进行磁性表征，避免空气或水汽对其的污染。
-
公开(公告)号：CN106555166A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201611020137.9
申请日：2016-11-18
Applicant: 北京航空航天大学
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/352
Abstract: 本发明属于自旋电子器件制备及表征领域，它是一种超薄膜制备、界面表征及调控集成系统及应用方法，该集成系统主要由多组多功率磁控溅射设备、原位时间分辨磁光克尔测量仪、多角度离子辐照设备，通过超高真空互联装置将上述三组设备进行集成，依次进行超薄多层膜制备、界面表征、调控。本发明可以在不破坏真空度的情况下实现自旋电子器件的高精度超薄多层膜制备、原位精确表征及界面实时调控功能，可用于研究基于超薄多层膜的界面自旋相关效应，制备具有特定磁特性的超薄多层膜。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117133325A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202210557781.9
申请日：2022-05-19
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明提供一种磁存储单元及磁存储器，该磁存储单元包括：具有平行于反铁磁层表面的磁化方向的反铁磁层，用于产生平行于反铁磁层表面的交换偏置场；具有垂直于存储磁性层表面的磁化方向的存储磁性层，设置在反铁磁层上，用于产生垂直于存储磁性层表面且响应于外部激光旋转方向的变化的各向异性场；其中，外部激光作用于存储磁性层，使存储磁性层的各向异性场发生变化，存储磁性层的磁矩受到交换偏置场和变化的各向异性场的共同作用发生定向翻转以将数据写入存储磁性层。本发明适用于各种材料体系，且磁矩的翻转无需面内磁场的辅助，简化了整体架构，降低了生产成本，提高了信息写入的速度和稳定性。
-
公开(公告)号：CN113359071A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110436617.8
申请日：2021-04-22
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G01R33/12
Abstract: 本发明提供一种利用皮秒电脉冲的磁动力学测试系统，包括：电脉冲发生装置、射频传输装置以及时间分辨率磁光克尔子系统。其中，所述电脉冲发生装置用于产生皮秒级电脉冲；所述射频传输装置包括射频桥接探针，用于通过传输线接收所述电脉冲发生装置产生的皮秒级电脉冲，并将所述皮秒级电脉冲传输至待测样品；所述时间分辨率磁光克尔子系统，用于向所述待测样品发射激光信号，接收所述待测样品表面的反射信号，并根据所述反射信号判断所述待测样品当前的磁化状态。本发明的磁动力学测试系统可利用皮秒电脉冲探究更高时间精度的磁矩动力学行为；通过设置射频传输结构，可以实现电脉冲发生装置和待测样品的分离，便于对其它样品进行测试。
-
公开(公告)号：CN109873044B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201910098100.5
申请日：2019-01-31
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/0232
Abstract: 本发明公开一种基于光控自旋微波振荡器的低功耗光电转换元件核心单元，有两种实现路径，路径一，采用光敏磁性材料作为自由层制备光可调控磁性隧道结。路径二，将P型N型材料以及传统磁性多层膜通过微纳加工手段集成在一起制备复合型光可调控磁性隧道结。本发明一种基于光控自旋微波振荡器的光电转换元件，具有将光纤信号直接转换为高频微波电信号的功能。打破了长期以来主流的光信号——电信号——高频射频信号的通讯架构，直接降低了通讯过程中的功耗。本发明一种基于光控自旋微波振荡器的光电转换元件吸收了自旋微波振荡器的诸多优点，不仅体积小、功耗低，而且微波输出频率宽频可调，极具应用前景。
-
公开(公告)号：CN109873044A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910098100.5
申请日：2019-01-31
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/0232
Abstract: 本发明公开一种基于光控自旋微波振荡器的低功耗光电转换元件核心单元，有两种实现路径，路径一，采用光敏磁性材料作为自由层制备光可调控磁性隧道结。路径二，将P型N型材料以及传统磁性多层膜通过微纳加工手段集成在一起制备复合型光可调控磁性隧道结。本发明一种基于光控自旋微波振荡器的光电转换元件，具有将光纤信号直接转换为高频微波电信号的功能。打破了长期以来主流的光信号——电信号——高频射频信号的通讯架构，直接降低了通讯过程中的功耗。本发明一种基于光控自旋微波振荡器的光电转换元件吸收了自旋微波振荡器的诸多优点，不仅体积小、功耗低，而且微波输出频率宽频可调，极具应用前景。
-
公开(公告)号：CN105702853B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201610124480.1
申请日：2016-03-04
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 一种自旋转移矩磁存储单元，其特征是该磁存储单元的磁隧道结基于垂直磁各向异性(PMA)，在经典磁隧道结即自由层、参考层和隧穿势垒层的三层结构基础上，添加了一层缓冲层，一层顶部磁性层及一层顶部非磁性层。该磁存储单元的磁隧道结从下到上由参考层、隧穿势垒层、自由层、缓冲层、顶部磁性层及顶部非磁性层构成。本发明提供的新型磁隧道结将在有效提高数据存储热稳定性的同时保持翻转电流在较低水平。对提高磁存储单元稳定性，降低存储功耗，延长存储单元读写寿命作用明显。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.025 seconds)
