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公开(公告)号：CN107313046B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201710334855.1
申请日：2017-05-12
申请人： 北京邮电大学
摘要： 本发明提供了一种SERS基底及其制备方法，涉及拉曼光谱技术领域。所述方法包括：S0，对衬底依次进行清洗和亲水性处理；S1，采用单分散的纳米小球、纳米晶或量子点，在所述衬底表面形成至少一层规则排布的自组装阵列结构；S2，在所述自组装阵列结构的顶部沉积金属活性层；S3，在所述金属活性层上覆盖碳基纳米材料层得到所述SERS基底。本发明在大面积规则排布的自组装阵列结构上沉积金属活性层，无需退火就可以形成周期性的金属纳米结构，接着覆盖碳基纳米材料层使得金属纳米结构与空气隔绝而避免或减缓其氧化过程，进而使得SERS基底不仅具有非常高的灵敏度，还能维持长久的活性。
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公开(公告)号：CN109873296A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910234625.7
申请日：2019-03-26
申请人： 北京邮电大学
摘要： 本发明实施例提供一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法，采用相应的第二多层材料膜反射镜层和金属反射镜层构成的组合反射镜作为VCSEL的非出光面(底面)反射镜，并且第二多层材料膜反射镜层的对数少于由第一多层材料膜反射镜层构成的VCSEL的(顶面)出光面反射镜的对数，第二多层材料膜反射镜层的反射率低于第一多层材料膜反射镜层的反射率。采用的上述组合反射镜代替了传统的垂直腔面发射激光器芯片第二包层下面的分布式布拉格反射镜构成的底面反射镜，可以在较少的材料膜反射镜层对数的情况下获得所需的高反射率，同时可以减少相应的材料应力和串联电阻，在减小器件制作工艺难度的情况下提升器件的性能。
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公开(公告)号：CN105088181B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201410221660.2
申请日：2014-05-23
申请人： 北京邮电大学
摘要： 本发明提供一种硅基量子点激光器材料的MOCVD制备方法，利用MOCVD方法依次进行如下步骤的材料制备，包括：在清洁的单晶硅衬底上制作GaAs低温成核层；在所述GaAs低温成核层上制作GaAs高温缓冲层；在所述GaAs高温缓冲层上制作应变超晶格结构；在所述应变超晶格结构上制作n型欧姆接触层；在所述n型欧姆接触层上制作n型限制层；在所述n型限制层上制作下波导层；在所述下波导层上制作多层量子点有源区；在所述多层量子点有源区上制作上波导层；在所述上波导层上制作p型限制层；在所述p型限制层上制作p型欧姆接触层。本发明能够大面积、均匀快速、高重复性地完成材料生长和制备，成本更加低廉，更适合产业化的需求。
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公开(公告)号：CN105589130A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410641817.7
申请日：2014-11-13
申请人： 北京邮电大学
摘要： 本发明公开了一种功分器、波分器和偏振分束器及其设计方法，该方法包括：获取二维光栅块的周期和占空比；通过调整所述二维光栅块的周期和占空比，对入射波进行不同形式的分配。该方法通过光波偏转原理、一维条形光栅汇聚原理及二维阵列光栅块汇聚原理，实现了对入射波的功率进行任意比分配、对不同波长的入射波按照波长的不同进行空间上的分离、或，对TE和TM混合入射波进行空间上偏振态的分离，该方法计算简单，实现方便，成本较低。
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公开(公告)号：CN105088181A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410221660.2
申请日：2014-05-23
申请人： 北京邮电大学
摘要： 本发明提供一种硅基量子点激光器材料的MOCVD制备方法，利用MOCVD方法依次进行如下步骤的材料制备，包括：在清洁的单晶硅衬底上制作GaAs低温成核层；在所述GaAs低温成核层上制作GaAs高温缓冲层；在所述GaAs高温缓冲层上制作应变超晶格结构；在所述应变超晶格结构上制作n型欧姆接触层；在所述n型欧姆接触层上制作n型限制层；在所述n型限制层上制作下波导层；在所述下波导层上制作多层量子点有源区；在所述多层量子点有源区上制作上波导层；在所述上波导层上制作p型限制层；在所述p型限制层上制作p型欧姆接触层。本发明能够大面积、均匀快速、高重复性地完成材料生长和制备，成本更加低廉，更适合产业化的需求。
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公开(公告)号：CN104576326A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310492218.9
申请日：2013-10-18
申请人： 北京邮电大学
CPC分类号： H01L21/02381 , H01L21/02546 , H01L21/02612
摘要： 本发明提供一种硅基III-V族砷化镓半导体材料制备方法和系统，包括：在清洁的单晶硅衬底表面制备二氧化硅膜；在所述二氧化硅膜上，采用纳米压印技术得到二氧化硅纳米图形层，所述二氧化硅纳米图形层包括裸露单晶硅衬底表面的生长窗口区，以及二氧化硅图形区，生长窗口区和二氧化硅图形区交错分布；在所述生长窗口区上，沉积接近或等于所述二氧化硅图形区的台面高度的砷化镓缓冲层；在所述砷化镓缓冲层和所述二氧化硅图形区上外延生长III-V族半导体材料。本发明采用纳米压印的技术制作二氧化硅纳米图形层，作为半导体材料生长的图形衬底，打破了之前的材料尺寸限制问题，更加有利于工业化的材料生长制备，有效地降低了材料制作成本，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN104016294A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201310066230.3
申请日：2013-03-01
申请人： 北京邮电大学
摘要： 本发明公开了一种硅基III-V族纳米管与微米管及其制备方法。纳米管与微米管是由单晶Si衬底上外延生长的III-V族应变半导体薄膜自卷曲所形成两端非封闭的圆柱形中空管状结构，其直径为1nm-100μm，其长度为1μm-1mm。这种管状结构在硅基光子学、微电机系统、传感等领域都有极大的应用价值。本发明集成了“由下至上”的异变外延生长和“由上而下”的光刻腐蚀技术。通过侧向腐蚀III-V族牺牲层，使III-V族应变双层薄膜从Si上释放并卷曲成管。该方法与III-V族光电子与微电子器件工艺兼容，具有制管工艺简单、管形貌好、管尺寸可控等优点，易在Si上形成大面积、规则一致的III-V族纳米管或微米管阵列。
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公开(公告)号：CN103489936A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201210195543.4
申请日：2012-06-13
申请人： 北京邮电大学
IPC分类号： H01L31/0232
CPC分类号： H01L31/02325
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种并联多微环光波导探测器。所述探测器包括：滤波腔、由跑道型波导以及探测器芯片组成的探测腔，所述滤波腔由多个等间距设置的微环谐振器并联组成，所述跑道型波导将通过所述滤波腔的下路光信号传输给所述探测器芯片。本发明提出的并联多微环光波导探测器，通过简单的结构设计可以获得光探测器的平顶陡边的响应曲线、具有较宽的自由光谱区域，从而降低了在波分复用系统中光发射端激光器波长的准确性和稳定性要求。本发明同时具有一般光波导探测器易于大规模集成、高响应速度、高量子效率等优点。
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公开(公告)号：CN100587908C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200710091028.0
申请日：2007-04-05
申请人： 北京邮电大学
摘要： 本发明揭示了一种晶片键合的硼化物表面处理剂以及键合方法，本发明所提供的表面处理剂是硼化物溶液，所述硼化物溶液含有硼酸根、硼氢根或硼酸根和硼氢根的混合物。溶剂选自硫化碳、四氯化碳、甲醇、乙醇、氨水和水；溶液浓度为0.001%～20%。本发明所提供的晶片键合方法，先将待键合的晶片进行清洗，然后将晶片置于置于本发明所提供的步骤a中制备的表面处理剂中在0℃～100℃的水浴中放置1分钟～1小时将两块晶片面对面贴紧取出夹紧；将夹好的晶片和夹具一起放入退火炉中进行热处理，处理温度为100～300℃，处理时间为0.5～2小时，实现在较低的热处理温度下，半导体晶片间高质量键合，并且工艺过程环保无毒。
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公开(公告)号：CN101281856A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200710091028.0
申请日：2007-04-05
申请人： 北京邮电大学
摘要： 本发明揭示了一种晶片键合的硼化物表面处理剂以及键合方法，本发明所提供的表面处理剂是硼化物溶液，所述硼化物溶液含有硼酸根、硼氢根或硼酸根和硼氢根的混合物。溶剂选自硫化碳、四氯化碳、甲醇、乙醇、氨水和水；溶液浓度为0.001％～20％。本发明所提供的晶片键合方法，先将待键合的晶片进行清洗，然后将晶片置于置于本发明所提供的步骤a中制备的表面处理剂中在0℃～100℃的水浴中放置1分钟～1小时将两块晶片面对面贴紧取出夹紧；将夹好的晶片和夹具一起放入退火炉中进行热处理，处理温度为100～300℃，处理时间为0.5～2小时，实现在较低的热处理温度下，半导体晶片间高质量键合，并且工艺过程环保无毒。
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