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公开(公告)号：CN114186667B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202111487036.3
申请日：2021-12-07
IPC分类号： G06N3/0442 , G06N3/06 , G06N3/084
摘要： 本发明公开了一种循环神经网络权重矩阵向忆阻阵列的映射方法，包括：获取目标循环神经网络隐藏层中的所有权重矩阵；将各权重矩阵按行排列成一个3行矩阵阵列，且矩阵阵列中的每一列元素矩阵位于同一门控单元；根据网络隐藏层的前向传播函数对矩阵阵列中的元素矩阵进行裁切，被裁切的元素矩阵不影响其他元素矩阵的反向传播，且被裁切的元素矩阵使网络中各门控单元系数能够得到运算结果；将裁切并训练后的矩阵阵列中各元素矩阵编码为忆阻阵列中对应器件的电导。本发明是在利用传统忆阻循环神经网络加速器进行矩阵向量乘法时，在保证网络结构不变的前提下，只向忆阻阵列映射一部分矩阵，可有效降低权重矩阵映射时对忆阻阵列面积的要求。
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公开(公告)号：CN114005933B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202111229192.X
申请日：2021-10-21
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H10N70/20
摘要： 本发明提供了一种低阈值电压漂移的双向阈值切换选通管单元制备方法以及产品装置，属于微电子技术领域，在制备过程中，对OTS功能层执行升温工艺，使OTS功能层温度为80℃～120℃，持续时间为50s～200s，以此方式，对OTS功能层加速弛豫，使其提前进入更稳定的非晶态。优选的，使OTS功能层温度为90℃～110℃，持续时间为80s～180s，更优选的，使OTS功能层温度为95℃～105℃，持续时间为85s～150s。本发明通过设计新型的工艺方法，利用玻璃弛豫来降低OTS阈值电压漂移，解决现有技术中OTS阈值漂移较大从而抑制了OTS选通管大量应用的问题。
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公开(公告)号：CN118502161A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410648882.6
申请日：2024-05-23
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G02F1/13357 , G02F1/1335 , G02F1/1362 , G02F1/1333 , G02B5/20 , G02F1/00 , G02F1/01 , G02F1/03
摘要： 本发明提供一种基于截止型相变滤光结构的相变显示装置，该装置包括：像素化RGB背光源发光组件，包括LED激发光源、扩散板、像素化量子点层和黑色光阻剂，LED激发光源、扩散板和像素化量子点层从下到上依次布设，黑色光阻剂与像素化量子点层位于同一层，用于发出像素点的RGB光线并阻碍非像素区域发光；截止型相变滤光结构，包括RG截止型滤光结构和B滤光结构，RG截止型滤光结构用于过滤掉红、绿像素化背光源的像素点中残留的蓝光，B滤光结构用于对蓝像素化背光源的像素点的光线进行过滤，保留蓝光。本发明采用截止型相变滤光结构代替带通型相变滤光结构，简化制造流程，提高透过率和显示效果，采用隔离层使滤光光谱平缓高效。
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公开(公告)号：CN117742010B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202311821598.6
申请日：2023-12-27
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明涉及一种基于相变材料的激光显示技术，具有高分辨率、高帧率、光斑均匀、能耗低等特点，该激光显示技术包含激光背光源、高斯相变灰度光阀、光学投影系统、显示幕布等，本发明的激光显示技术可以广泛应用但不限于大尺寸电视、电子游戏设备、航空航天设备、军事装备或医疗设备的高分辨率需求。
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公开(公告)号：CN118466067A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410648877.5
申请日：2024-05-23
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G02F1/13357 , G02F1/1335 , G02F1/1362 , G02F1/1333 , G02B5/20 , G02F1/00 , G02F1/01 , G02F1/03
摘要： 本发明提供一种基于线性背光源的超高分辨率相变显示装置，该装置包括：线性RGB背光源发光组件，包括从下到上依次布设的LED激发光源、扩散板和线性量子点层；线性量子点层包括同层的线性红色量子点和线性绿色量子点，线性量子点层覆盖扩散板的一侧，线性RGB背光源发光组件用于发出RGB光线；像素化相变滤光结构，位于线性RGB背光源发光组件之上，像素化相变滤光结构包括RG截至型滤光结构、B滤光结构和黑色光阻剂；RG截至型滤光结构用于从接收的线性红、绿色量子点发出的光线中过滤掉蓝光，B滤光结构用于从接收的扩散板发出的光线中保留蓝光，黑色光阻剂用于阻碍非像素区域的光线。本发明在保证显示效果同时减小像素尺寸。
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公开(公告)号：CN114883487B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202210467671.3
申请日：2022-04-29
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于半导体信息存储和人工突触器件技术领域，更具体地，涉及一种自成型的拓扑相变纳米存储器件结构、其制备和应用。通过在SXO(X＝Fe,Co)薄膜上生长活泼金属纳米颗粒，利用金属纳米颗粒易于被氧化的性质来吸收SXO中部分O离子，此时金属纳米颗粒下方的SXO薄膜处于缺氧状态，形成阻值较高的BM‑SXO相阻挡层，此时PV‑SXO导电丝的尺寸由金属纳米颗粒的尺度决定，且PV‑SXO导电丝的方向被一定程度限定为垂直于薄膜面内方向，以实现氧化物基存储器件的一致性与可靠性。
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公开(公告)号：CN114188477B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202111397386.0
申请日：2021-11-23
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种自整流忆阻器阵列及其制备方法和应用，该自整流忆阻器阵列包括垂直堆叠于衬底上的第一电极层阵列，所述第一电极层阵列中每个第一电极层上设置有绝缘层；所述第一电极层阵列中每列的中间开设有沟槽，所述沟槽两侧设置有绝缘层；所述第一电极层阵列中每列的外围由内至外依次设置低k介质层、高k介质层和第二电极层。本发明通过在第一电极层阵列中设置沟槽，使得形成忆阻器阵列，每个忆阻器由横向依次分布的第一电极、低k介质层、高k介质层和第二电极组成，大大增加了忆阻器的存储密度，同时解决了阵列中漏电流问题，适宜商业上推广应用。
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公开(公告)号：CN113921711B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202111165610.3
申请日：2021-09-30
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H10N70/20
摘要： 本发明提供了一种岛状低阻通路忆阻功能层材料、忆阻器及制备方法，属于微电子器件领域，岛状低阻通路忆阻功能层材料包括硒化物层和在硒化物层上由硒化物原位氧化获得的氧化产物层，氧化产物层中具有硒的三方晶体团簇，硒的三方晶体团簇在氧化产物层中呈岛状分布，氧空位导电细丝连通硒的三方晶体团簇和未被氧化的剩余的硒化物部分。忆阻器包括顶电极、底电极、硒化物层、氧化产物层和二维材料层，底电极设置在硒化物层上，二维材料层层叠在氧化产物层上，顶电极设置在二维材料层上，二维材料层能改善氧化产物层与顶电极的接触特性，形成欧姆接触。本发明还提供了忆阻器的制备方法。本发明能提升忆阻器阈值电压一致性的同时降低阈值电压的数值。
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公开(公告)号：CN114912253B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202210423142.3
申请日：2022-04-21
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明提供了一种相变储存材料中掺杂材料与基体材料的选配方法，属于相变存储技术领域，其依次基于以下原则进行选配：基于基体材料低熔点原则，基于掺杂材料择优成键原则，基于掺杂材料间隙掺杂原则，基于自发析出原则选配掺杂元素，基于界面热稳定原则，综合以上原则，选配掺杂元素，采用电热仿真方式预测界面对焦耳热量的影响，热量越高且越集中则认为材料体系越优，采用第一性原理仿真，预测析出相界面对原子迁移的影响，从而预测器件的循环耐久性能。本发明通过理论计算与预测确定材料类型及掺杂效果，可以大幅度减少实验上材料和器件制备工艺、微观分析及器件测试的工作量，节省自析出掺杂相变材料及器件的研发成本，提高研发效率。
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公开(公告)号：CN115062583B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202210675728.9
申请日：2022-06-15
IPC分类号： G06F30/398 , G06N3/006 , G06N7/08
摘要： 本发明公开了一种求解优化问题的Hopfield网络硬件电路及操作方法，该电路包括突触模块、退火模块、神经元模块和激活函数模块；突触模块包括偏置单元和电子突触器件阵列的权重单元，偏置单元输出固定偏置电流信号，阵列以电导的形式编码为权重信息，在来自激活函数模块输出的电压信号的作用下产生输出电流输出至神经元模块；退火模块在暂态退火信号和来自激活函数模块输出的电压信号的作用下产生输出电流，输出到神经元模块；神经元模块包括电阻、电容和运算放大器，接收来自突触模块和退火模块的电流，并产生输出电压，输出到激活函数模块进行非线性激活函数运算。本发明可有效减小外围电路，同时还可提升求解组合优化问题的运行速度和收敛效果。
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