-
公开(公告)号：CN104157755A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410317735.7
申请日：2014-07-03
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/007 , H01L33/16
Abstract: 本发明公开了生长在W衬底上的GaN薄膜，包括生长在W衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的GaN薄膜；所述AlN缓冲层为在400～500℃生长的AlN缓冲层；所述GaN薄膜为在700～800℃生长的GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在W衬底上的GaN薄膜的制备方法及应用。本发明制备的生长在W衬底上的GaN薄膜，具有位错密度低、晶体质量好的优点。
-
公开(公告)号：CN103296157B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201310214607.5
申请日：2013-05-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜，长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片的制备方法。本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能好。
-
公开(公告)号：CN104134727A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410342668.4
申请日：2014-07-17
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括生长在Zr衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的InGaN/GaN多量子阱；所述GaN缓冲层为在500～700℃生长的GaN缓冲层；所述非掺杂GaN层为在600～800℃生长的非掺杂GaN层；所述InGaN/GaN多量子阱为在700～800℃生长的InGaN/GaN量子阱。本发明还公开了上述生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱的制备方法。本发明的InGaN/GaN多量子阱缺陷密度低、结晶质量好、光电性能好，生长工艺简单，制备成本低廉。
-
公开(公告)号：CN106384763B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201610932149.2
申请日：2016-10-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于LED材料的技术领域，公开了非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制法。所述非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱包括LiGaO2衬底，生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN纳米柱模板层，生长在非极性GaN纳米柱模板层中纳米柱阵列上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱。所述非极性GaN纳米柱模板层包括非极性GaN缓冲层和非极性GaN纳米柱阵列。本发明生长在LiGaO2衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱能够提高材料的光电性能，提高了载流子的辐射复合效率，可大幅度提高氮化物器件的发光效率。
-
公开(公告)号：CN106409715A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610937830.6
申请日：2016-10-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/12
Abstract: 本发明公开了一种非极性GaN薄膜缺陷密度的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)采用饱和KOH溶液腐蚀非极性GaN薄膜，腐蚀时间为2～20min；(2)清洗腐蚀后的非极性GaN薄膜；(3)对清洗后的非极性GaN薄膜进行SEM或者AFM测试，测定非极性GaN薄膜的腐蚀坑数量或三棱柱缺陷的数量；(4)计算薄膜缺陷密度：穿透位错密度的计算：穿透位错密度＝腐蚀坑数量/非极性GaN薄膜总面积；堆垛层错密度的计算：堆垛层错密度＝三棱柱总数/非极性GaN薄膜上垂直于棱柱高度方向的直线长度。本发明的方法简单，结果准确可靠；根据不同的腐蚀时间，可以计算薄膜不同厚度处的缺陷密度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106158592A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610754971.4
申请日：2016-08-29
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L31/03044 , H01L31/1852 , H01L31/1856 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01S5/3013 , H01S5/323 , H01S5/343
Abstract: 本发明公开了生长在铝酸镁钪衬底上的GaN薄膜，包括依次生长在ScMgAlO4衬底上的GaN缓冲层，GaN形核层，GaN非晶层以及GaN薄膜。所述ScMgAlO4衬底以(0001)面偏(11‑20)面0.5～1°为外延面。本发明还公开了上述GaN薄膜的制备方法和应用。与现有技术相比，本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，同时采用了非晶层技术，所以本发明制备的GaN薄膜具有晶体质量好、缺陷密度低等特点。
-
公开(公告)号：CN103296158B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310214672.8
申请日：2013-05-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的掺杂GaN薄膜，所述掺杂GaN薄膜为n型掺杂GaN薄膜或p型掺杂GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜的制备方法。与现有技术相比，本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的n型或p型掺杂GaN薄膜缺陷密度低、结晶质量好，电学性能好。
-
公开(公告)号：CN103296159B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201310221246.7
申请日：2013-05-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱。本发明制备的InGaN/GaN多量子阱光致发光峰位是441nm，半峰宽24.3nm，显示出很好的光学性能。本发明还公开了上述InGaN/GaN多量子阱的制备方法。与现有技术相比，本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的InGaN/GaN多量子阱结晶质量好，光学性能好。
-
公开(公告)号：CN103296066B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201310214609.4
申请日：2013-05-31
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/20 , H01L21/203 , H01L33/00 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN薄膜，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的GaN薄膜。所述La0.3Sr1.7AlTaO6衬底以(111)面偏(100)方向0.5～1°为外延面。本发明还公开了上述GaN薄膜的制备方法。与现有技术相比，本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，同时本发明制备的GaN薄膜具有缺陷密度低、结晶质量好等特点。
-
公开(公告)号：CN104134725A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410342731.4
申请日：2014-07-17
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/007 , H01L33/16
Abstract: 本发明公开了生长在Zr衬底上的AlN薄膜，由下至上依次包括Zr衬底和AlN薄膜；所述AlN薄膜为在450～550℃生长的AlN薄膜。本发明还公开了上述生长在Zr衬底上的AlN薄膜的制备方法及应用。本发明的AlN薄膜具有位错密度低、晶体质量好的优点，且Zr衬底容易获得，价格便宜，有利于降低生产成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
38
records
(took 0.022 seconds)
