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公开(公告)号：CN1758456A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510094880.4
申请日：2005-10-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 在β－Ga2O3衬底材料上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法，在MOCVD系统中对生长的β－Ga2O3衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，在500－1050℃温度范围通入载气N2，氨气以及金属有机源，通过控制载气，源气体流量以及生长温度等参数，在β－Ga2O3衬底上合成生长低温GaN缓冲层材料；用MOCVD方法在β－Ga2O3衬底上生长GaN缓冲层材料后在500－1050℃温度下掺入Si生长N型GaN；用MOCVD方法在β－Ga2O3衬底上生长N型GaN层，接着生长5－10个周期的GaN/InGaN多量子阱结构。并生长一层P型GaN层，构成LED器件结构。并对该结构在600－800℃温度和0.1－1小时退火时间进行退火激活。
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公开(公告)号：CN1209618C
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN03158339.3
申请日：2003-09-26
Applicant: 南京大学
IPC: G01N25/18
Abstract: 本发明公开了一种在测量热导率过程中对温度进行调制的装置，它包括带有进水口和出水口的水冷环、加热器和用来协调加热器和电磁阀门工作状态的控制单元，水冷环套在加工成规则形状的导热体上，加热器套在导热体的加热端。与现有技术相比，本发明采用了电磁阀门控制水流，同时用以微处理器为核心的控制单元来协调加热器和电磁阀门的工作状态。测量结果准确，用于教学演示，效果显著。本发明所述的装置在测量良导热体的热导率过程中具有广泛的应用。
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公开(公告)号：CN1599032A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410041443.1
申请日：2004-07-21
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C30B25/02 , C30B29/40
Abstract: 利用氢化物气相外延法和低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量GaN薄膜，在HVPE生长系统或MOCVD系统中，先在较低的400－800℃温度条件下在Si衬底上，以氨气和HCl为气源，生长一层GaN，然后在高温下如1000－1100℃持续生长GaN。低温下生长的GaN层，阻止了氨气对Si衬底的氮化以及高温下Si和HCl的反应，从而使得后续生长的GaN具有较高的质量。
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公开(公告)号：CN1584111A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410041227.7
申请日：2004-06-10
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/52 , C23C16/458 , C23C16/18
Abstract: 一种金属有机源压力闭环控制系统包括流量计、金属有机源、与反应室相连的调节阀和压力传感器(DP)，其特点是还包括由单片机、数模转换器、放大器所组成的单片机控制电路。载气通过流量计导入到金属有机源，携带了金属有机源气体的混合气体通过调节阀通入到反应室；单片机控制电路通过控制调节阀改变气体的流量，压力传感器将压力转换为电压反馈信号输出。通过控制和反馈的信号使得管路内的压力达到一个动态平衡值，以减小对MOCVD材料生长过程的影响。
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公开(公告)号：CN1456901A
公开(公告)日：2003-11-19
申请号：CN03131812.6
申请日：2003-06-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种测量软磁材料特性的实验装置，它包括闭合环状的软磁材料，绕在其上的磁化线圈和探测线圈，磁化线圈与取样电阻、可变电阻及由换向开关或继电器控制的可调直流电源串联构成磁化回路，探测线圈与电子积分器构成测量回路。取样电阻两端和电子积分器输出端与信号调理模块、模数转换电路连接，转换后的数字信号通过计算机的并口或接口卡与计算机连接。本发明的优点是：实验数据稳定，重复性好；能方便完整地绘制出磁滞回线、磁化曲线，便于仔细观察磁化过程；实验设备紧凑，操作使用方便；具有微机接口，方便数据记录和传送。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1399308A
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：CN02113086.8
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/365
Abstract: ZnAl2O4/α－Al2O3复合衬底的制备及ZnAl2O4衬底上GaN薄膜生长方法，先将清洗的α－Al2O3衬底送入脉冲激光淀积(PLD)系统制备ZnO薄膜，生长腔内的氧气偏压气氛下生长ZnO薄膜，然后将上步骤中得到的ZnO/α－Al2O3样品放入高温反应炉中，采用氧气作为反应气氛，ZnO和α－Al2O3在高温下反应得到了ZnAl2O4覆盖层，从而得到了ZnAl2O4/α－Al2O3复合衬底；再将ZnAl2O4/α－Al2O3复合衬底送入GaN的MOCVD生长系统，以MOCVD方法生长GaN薄膜。在GaN的生长过程中，不存在氮化物缓冲层的生长，这不仅能提高生长的重复性，而且也提高了GaN生长系统的利用效率。
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公开(公告)号：CN1383162A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02113088.4
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01F1/40 , H01F41/00 , H01L21/265
Abstract: 离子注入法制备AlN基稀释磁性半导体薄膜材料的方法,将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入AlN半导体薄膜中,即用离子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性离子,然后在850－900℃、NH3气氛条件下退火处理。DMS离子注入法是通过离子注入,将Fe、Mn、Co或Ni等磁性离子注入AlN基半导体材料中来制备磁性半导体的方法。与其他直接生长方法相比,能够实现较高的离子掺杂浓度,因而可以制备出高居里温度的磁性半导体材料。
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公开(公告)号：CN104807768B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510249888.7
申请日：2015-05-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种水体硝基苯含量测量装置，流通池固定在遮光箱中，两面透光，光源固定在遮光箱内表面，探测器固定在光源正下方的遮光箱内表面，超声振子放置于流通池内，蠕动泵固定在遮光箱内，将流通池内的水排出至遮光箱外，电磁阀固定在遮光箱内，连接流通池和遮光箱外界空气，水箱设置于遮光箱外，三通电磁阀连接水箱、流通池和待测水样；所述单片机用于控制所有装置。并公开了使用该装置来测量水体硝基苯含量的测量方法。本发明可以准确测量大范围、高浓度的水体硝基苯含量，测量浓度范围扩展到0‑300000ppm，且可以循环自动在线测量，超声振子可以消除难溶于水的硝基苯的挂壁效应。
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公开(公告)号：CN102465335B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201010549563.8
申请日：2010-11-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种用于半导体材料热壁外延生长系统的加热装置，包括射频加热器和石墨套筒，石墨套筒设置在射频加热器的感应加热线圈中，石墨套筒的内壁和外壁包覆有导热非易燃绝缘层，并置于惰性气体环境中。本发明采用射频加热石墨套筒的方式，可以快速升降温，具有节能，使用寿命长，无需维修等优点。由于感应线圈可以做大直径，因而可以加热大尺寸的石墨套筒来实现大面积反应腔体的快速加热。
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