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公开(公告)号：CN114203643A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111524860.1
申请日：2021-12-14
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L23/10 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了功率半导体器件技术领域的一种弹性压接式半导体模块封装结构，包括内部可容置子模组的外框，所述外框的一面可拆卸安装有发射极板且另一面密封有法兰盘，所述法兰盘包括固定连接的阴极法兰盘和阳极法兰盘，所述阳极法兰盘位于阴极法兰盘的外围，远离外框一侧的所述阴极法兰盘的表面设置有承压凸起，所述承压凸起于外侧施加压力时与子模组集电极电气连接。本发明通过外框密封设置阳极法兰和阴极法兰，使其满足气密性要求；增加了承压凸起，实现与子模组集电极电气连接，且利于提高散热效率。
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公开(公告)号：CN114068515A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111413751.2
申请日：2021-11-25
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开了一种压接式功率器件，包括：管壳集电极电路板、管壳发射极电路板、栅极PCB板和若干个集成子单元，所述集成子单元一面连接所述管壳集电极电路板，另一面设有若干个IGBT芯片和FRD芯片，每个IGBT芯片设有用于连接所述管壳发射极电路板的IGBT凸台，每个FRD芯片设有用于连接所述管壳发射极电路板的FRD凸台，所述栅极PCB板连接所述管壳发射极电路板。针对刚性压接导通电路目前无法实现大面积大电流器件的限制，通过集成诺干个芯片封装为一个单元结构提高芯片的连接数量；针对弹性压接电流通路在器件短路时单个短路芯片的上方的导电臂大电流通路能力有限的缺点，本发明结构属于刚性压接结构可以克服短路同流问题。
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公开(公告)号：CN112234054A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011169526.4
申请日：2020-10-28
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开了一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，旨在解决现有IGBT模块中芯片间的开通峰值电流差异较大的技术问题。其包括：金属基板和六个绝缘陶瓷衬板，在每个绝缘陶瓷衬板上排布有四个IGBT芯片和两个FRD芯片，所述IGBT芯片的栅极设置在IGBT芯片一侧的中间位置，并全部朝向IGBT模块的中央，IGBT芯片的栅极通过键合线连接绝缘陶瓷衬板上的栅极信号铜箔。本发明能够缩小了模块中IGBT芯片间的开通峰值电流差异，提高芯片开通一致性，避免某一芯片过早失效。
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公开(公告)号：CN216849931U
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202122916327.1
申请日：2021-11-25
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开一种压接式功率器件内部结构，包括：集电极电路板、发射极电路板和PCB栅极电路板，所述集电极板设有若干个芯片子单元；所述发射极电路板设有导电缓冲层，每个芯片子单元通过凸台连接导电缓冲层，所述PCB栅极电路板连接所述导电缓冲层。针对刚性压接导通电路目前无法实现大面积大电流器件的限制，通过集成诺干个芯片封装为一个单元结构提高芯片的连接数量；针对弹性压接电流通路在器件短路时单个短路芯片的上方的导电臂大电流通路能力有限的缺点，本实用新型结构属于刚性压接结构可以克服短路同流问题。
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公开(公告)号：CN215644455U
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202120290329.1
申请日：2021-02-01
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种新型IGBT模块装配结构，包括底板、焊片和陶瓷覆铜板（DBC），所述焊片置于所述底板和所述DBC之间，在所述底板朝向焊片的一侧设置有若干定位柱，在所述DBC上设置有若干定位孔，所述定位柱和定位孔位置相对应，所述定位柱一端延伸至所述定位孔内，所述定位柱的高度与所述定位孔的深度之差小于所述焊片的厚度，所述焊片用于焊接时连接所述底板和所述DBC。该模块通过合理涉及定位柱和定位孔的位置和尺寸，实现快速精确装配。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN213998341U
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202022348605.3
申请日：2020-10-21
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: B23K37/04 , B23K101/36
Abstract: 本实用新型公开了一种用于IGBT模块的焊接限位工装，属于IGBT模块真空焊接技术领域，包括焊接托盘、粗限位隔板和精确限位框；焊接托盘的顶面上设有容纳基板的凹槽；粗限位隔板可拆卸地安装于所述基板的顶面，粗限位隔板上贯通地开设有定位框，定位框的两个相对侧边面上对称地设有若干凸台，定位框被所述凸台分割成多个用于限位衬板的子定位框；精确限位框可拆卸地安装于所述焊接托盘的顶面，精确限位框上设有若干定位针，定位针的一端穿过相邻所述子定位框所容纳衬板之间的间隙触压在所述基板的顶面；定位针的直径大于所述凸台的宽度。本实用新型能够保证衬板子单元位置相对固定，装配过程简单、易操作，且便于拆卸工装。
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公开(公告)号：CN213998146U
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202022365101.2
申请日：2020-10-22
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: B23K3/08
Abstract: 本实用新型公开了一种用于功率模块覆铜陶瓷衬板焊接的限位工装，包括基板、限位框和限位隔片，所述基板上设有若干定位销，所述限位框包括C形的第一限位框和第二限位框，所述第一限位框和第二限位框上设有与定位销相对应的定位孔，所述限位隔片卡合于第一限位框和第二限位框的两个端部之间。本实用新型解决了现有技术中限位金属框与基板不匹配、限位效果差、焊接质量低的问题。
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公开(公告)号：CN213459704U
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202022409327.8
申请日：2020-10-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L23/13 , H01L23/367
Abstract: 本实用新型公开了一种用于焊接式IGBT器件的铜基板凸台式结构，包括铜基板(1)，所述铜基板(1)为预折弯结构且上面为凹面，所述铜基板(1)上面沿着长度方向开设有两条平行设置的横向开槽(5)，两条所述横向开槽(5)之间开设有若干条平行设置的竖向开槽(4)，所述横向开槽(5)和竖向开槽(4)之间形成若干个凸台(3)，所述凸台(3)面积与衬板焊接面面积相当，所述铜基板(1)长度方向边缘处开设有固定孔位(2)。本实用新型提供的一种用于焊接式IGBT器件的铜基板凸台式结构，能够释放部分焊接应力降低焊接翘曲度以及降低器件安装难度，提高器件散热面与冷却板的契合度。
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公开(公告)号：CN215034777U
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202023146534.5
申请日：2020-12-24
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: B23K37/04
Abstract: 本实用新型公开了一种可实现自动化取放的高压IGBT模块焊接限位工装，基板（2）上可拆卸固定安装若干个衬板（4），其特征在于，包括焊接托盘（1）和限位框（3），所述焊接托盘（1）上开设有容纳基板（2）的凹槽，所述限位框（3）将所述基板（2）可拆卸地固定安装于所述焊接托盘（1）上，所述限位框（3）上贯穿开设有用于限位衬板（4）的定位框。还包括若干个用于将衬板（4）分隔开的定位块（6），所述定位块（6）安置在若干个衬板（4）的交界连接处。本实用新型能够保证衬板子单元位置相对固定，装配过程简单易操作。
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公开(公告)号：CN213459658U
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202022367682.3
申请日：2020-10-22
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本实用新型公开了一种用于IGBT键合的通用工装，包括支撑板、吸附机构和压合机构，所述吸附机构包括贯穿支撑板的若干真空吸附孔以及与真空吸附孔相连通的真空回路，所述压合机构包括设于支撑板上方的压板、与压板固定相连的升降杆以及能够控制升降杆升降的气动装置。本实用新型在产品键合前无需频繁更换键合工装，只需要根据产品的类型选择合适的固定方式，操作简单，使用寿命长。
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