公开(公告)号：CN103930805A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201280047174.2

申请日：2012-09-18

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： D.H.埃姆 ,  吉塞拉范·布兰肯哈根

IPC: G02B5/08 ,  G21K1/06 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/702 ,  B82Y10/00 ,  G02B1/105 ,  G02B1/14 ,  G02B5/0891 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70575 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/062

Abstract: 本发明涉及一种在反射镜(13)的涂层(16)上制造由氧化硅SiOx构成的覆盖层(18)自勺方法，所述涂层反射例如用于EUV光刻设备或EUV掩模度量系统的EUV辐射(6)，该方法包含：照射由氮化硅SiNX构成或由氮氧化硅SiNxOy构成的覆盖层(18)，将所述覆盖层(18)的所述氮化硅SiNx或所述氮氧化硅SiNxOy转变为氧化硅SiOx。本发明还涉及一种包含由氧化硅SiOx构成的覆盖层的反射镜(13)，以及一种包含至少一个这种反射镜(13)的EUV光刻设备。

公开(公告)号：CN102576196A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080043761.5

申请日：2010-09-17

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： D.H.埃姆 ,  A.多科纳尔 ,  G.冯布兰肯哈根

IPC: G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  G02B5/08

CPC classification number: G03F7/70958 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B5/0825 ,  G02B5/0891 ,  G03F1/24 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70916 ,  G03F7/70925 ,  G03F7/70941 ,  G03F7/70983 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/061 ,  G21K2201/067

Abstract: 为了减小由EUV光刻设备中的二氧化硅、碳氢化合物和/金属构成的污染物对反射率的不利影响，提出一种用于极紫外波长范围的具有反射表面(59)的反射光学元件(50)，其中该反射表面(59)的多层镀膜具有由氟化物构成的顶端层(56)。在EUV光刻设备的操作期间沉积在反射光学元件(50)上的所提及的污染物通过添加以下所提及的至少一种物质而被转化为挥发性化合物：原子氢、分子氢、全氟化烷烃(例如四氟化甲烷)、氧、氮和/或氦。