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公开(公告)号：CN103827701A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201280047176.1
申请日：2012-09-18
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G03F7/702 , B82Y10/00 , C23C16/308 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067
Abstract: 本发明涉及一种用在例如EUV光刻设备或EUV掩模度量系统中的反射镜(13)，包括：基板(15)和反射EUV辐射(6)的涂层(16)，所述反射涂层具有由氮氧化物构成，尤其由SiNXOY构成的覆盖层(18)，其中，氮氧化物NXOY中的氮比例x在0.4和1.4之间。本发明还涉及一种包括至少一个这种EUV反射镜(13)的EUV光刻设备以及一种操作这种EUV光刻设备的方法。
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公开(公告)号：CN103547945B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201280024078.6
申请日：2012-05-15
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G03F7/2008 , B82Y10/00 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G02B19/0095 , G02B27/0006 , G03F7/2004 , G03F7/70316 , G03F7/70916 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067 , Y10T428/265
Abstract: 为了减少活性氢对尤其位于EUV光刻装置内的反射光学元件的寿命的不利影响，提出了用于极紫外和软X射线波长区域的反射光学元件(50)，其包含具有多层系统(51)的反射表面，在该情况下，反射表面(60)包含具有由碳化硅或钌构成的最上层(56)的保护层系统(59)，保护层系统(59)具有在5nm和25nm之间的厚度。
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公开(公告)号：CN103547945A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280024078.6
申请日：2012-05-15
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G03F7/2008 , B82Y10/00 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G02B19/0095 , G02B27/0006 , G03F7/2004 , G03F7/70316 , G03F7/70916 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067 , Y10T428/265
Abstract: 为了减少活性氢对尤其位于EUV光刻装置内的反射光学元件的寿命的不利影响，提出了用于极紫外和软X射线波长区域的反射光学元件(50)，其包含具有多层系统(51)的反射表面，在该情况下，反射表面(60)包含具有由碳化硅或钌构成的最上层(56)的保护层系统(59)，保护层系统(59)具有在5nm和25nm之间的厚度。
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公开(公告)号：CN102939567A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201180029301.1
申请日：2011-06-14
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G21K5/04 , G03F7/70233 , G03F7/70916
Abstract: 为了在用EUV辐射（4）照射用于EUV光刻的反射光学元件（2）时，防止该反射光学元件带电，提出了一种用于EUV光刻的光学系统，该光学系统包含：反射光学元件（2），其包括具有高反射涂层（22）的基底（21），在用EUV辐射（4）照射该基底时，该基底发出二次电子；以及带电粒子的源（3），其布置为使得能够将带电粒子施加于反射光学元件（2），其中源（3）为浸没电子枪，其将电子施加至反射光学元件（2），作为用于载流子补偿的唯一手段。
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公开(公告)号：CN103827701B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201280047176.1
申请日：2012-09-18
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G03F7/702 , B82Y10/00 , C23C16/308 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067
Abstract: 本发明涉及一种用在例如EUV光刻设备或EUV掩模度量系统中的反射镜(13)，包括：基板(15)和反射EUV辐射(6)的涂层(16)，所述反射涂层具有由氮氧化物构成，尤其由SiNXOY构成的覆盖层(18)，其中，氮氧化物NXOY中的氮比例x在0.4和1.4之间。本发明还涉及一种包括至少一个这种EUV反射镜(13)的EUV光刻设备以及一种操作这种EUV光刻设备的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103930805B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201280047174.2
申请日：2012-09-18
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Inventor： D.H.埃姆 , 吉塞拉范·布兰肯哈根
CPC classification number: G03F7/702 , B82Y10/00 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G03F7/70575 , G03F7/70958 , G21K1/062
Abstract: 本发明涉及一种在反射镜(13)的涂层(16)上制造由氧化硅SiOx构成的覆盖层(18)自勺方法，所述涂层反射例如用于EUV光刻设备或EUV掩模度量系统的EUV辐射(6)，该方法包含：照射由氮化硅SiNX构成或由氮氧化硅SiNxOy构成的覆盖层(18)，将所述覆盖层(18)的所述氮化硅SiNx或所述氮氧化硅SiNxOy转变为氧化硅SiOx。本发明还涉及一种包含由氧化硅SiOx构成的覆盖层的反射镜(13)，以及一种包含至少一个这种反射镜(13)的EUV光刻设备。
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公开(公告)号：CN102939567B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201180029301.1
申请日：2011-06-14
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G21K5/04 , G03F7/70233 , G03F7/70916
Abstract: 为了在用EUV辐射（4）照射用于EUV光刻的反射光学元件（2）时，防止该反射光学元件带电，提出了一种用于EUV光刻的光学系统，该光学系统包含：反射光学元件（2），其包括具有高反射涂层（22）的基底（21），在用EUV辐射（4）照射该基底时，该基底发出二次电子；以及带电粒子的源（3），其布置为使得能够将带电粒子施加于反射光学元件（2），其中源（3）为浸没电子枪，其将电子施加至反射光学元件（2），作为用于载流子补偿的唯一手段。
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公开(公告)号：CN103080842A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180042049.8
申请日：2011-08-29
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70191 , G03F7/70891 , G21K1/062 , H05B6/10
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体光刻的投射曝光装置(11)，其包含光学元件(1、18)，其中所述光学元件(1)中的至少一个具有用于在该光学元件(1)中以非接触方式产生电流的构件(2)，所述电流适合于至少在多个区域中加热该至少一个光学元件(1)。
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公开(公告)号：CN105074576B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201480016112.4
申请日：2014-01-13
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司 , ASML荷兰公司
CPC classification number: G02B1/14 , C23C16/56 , G02B5/0891 , G03F7/7015 , G03F7/70316 , G03F7/70916 , G03F7/70925 , G03F7/70958 , G03F7/70983 , G21K1/062
Abstract: 本发明涉及一种光学元件(50)，包括：基板(52)、施加到所述基板(52)的EUV辐射反射式多层系统(51)和施加到所述多层系统(51)的保护层系统(60)，所述保护层系统具有至少第一和第二层(57,58)，其中，第一层(57)布置成比第二层(58)更接近所述多层系统(51)。所述第一层(57)充当氢的扩散阻挡物，并且对于氢的溶度低于所述第二层(58)，第二层用于吸收氢。本发明还涉及一种EUV光刻的光学系统，其包括至少一个这种光学元件(50)，还涉及一种处理光学元件(50)的方法，以移除包含在保护层系统(60)的至少一个层(57,58,59)和/或多层系统(51)的至少一个层(53,54)中的氢。
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公开(公告)号：CN105074576A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480016112.4
申请日：2014-01-13
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司 , ASML荷兰公司
CPC classification number: G02B1/14 , C23C16/56 , G02B5/0891 , G03F7/7015 , G03F7/70316 , G03F7/70916 , G03F7/70925 , G03F7/70958 , G03F7/70983 , G21K1/062
Abstract: 本发明涉及一种光学元件(50)，包括：基板(52)、施加到所述基板(52)的EUV辐射反射式多层系统(51)和施加到所述多层系统(51)的保护层系统(60)，所述保护层系统具有至少第一和第二层(57,58)，其中，第一层(57)布置成比第二层(58)更接近所述多层系统(51)。所述第一层(57)充当氢的扩散阻挡物，并且对于氢的溶度低于所述第二层(58)，第二层用于吸收氢。本发明还涉及一种EUV光刻的光学系统，其包括至少一个这种光学元件(50)，还涉及一种处理光学元件(50)的方法，以移除包含在保护层系统(60)的至少一个层(57,58,59)和/或多层系统(51)的至少一个层(53,54)中的氢。
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