公开(公告)号：CN108885980A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201680083855.2

申请日：2016-11-25

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 青山真沙美 ,  杉山二朗 ,  石黑邦彦 ,  佐野透

IPC: H01L21/301 ,  H01L23/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供一种电子器件封装用带，其能抑制在从粘合带拾取带粘接剂层的金属层时因拾取装置的顶针的顶起使金属层变形而产生顶针的痕迹，能抑制在粘接剂层与被粘物之间产生空隙。本发明的电子器件封装用带(1)具有：粘合带(5)，其具有基材膜(51)和粘合剂层(52)；以及被设置为层叠于粘合剂层(52)的与基材膜(51)相反的一侧的粘接剂层(4)和金属层(3)所构成的层叠体，金属层(3)的拉伸强度为350MPa以上。

公开(公告)号：CN107960133A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201680025557.8

申请日：2016-10-05

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 青山真沙美 ,  佐野透

IPC: H01L21/683 ,  H01L23/36 ,  C09J7/20

CPC classification number: H01L23/36 ,  C09J7/20

Abstract: 本发明提供一种能够防止在向半导体晶圆贴合时金属层产生褶皱的半导体加工用带。本发明的半导体加工用带(10)的特征在于，具有：具有基材膜(11)和粘合剂层(12)的切割带(13)、设置于所述粘合剂层(12)上且用于保护半导体芯片的背面的金属层(14)、以及设置于所述金属层(14)上且用于将所述金属层(14)粘接于半导体芯片的背面的粘接剂层(15)，所述切割带(13)的环刚度为20mN以上且低于200mN。

公开(公告)号：CN104756235B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201380054399.5

申请日：2013-10-15

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 佐野透 ,  矢吹朗 ,  玉川有理 ,  大田乡史 ,  阿久津晃 ,  松原侑弘

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J11/06 ,  C09J131/04 ,  C09J133/00

CPC classification number: C09J133/08 ,  C08K5/12 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J131/04 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2433/00

Abstract: 本发明提供一种切割胶带，其在切割工序后的拾取工序中，不会使薄型的半导体芯片产生芯片破裂，且可在短时间内效率良好地拾取。本发明的切割胶带(1)的粘合剂层，相对于选自丙烯酸聚合物、乙酸乙烯酯聚合物及具有碳‑碳双键的丙烯酸系聚合物中的1种或2种以上的聚合物100质量份，含0.5～30质量份的邻苯二甲酸酯类，且剥离力在放射线固化前为0.5N/25mm以上，放射线固化后为0.05～0.4N/25mm，在将放射线固化后的在剥离速度50mm/min下的剥离力设为(i)、且将1000mm/min下的剥离力设为(ii)时，(ii)/(i)为1以下。

公开(公告)号：CN103460348B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280017728.4

申请日：2012-12-26

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 佐野透 ,  石黑邦彦 ,  三原尚明 ,  井之前千佳子 ,  矢吹朗 ,  建部一贵

IPC: H01L21/301 ,  C09J4/00 ,  C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  C09J161/28 ,  C09J163/00 ,  C09J175/04 ,  C09J201/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/52

CPC classification number: C09J4/00 ,  C08G18/6229 ,  C08G18/6705 ,  C08G18/8029 ,  C08G18/8116 ,  C08L75/00 ,  C09J7/385 ,  C09J133/14 ,  C09J161/28 ,  C09J175/14 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  C08F2220/1858 ,  C08F220/20 ,  C08F220/06 ,  C08F2220/1883 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种晶片加工用胶带，其不因扩张而在粘接剂层与粘合剂层界面产生偏移，具有适于切断粘接剂层的工序的均一扩张性，且拾取性优异。在本发明中，使用晶片加工用胶带，该晶片加工用胶带的特征在于，由基材薄膜、形成在上述基材薄膜上的粘合剂层、及形成在上述粘合剂层上的粘接剂层构成，上述粘合剂层与上述粘接剂层在25℃下的剪切力为0.2N/mm2以上，在200mJ/cm2的能量线照射后依据JIS?Z0237的标准状态下的剥离速度为300mm/min、剥离角度为180°时的上述粘合剂层与上述粘接剂层的剥离力为0.3N/25mm以下。

公开(公告)号：CN105143380A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480016641.4

申请日：2014-03-27

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 佐野透 ,  杉山二朗 ,  矢吹朗

IPC: C09J7/02 ,  C09J4/00 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/385 ,  C09J2203/326 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种晶片加工用胶带，其具有适于利用扩张来截断胶粘剂层的工序的均匀扩张性和拾取性，并且刀片划片工序中的切削性和拾取性也优异。本发明使用如下的粘合带，其特征在于，在基材膜的一方的面上层叠粘合剂层，在比较从所述粘合剂层的所述基材膜侧的表面起厚1μm的区域的基于红外吸收光谱分析的4000～650cm－1的红外光谱、和从所述粘合剂层的与所述基材膜侧相反一侧的表面起厚1μm的区域的基于红外吸收光谱分析的4000～650cm－1的红外光谱时，匹配度为95％以下，从与所述基材膜侧相反一侧的表面起厚1μm的区域的粘合剂层含有在分子中具有放射线固化性碳－碳双键的化合物(A)、和选自聚异氰酸酯类、三聚氰胺-甲醛树脂及环氧树脂中的至少1种的化合物(B)。

公开(公告)号：CN104756235A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201380054399.5

申请日：2013-10-15

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 佐野透 ,  矢吹朗 ,  玉川有理 ,  大田乡史 ,  阿久津晃 ,  松原侑弘

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J11/06 ,  C09J131/04 ,  C09J133/00

CPC classification number: C09J133/08 ,  C08K5/12 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J131/04 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2433/00

Abstract: 本发明提供一种切割胶带，其在切割工序后的拾取工序中，不会使薄型的半导体芯片产生芯片破裂，且可在短时间内效率良好地拾取。本发明的切割胶带(1)的粘合剂层，相对于选自丙烯酸聚合物、乙酸乙烯酯聚合物及具有碳-碳双键的丙烯酸系聚合物中的1种或2种以上的聚合物100质量份，含0.5～30质量份的邻苯二甲酸酯类，且剥离力在放射线固化前为0.5N/25mm以上，放射线固化后为0.05～0.4N/25mm，在将放射线固化后的在剥离速度50mm/min下的剥离力设为(i)、且将1000mm/min下的剥离力设为(ii)时，(ii)/(i)为1以下。

公开(公告)号：CN110546736B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201880005341.4

申请日：2018-07-18

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 佐野透 ,  仙台晃 ,  桥本浩介

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38

Abstract: 本发明提供能够在短时间充分加热收缩且能够保持切口(kerf)宽度的半导体加工用带。本发明的半导体加工用带(10)的特征为具有粘合带(15)，该粘合带(15)具有基材膜(11)及形成于所述基材膜(11)的至少一面侧的粘合剂层(12)，对于所述粘合带(15)而言，MD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的微分值的平均值与TD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的微分值的平均值之和为负值。

公开(公告)号：CN110546738A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201880005343.3

申请日：2018-07-18

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 桥本浩介 ,  仙台晃 ,  佐野透

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38

Abstract: 本发明提供能够在短时间充分加热收缩且能够保持切口(kerf)宽度的半导体加工用带。本发明的半导体加工用带(10)的特征为具有粘合带(15)，该粘合带(15)具有基材膜(11)及形成于所述基材膜(11)的至少一面侧的粘合剂层(12)，所述粘合带(15)以于任意第一方向的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的总和算出的积分值与以于与所述第一方向成直角的第二方向的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的总和算出的积分值之和为负值。

公开(公告)号：CN110546735A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201880005323.6

申请日：2018-07-18

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 桥本浩介 ,  仙台晃 ,  佐野透

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38

Abstract: 本发明提供能够在短时间充分加热收缩且能够保持切口(kerf)宽度的半导体加工用带。本发明的半导体加工用带(10)的特征为具有粘合带(15)，该粘合带(15)具有基材膜(11)及形成于所述基材膜(11)的至少一面侧的粘合剂层(12)，对于所述粘合带(15)而言，MD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的平均值与TD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的平均值之和为负值。

公开(公告)号：CN105143380B

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201480016641.4

申请日：2014-03-27

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 佐野透 ,  杉山二朗 ,  矢吹朗

IPC: C09J7/38 ,  C09J4/00 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种晶片加工用胶带，其具有适于利用扩张来截断胶粘剂层的工序的均匀扩张性和拾取性，并且刀片划片工序中的切削性和拾取性也优异。本发明使用如下的粘合带，其特征在于，在基材膜的一方的面上层叠粘合剂层，在比较从所述粘合剂层的所述基材膜侧的表面起厚1μm的区域的基于红外吸收光谱分析的4000～650cm－1的红外光谱、和从所述粘合剂层的与所述基材膜侧相反一侧的表面起厚1μm的区域的基于红外吸收光谱分析的4000～650cm－1的红外光谱时，匹配度为95％以下，从与所述基材膜侧相反一侧的表面起厚1μm的区域的粘合剂层含有在分子中具有放射线固化性碳－碳双键的化合物(A)、和选自聚异氰酸酯类、三聚氰胺‑甲醛树脂及环氧树脂中的至少1种的化合物(B)。