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公开(公告)号:CN117270117A
公开(公告)日:2023-12-22
申请号:CN202310959876.8
申请日:2023-08-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 半导体结构包括:光学中介层,具有位于第一介电层中的至少一个第一光子器件和位于第二介电层中的至少一个第二光子器件,其中,第二介电层设置在第一介电层之上。半导体结构还包括:第一管芯,设置在光学中介层上并且电连接至光学中介层;第一衬底,位于光学中介层下面;以及导电连接件,位于第一衬底下面。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号:CN221977157U
公开(公告)日:2024-11-08
申请号:CN202420430937.1
申请日:2024-03-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 本新型提供光子装置,包括光子互连结构以及设置在光子互连结构上方的光接收结构,光子互连结构包括第一包覆层、设置在第一包覆层上方的波导、设置在波导以及第一包覆层上方的第二包覆层、设置在第一包覆层以及第二包覆层中的透明材料、设置在第二侧壁上方的第一反射膜。透明材料包括邻近波导的第一侧壁、以及相对第一侧壁倾斜的第二侧壁。光接收结构包括透明凸出部以及第二反射膜。透明凸出部位在透明材料上方,包括第一侧壁以及与第一侧壁相对的第二侧壁,第二侧壁是弯曲侧壁。第二反射膜设置在第二侧壁上方,且水平地与第一反射膜重叠。本新型还提供一种光子封装体。
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