公开(公告)号：CN113451150B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202110644439.8

申请日：2021-06-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 夏兴国 ,  余振华 ,  丁国强 ,  侯上勇

IPC: H01L21/50 ,  H01L25/16 ,  G02B6/12 ,  G02B6/13

Abstract: 方法包括形成第一光子封装件，其中，形成第一光子封装件包括：图案化硅层以形成第一波导，其中，硅层位于氧化物层上，并且其中，氧化物层位于衬底上；形成延伸至衬底中的通孔；在第一波导和通孔上方形成第一再分布结构，其中，第一再分布结构电连接至通孔；将第一半导体器件连接至第一再分布结构；去除衬底的第一部分以形成第一凹槽，其中，第一凹槽暴露氧化物层；以及利用第一介电材料填充第一凹槽以形成第一介电区域。本申请的实施例还涉及封装件及其制造方法。

公开(公告)号：CN118795619A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410799298.0

申请日：2024-06-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  夏兴国 ,  曾智伟 ,  吴俊毅 ,  卢思维 ,  巢瑞麟

IPC: G02B6/42

Abstract: 本申请的实施例公开了一种光子组件及其形成方法，该光子组件包括：复合管芯，包括PIC管芯和EIC管芯，PIC管芯中包括波导和光子器件，并且EIC管芯中包含半导体器件；光学连接器单元，包括第一连接器侧镜反射器和第一过渡边缘耦合器，并且附接到复合管芯的顶表面，其中第一连接器侧镜反射器被配置为在穿过复合管芯的垂直延伸光束路径与穿过第一过渡边缘耦合器的水平延伸光束路径之间改变光束方向；以及光纤阵列单元组件，附接到光学连接器单元的侧壁。

公开(公告)号：CN117420635A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311123026.0

申请日：2023-09-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 夏兴国 ,  巢瑞麟 ,  余振华 ,  尤志豪 ,  戴世芃

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/42

Abstract: 呈现了光学器件及其制造方法，其中激光管芯或其它异构器件嵌入在光学器件内并且倏逝耦合至其它器件。倏逝耦合可以从激光管芯至波导、至外腔、至外部耦合器或者至中介层衬底实施。

公开(公告)号：CN117393496A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311209902.1

申请日：2023-09-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 夏兴国 ,  余振华 ,  巢瑞麟

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L25/16 ,  G02B6/12

Abstract: 方法包括：图案化衬底中的顶部硅层以形成多个光子器件。衬底包括顶部硅层、位于顶部硅层下方的第一介电层以及位于第一介电层下方的半导体层。方法还包括：形成第二介电层以将多个光子器件嵌入其中；在多个光子器件上方形成信号耦合至多个光子器件的互连结构；将电子管芯接合至互连结构；减薄半导体层；以及图案化已经减薄的半导体层以形成开口。用介电材料填充开口以形成介电区域。形成穿透介电区域的通孔以电耦合至互连结构。本申请的实施例还涉及封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN117270117A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202310959876.8

申请日：2023-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾智伟 ,  夏兴国 ,  斯帝芬·鲁苏 ,  余振华 ,  周淳朴

IPC: G02B6/42

Abstract: 半导体结构包括：光学中介层，具有位于第一介电层中的至少一个第一光子器件和位于第二介电层中的至少一个第二光子器件，其中，第二介电层设置在第一介电层之上。半导体结构还包括：第一管芯，设置在光学中介层上并且电连接至光学中介层；第一衬底，位于光学中介层下面；以及导电连接件，位于第一衬底下面。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN114755758A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202210086761.8

申请日：2022-01-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭丰维 ,  夏兴国 ,  周淳朴

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/124 ,  G02B6/32 ,  G02B6/34

Abstract: 本发明提供一种用于光学信号处理的器件和系统及制造半导体器件的方法。用于光学信号处理的器件包括第一层、第二层和波导层。透镜设置在第一层内且相邻于第一层的表面。第二层位于第一层下方且相邻于第一层的另一表面。波导层位于第二层下方，并配置成波导在波导层中传输的光束。光栅耦合器设置在波导层之上。透镜配置成从光栅耦合器或光引导器件中的一者接收光束，并将光束聚焦到光引导器件或光栅耦合器中的另一者。

公开(公告)号：CN102376840B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201110022196.0

申请日：2011-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄泓文 ,  夏兴国 ,  邱清华

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L21/2654 ,  H01L2933/0025

Abstract: 本发明公开一种发光二极管及发光二极管的制造方法，该发光二极管包含一发光结构，此发光结构含有一置于横跨一第一掺杂层的垂直侧壁上的钝化层、一发光层，及至少完全覆盖上述发光层侧壁的一第二掺杂层。通过等离子体轰击(plasma bombardment)或发光结构的离子注入来形成钝化层。如此可在后续工艺步骤中保护侧壁且防止发光层周围的电流泄漏。

公开(公告)号：CN102468384A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110329787.2

申请日：2011-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄泓文 ,  夏兴国 ,  邱清华

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/007 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明涉及一种制造LEDs的方法，该方法在向台面结构上沉积有源层和其余外延层之前，通过为n-掺杂的外延层形成图案和蚀刻来形成n-掺杂层粗糙的表面区域以及临近粗糙的表面区域的台面结构。该方法包括生长LED的外延层，该外延层包括非掺杂层和在生长衬底的晶圆上的n-掺杂层。该方法还包括为n-掺杂层形成图案以形成n-掺杂层的第一区域和临近该第一区域的n-掺杂层的台面区域。该方法进一步包括蚀刻n-掺杂层的第一区域以生成粗糙的表面。该方法进一步包括生长附加的LED外延层，该附加的外延层包括有源层和在n-掺杂层的台面区域上的p-掺杂层。

公开(公告)号：CN115248477B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202210522744.4

申请日：2022-05-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  夏兴国

IPC: G02B6/13 ,  G02B6/136 ,  G02B6/12 ,  G02B6/124 ,  G02B6/42

Abstract: 一种方法包括形成第一光子管芯，其包括形成第一硅波导，以及形成第一氮化物波导。该方法还包括形成延伸到第一光子管芯中的第一多个介电层中的第一通孔，以及将第二光子管芯接合到第一光子管芯。第二光子管芯包括第二氮化物波导。第一硅波导通过第一氮化物波导光耦合到第二氮化物波导。第二通孔延伸到第二光子管芯中的第二多个介电层中。本申请的实施例提供了封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN119065075A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202411079589.9

申请日：2024-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  夏兴国 ,  曾智伟 ,  吴俊毅

IPC: G02B6/42

Abstract: 光子组件包括复合管芯。复合管芯包括：其中包括波导和光子器件的光子集成电路(PIC)管芯；其中包括半导体器件的电子集成电路(EIC)管芯；以及接触PIC管芯的顶表面并与EIC管芯横向间隔开的嵌入式光学连接器管芯。本申请的实施例还涉及形成光子组件的方法。