公开(公告)号：CN106206729A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510262860.7

申请日：2015-05-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 温宗尧 ,  王圣祯 ,  杨世海 ,  宋学昌 ,  郑雅云

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/24 ,  H01L29/04

Abstract: 本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构及其形成方法。FinFET器件结构包括衬底和从衬底延伸的鳍结构。FinFET器件结构也包括形成在鳍结构中的抗穿通注入(APT)区和形成在APT区上的阻挡层。阻挡层具有中间部分和外围部分，并且中间部分高于外围部分。FinFET器件结构还包括形成在阻挡层上的外延层。

公开(公告)号：CN105789304A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201510412099.0

申请日：2015-07-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 温宗尧 ,  杨世海 ,  赖柏宇 ,  王圣祯

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/0673 ,  H01L21/02532 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/785 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42356

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：衬底；和鳍结构，位于衬底上方。半导体结构还包括：第一引线结构，形成在鳍结构上方；以及源极结构和漏极结构，形成在鳍结构的相对两侧上。半导体结构还包括：栅极结构，形成在鳍结构上方。另外，通过栅极结构将鳍结构与第一引线结构分离。

公开(公告)号：CN105428394A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510193452.0

申请日：2015-04-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 温宗尧 ,  赖柏宇

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 半导体器件包括：第一鳍部件，嵌入在设置在半导体衬底上方的隔离结构内，第一鳍部件具有第一侧壁和相对的第二侧壁以及从第一侧壁延伸至第二侧壁的顶面。该器件也包括：第二鳍部件，设置在隔离结构上方并且具有第三侧壁和第四侧壁。第三侧壁与第一鳍部件的第一侧壁对准。该器件也包括：栅极介电层，直接设置在第一鳍部件的顶面上以及第二鳍部件的第三侧壁和第四侧壁上；以及栅电极，设置在栅极介电层上方。本发明还涉及鳍部件的结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN105374876A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510226747.3

申请日：2015-05-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 温宗尧 ,  王茂南 ,  杨世海

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/11 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了具有U形FinFET的半导体器件及其形成方法。半导体器件包括：衬底和位于衬底上方的鳍，其中，鳍在顶视图中具有U形并且具有第一臂部和第二臂部以及连接第一臂部和第二臂部的桥部。该半导体器件还包括位于衬底上方的第一栅极，第一栅极在第一臂部和第二臂部及桥部处与鳍接合。FinFET的源极区形成在第一臂部中，FinFET的漏极区形成在第二臂部中，并且FinFET的沟道区形成在源极区和漏极区之间的鳍中。本发明涉及具有U形沟道的FinFET晶体管。