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公开(公告)号：CN101864595A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010192338.3
申请日：2010-06-07
申请人： 长春理工大学
摘要： 掺铒氟化钆锂晶体及其生长方法，属于光电子材料技术领域。现有掺铒氟化钇锂晶体因离子半径匹配方面的原因，掺杂浓度低；在生长这种晶体的过程中，由于氟化钇锂熔点高，原料挥发严重，难以生长出大尺寸的晶体。本发明之掺铒氟化钆锂晶体属于四方晶系，以稀土铒为激活离子，所述掺铒氟化钆锂晶体分子式为Er:LiGdF4，晶体基质为氟化钆锂；其生长方法特征在于LiF按LiF∶GdF3＝16.5～17∶7.76～8过量加入，晶体生长工艺参数确定为提拉速度：0.3～0.8mm/h，旋转速度：3～10rpm，生长温度：745～755℃。掺铒氟化钆锂晶体是一种激光晶体，适用于大功率固体激光器。
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公开(公告)号：CN101643935A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910067493.X
申请日：2009-09-04
申请人： 长春理工大学
摘要： 2μm波段K(Yb/Tm)W激光晶体，输出2μm波段的激光，具有低阈值、高增益的特点，所制作的激光器激光输出效率高，属于光电子材料领域。现有能够产生这种激光的激光晶体其基质材料为钨酸钆钾、钨酸钇钾等，由于缺少敏化离子，导致增益低，采用所述激光晶体制作的激光器激光输出效率低。虽然现有KYbW激光晶体含有敏化离子，但是，其激光输出波长是在0.98～1.08μm范围内。本发明激光晶体基质为钾及稀土复合钨酸盐，掺有2μm波段激活离子，基质中的稀土离子为Yb 3+ 或者Tm 3+ 。应用于激光测距、激光雷达、光电干扰、遥感、环境检测、光通讯以及医疗等领域。
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公开(公告)号：CN101550597A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910066837.5
申请日：2009-04-17
申请人： 长春理工大学
摘要： 一种制备Cr4+:Ca2GeO4激光晶体的方法属于可调谐激光晶体技术领域。现有技术采用自发结晶法、助溶剂法制备Cr4+:Ca2GeO4激光晶体；Cr4+是通过直接加入三氧化二铬原料，在晶体的生长过程中所产生；二氧化锗等原料直接加入熔体中。主要问题是生长速率低、晶体尺寸小，晶体中含有较多缺陷，Cr3+未能完全转化为Cr4+，以及二氧化锗的挥发。本发明包括以下步骤：1.按照化学计量比称取所用原料三氧化二铬、三氧化铬、碳酸钙和二氧化锗，其中三氧化二铬过量1～2％(wt)称取；2.将三氧化二铬和三氧化铬混合，采用水热合成法合成二氧化铬；3.将二氧化铬、碳酸钙和二氧化锗混合后压制成型；高温烧结后研磨成粉，再次高温烧结，获得生长料；4.采用提拉法使用所获得的生长料生长Cr4+:Ca2GeO4激光晶体。
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公开(公告)号：CN114671461B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202210525113.8
申请日：2022-05-17
申请人： 长春理工大学
IPC分类号： H01M4/485 , H01M10/0525 , C01G23/00
摘要： 本发明提供一种含氧空位的尖晶石结构金属氧化物负极材料的高温高压制备方法，步骤如下：将原料混匀后模压成型并装配组装合成块；将组装块置于高温高压合成设备的腔体中；在压力0.5～2.0GPa,温度773～1473K下保温保压30min以上,制得所述含氧空位的尖晶石结构金属氧化物负极材料。本方法在合成样品的同时原位引入氧空位，避免惰性氛围长时间烧结。与传统固相合成法相比缩短了制备时间，工艺简单，重复性好，压力可控。
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公开(公告)号：CN114671461A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210525113.8
申请日：2022-05-17
申请人： 长春理工大学
IPC分类号： C01G23/00 , H01M4/485 , H01M10/0525
摘要： 本发明提供一种含氧空位的尖晶石结构金属氧化物负极材料的高温高压制备方法，步骤如下：将原料混匀后模压成型并装配组装合成块；将组装块置于高温高压合成设备的腔体中；在压力0.5～2.0GPa,温度773～1473K下保温保压30min以上,制得所述含氧空位的尖晶石结构金属氧化物负极材料。本方法在合成样品的同时原位引入氧空位，避免惰性氛围长时间烧结。与传统固相合成法相比缩短了制备时间，工艺简单，重复性好，压力可控。
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公开(公告)号：CN106784280A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611197368.7
申请日：2016-12-22
申请人： 长春理工大学
摘要： 本发明公开了一种低热导率、高ZT值方钴矿热电材料。本发明的热电材料具有明显低于现有方钴矿热电材料的热导率和高于现有方钴矿材料的ZT值。本发明的方钴矿热电材料由填充材料M、置换材料N、Co和Sb通过高压合成而制成，该热电材料的分子式为MyCo4Sb12‑xNx，其中x和y的数值范围在0.1‑2之间。本发明热电材料的合成方法极为简单，并适用于工业化生产。所得产物机械性能好，热导率远低于其他方法所合成的填充型或置换型CoSb3热电材料，且具有高的热电性能。
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公开(公告)号：CN103320760B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310293559.3
申请日：2013-07-12
申请人： 长春理工大学
摘要： MgZnO薄膜叠靶射频磁控溅射制备方法属于半导体光电技术领域。现有技术在MgxZn1–xO薄膜晶体的生长过程中出现Zn原子流失。本发明在射频磁控溅射仪的真空室中进行，将由MgxZn1–xO陶瓷靶材制作的圆片状溅射靶放置在真空室内的溅射靶台上；衬底与溅射靶相对并位于溅射靶上方，真空室抽真空后通入溅射气体；衬底升温，提供溅射功率；其特征在于，在所述溅射靶台上增设一个Zn环靶，Zn环靶的内径等于所述溅射靶的外径，由溅射靶和Zn环靶构成叠靶。在Zn环靶上方形成上升的圆筒状Zn原子流，在一定程度上防止Mg、Zn、O原子流中的Zn流失，也对Mg、Zn、O原子流中的Zn流失进行Zn补充，MgxZn1–xO薄膜晶体中的Zn空位得到填补。
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公开(公告)号：CN103320760A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310293559.3
申请日：2013-07-12
申请人： 长春理工大学
摘要： MgZnO薄膜叠靶射频磁控溅射制备方法属于半导体光电技术领域。现有技术在MgxZn1–xO薄膜晶体的生长过程中出现Zn原子流失。本发明在射频磁控溅射仪的真空室中进行，将由MgxZn1–xO陶瓷靶材制作的圆片状溅射靶放置在真空室内的溅射靶台上；衬底与溅射靶相对并位于溅射靶上方，真空室抽真空后通入溅射气体；衬底升温，提供溅射功率；其特征在于，在所述溅射靶台上增设一个Zn环靶，Zn环靶的内径等于所述溅射靶的外径，由溅射靶和Zn环靶构成叠靶。在Zn环靶上方形成上升的圆筒状Zn原子流，在一定程度上防止Mg、Zn、O原子流中的Zn流失，也对Mg、Zn、O原子流中的Zn流失进行Zn补充，MgxZn1–xO薄膜晶体中的Zn空位得到填补。
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