-
公开(公告)号：CN118005976A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410157803.1
申请日：2024-02-04
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种正交取向梯度三明治多层纳米复合厚膜的制备方法，本发明属于电子功能材料与器件技术领域，具体涉及一种正交取向梯度三明治多层纳米复合厚膜的制备方法。本发明要解决现有介电储能电容器无法实现极化值和击穿强度同时增强的问题。方法：采用溶胶粉末法在FTO基片上制备PLBNZST厚膜具体包括：共沉淀陶瓷粉的制备、溶胶凝胶的制备、溶胶粉末悬浊液的制备以及正交取向梯度三明治结构复合材料的制备。本发明的梯度三明治式结构联合正交分布实现了储能性能从14Jcm‑3到25Jcm‑3(增长量高达80％)的飞跃。该厚膜还兼具陶瓷块体较大厚度/容量的优势和薄膜介质较高可回收能量密度的优势。
-
公开(公告)号：CN116222310B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202310393166.3
申请日：2023-04-13
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： F41H11/02 , G06F30/27 , G06N3/04 , G06N3/08 , G06F119/14
摘要： 三维空间中基于RBF_G的二对一同步区域覆盖拦截方法，它属于多对一导弹同步拦截领域。本发明解决了现有的同步拦截方法中未考虑目标的不同机动级别和类型，以及未考虑目标法向过载的随机性的问题。本发明首先提出了三维空间中的导弹对目标拦截时间的计算方法，其次生成训练数据集用于训练生成RBF_G网络，再基于比例制导率提出了变比例系数的比例制导策略，允许拦截器在期望的拦截时间拦截机动目标，即使目标采用不同的级别和类型的机动，目标的法向过载为随机的定值，导弹也可以通过预计的拦截时间和当前时间误差来实现二对一的同步区域覆盖拦截。本发明方法可以应用于二对一导弹同步拦截。
-
公开(公告)号：CN114995140A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210637964.1
申请日：2022-06-07
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G05B13/04
摘要： 一种基于直/气复合的高超声速飞行器时变系统的控制方法，它属于飞行器控制技术领域。本发明解决了现有飞行器控制方案存在着执行效率低，且需要将气动参数视为定值进行分析的问题。本发明方法采取的技术方案为：步骤一：建立纵向通道的状态空间方程；步骤二：设计时变系统气动舵在纵向通道的状态反馈控制律；步骤三：设计纵向通道的带有直接侧向力系统的控制器，再基于带有直接侧向力系统的控制器设计纵向通道的具有边界层的滑模控制器；步骤四：设计偏航通道的状态反馈控制律以及具有边界层的滑模控制器，并设计滚转通道的控制器，以实现对高超声速飞行器时变系统的控制。本发明方法可以应用于飞行器控制技术领域。
-
公开(公告)号：CN112103086A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010915048.0
申请日：2020-09-03
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种近红外宽带吸收的染料敏化太阳能电池的光阳极及其制备方法，它涉及上转换基染料敏化太阳能电池光阳极材料及其制备方法。它是要解决现有的上转换基染料敏化太阳能电池对近红外太阳光的吸收带较窄的技术问题。本发明的光阳极由FTO导电玻璃基板、负载N‑719染料的二氧化钛层中间层和NaLuF4@NaErF4@NaLuF4核壳型上转换纳米晶层表层组成。制法：先制备核壳型上转换纳米晶，再通过浸渍法平铺于中间层表面而成。该电极能实现红外750‑850nm、950‑1050nm和1450‑1600nm的宽带吸收并转换成可见光，利用该电极的太阳能电池的光电转化效率为8.5％～8.8％，可用于太阳能电池领域。
-
公开(公告)号：CN106927046A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710151090.8
申请日：2017-03-14
申请人： 哈尔滨工程大学 , 哈尔滨工业大学(威海)
CPC分类号： B64D1/12 , B64C2201/024 , B64C2201/12 , B64D1/08
摘要： 本发明涉及空投技术领域，公开了一种用于无人机的空投系统，其包括：控制器和空投装置，所述空投装置包括舵机底座，在所述舵机底座上安装有舵机和连杆机构，所述舵机与所述控制器连接，所述连杆机构包括铰接的第一连杆和第二连杆，所述第二连杆的自由端与所述舵机的输出舵盘铰接，在所述舵机底座上还设置有轴线呈水平方向的贯通孔，所述第一连杆能够在所述贯通孔内水平移动，且所述第一连杆的自由端能够从所述贯通孔远离所述第一连杆的一端伸出。本发明提供的空投系统，通过舵机带动连杆机构运动来投放空投物，从而实现无人机空投，该空投系统结构简单且投放更加快捷有效。本发明还提供了一种包括上述空投系统的无人机。
-
公开(公告)号：CN106350869A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610835377.8
申请日：2016-09-20
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶及其制备方法，它属于功能性单晶材料及其制备技术研究领域，具体涉及一种钙钛矿结构铌钽酸钾钠基无铅压电单晶及其制备方法。本发明的目的是针对目前组分复杂的单晶生长困难，质量不高，压电性能不够高的问题。一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶的化学式为[(NayK1-y)1-xLix](Nb1-zTazSbt)O3:Mn。方法：一、准备原料；二、混合原料；三、预烧；四、第二次预烧；五、反复熔化预烧钙钛矿结构的多晶材料；六、晶体生长。本发明可获得一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶。
-
公开(公告)号：CN104045979B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410304515.0
申请日：2014-06-30
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种基于氧化石墨烯改进背衬材料吸声性能的方法，属于材料技术领域。为了解决W粉和Epoxy之间高的界面能问题，使得W粉和Epoxy得到很好的兼容效果，所述方法一为：一、制备W/Epoxy的复合物粉体；二、制备W/Epoxy/GO复合物粉体；三、制备W/Epoxy/GO/Epoxy复合物粉体；四、制备W/Epoxy/GO/Epoxy复合物薄膜。所述方法二为：一、制备W/GO复合物粉体；二、制备W/GO/Epoxy复合物粉体；三、制备W/GO/Epoxy复合物薄膜。本发明通过W、Epoxy和GO的层层组装，形成W/Epoxy/GO/Epoxy复合物薄膜或W/GO/Epoxy复合物薄膜，并改进传统背衬材料基体W和Epoxy的制备工艺，制备出中阻抗、高衰减的复合物薄膜背衬材料。
-
公开(公告)号：CN104194275B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410464380.4
申请日：2014-09-12
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种高阻抗高衰减背衬材料的制备方法，属于材料技术领域。本发明利用CVD法，以乙醇作为碳源，通过探究生长温度、生长时间、载气的流量及退火速度等因素，以泡沫镍为催化剂及模板载体，生长出大尺寸、具有孔状多级结构的三维石墨烯。在石墨烯骨架中填充钨粉和环氧树脂复合物，利用三维石墨烯的多级孔状结构和良好的电学传质性能，改善传统背衬材料钨粉和环氧树脂复合物的吸声性能，制备出符合换能器实际应用的高阻抗高衰减的背衬材料。由于石墨烯三维连续骨架的引入，该材料具有较好的电导率和较大的共轭体系，电子可以在期间自由运动，可将声能转化为电能最终转化为热量散发掉，从而该材料具有很好的吸声效果。
-
公开(公告)号：CN104194275A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410464380.4
申请日：2014-09-12
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种高阻抗高衰减背衬材料的制备方法，属于材料技术领域。本发明利用CVD法，以乙醇作为碳源，通过探究生长温度、生长时间、载气的流量及退火速度等因素，以泡沫镍为催化剂及模板载体，生长出大尺寸、具有孔状多级结构的三维石墨烯。在石墨烯骨架中填充钨粉和环氧树脂复合物，利用三维石墨烯的多级孔状结构和良好的电学传质性能，改善传统背衬材料钨粉和环氧树脂复合物的吸声性能，制备出符合换能器实际应用的高阻抗高衰减的背衬材料。由于石墨烯三维连续骨架的引入，该材料具有较好的电导率和较大的共轭体系，电子可以在期间自由运动，可将声能转化为电能最终转化为热量散发掉，从而该材料具有很好的吸声效果。
-
公开(公告)号：CN103030386B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310002886.9
申请日：2013-01-05
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： C04B35/26 , C04B35/622
摘要： 室温高铁磁-铁电及高磁介电效应的多铁性陶瓷及其制备方法，涉及一种多铁性陶瓷及其制备方法。是要解决现有BiFeO3基固溶体多铁性陶瓷在室温下铁电性和铁磁性弱，磁介电效应较低的问题。多铁性陶瓷的化学式为(1-x)Ba0.70Ca0.30TiO3-xBiFeO3。方法：一、称取将原料；二、将原料混合，球磨，烘干，压块，得到待预烧压片；三、将待预烧压片预烧，得到预烧结压片；四、将预烧结压片粉碎，球磨，加入聚乙烯醇溶液粘合剂，研磨，过筛，压成待烧结薄片，排粘后，将薄片埋入相同组分的粉料中，烧结成瓷，将陶瓷块体打磨、抛光，即为室温高铁磁-铁电及高磁介电效应的多铁性陶瓷。本发明应用于多铁性材料领域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
49 条记录 (耗时 0.032 秒)