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公开(公告)号:CN114717655A
公开(公告)日:2022-07-08
申请号:CN202210422761.0
申请日:2022-04-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C30B25/18 , C30B25/04 , C30B29/04 , C23C14/35 , C23C14/18 , C23C14/04 , C23C28/00 , A44C17/00 , A44C27/00 , H01L21/285
Abstract: 一种用于钻石定制图案和电极的晶体内部图形化方法,本发明的目的是为了解决现有钻石内部难以定制图案和电极的问题。本发明晶体内部图形化方法如下:一、将选取所要制作于钻石晶体内部的图案转化为黑白模式,作为光刻机输入掩膜图形;二、将钻石衬底置于混酸溶液中超声清洗;三、采用光刻工艺以光刻胶作为掩模版,通过掩模在钻石表面沉积金属膜或非金属膜;四、将带有图案的钻石衬底置于等离子体化学气相沉积系统中,通入生长气体进行外延生长,得到带有定制图案的钻石。本发明利用化学气相沉积工艺再外延一层晶体,将图案覆盖于晶体内部能对图案实现很好的保护作用,满足钻石内部图案的定制需求。
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公开(公告)号:CN114068681A
公开(公告)日:2022-02-18
申请号:CN202111361547.0
申请日:2021-11-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/16 , H01L29/167 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 基于金刚石肖特基二极管的高温工作的逻辑器件及其制备方法,它要解决现有高集成度的电子元器件等由于发热导致电路不能正常工作的问题。本发明基于金刚石肖特基二极管的逻辑器件在金刚石衬底上沉积有掺硼或者掺磷金刚石层,在掺硼或者掺磷金刚石层表面上沉积有选择性生长金属掩膜和选择性同质外延生长层,选择性生长金属掩膜和选择性同质外延生长层位于掺硼或者掺磷金刚石层表面的两侧,选择性生长金属掩膜作为欧姆电极,在选择性同质外延生长层上沉积至少两个肖特基电极,欧姆电极作为信号输出端;欧姆电极通过导线连接负载电阻,在负载电阻的另一端施加偏置电压。本发明的金刚石逻辑与门在600K及以上高温正常工作,实现逻辑与门的功能。
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