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公开(公告)号：CN116072744B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202310058297.6
申请日：2023-01-16
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H01L31/0224 , C23C14/18 , C23C14/02 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C14/04 , C23C14/24 , C30B33/00 , C30B29/04 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/101 , H01L31/18
摘要： 一种采用铟纳米粒子局域表面等离激元共振提升金刚石紫外探测性能的方法，本发明的目的是为了提高金刚石紫外探测器光谱的响应率。提升金刚石紫外探测性能的方法：一、将本征单晶金刚石浸于混合酸中加热，得到带有氧终端的金刚石；二、样品清洗；三、采用磁控溅射法依次在清洗后的金刚石表面溅射钛层和金层，形成叉指电极，退火处理得到欧姆接触的金刚石；四、在欧姆接触的金刚石的表面设置阳极氧化铝掩膜，通过热蒸发铟在欧姆接触的金刚石表面镀制铟纳米岛。本发明采用铟纳米粒子局域表面等离激元共振增强金刚石紫外探测光谱响应率，拓展了增强金刚石紫外探测性能的途径，使金刚石紫外探测器更加接近行业认可的“5S”标准。
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公开(公告)号：CN113278912B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202110525235.2
申请日：2021-05-13
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种硅终端金刚石表面的制备方法，本发明是为了解决现有金刚石的氧化是以一种不可控和无序的方式产生多种碳氧键结构，导致了不可控的表面电子态以及随后的对近表面缺陷色心光物理特性的损伤效应的问题。制备方法：一、对金刚石样品进行超声清洗；二、对清洗后的金刚石进行高温真空处理；三、采用磁控溅射在退火后的金刚石表面沉积硅膜；四、将镀硅的金刚石封管，高温加热处理；五、将金刚石放于HF中浸泡处理，完成金刚石表面硅终端的制备。本发明硅终端金刚石表面的制备方法可避免等离子体及湿化学刻蚀方法的随机性，使成键方式相对可控有序，制备工艺较为简单，周期短，可重复性强。
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公开(公告)号：CN113278912A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110525235.2
申请日：2021-05-13
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种硅终端金刚石表面的制备方法，本发明是为了解决现有金刚石的氧化是以一种不可控和无序的方式产生多种碳氧键结构，导致了不可控的表面电子态以及随后的对近表面缺陷色心光物理特性的损伤效应的问题。制备方法：一、对金刚石样品进行超声清洗；二、对清洗后的金刚石进行高温真空处理；三、采用磁控溅射在退火后的金刚石表面沉积硅膜；四、将镀硅的金刚石封管，高温加热处理；五、将金刚石放于HF中浸泡处理，完成金刚石表面硅终端的制备。本发明硅终端金刚石表面的制备方法可避免等离子体及湿化学刻蚀方法的随机性，使成键方式相对可控有序，制备工艺较为简单，周期短，可重复性强。
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公开(公告)号：CN116072744A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310058297.6
申请日：2023-01-16
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H01L31/0224 , C23C14/18 , C23C14/02 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C14/04 , C23C14/24 , C30B33/00 , C30B29/04 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/101 , H01L31/18
摘要： 一种采用铟纳米粒子局域表面等离激元共振提升金刚石紫外探测性能的方法，本发明的目的是为了提高金刚石紫外探测器光谱的响应率。提升金刚石紫外探测性能的方法：一、将本征单晶金刚石浸于混合酸中加热，得到带有氧终端的金刚石；二、样品清洗；三、采用磁控溅射法依次在清洗后的金刚石表面溅射钛层和金层，形成叉指电极，退火处理得到欧姆接触的金刚石；四、在欧姆接触的金刚石的表面设置阳极氧化铝掩膜，通过热蒸发铟在欧姆接触的金刚石表面镀制铟纳米岛。本发明采用铟纳米粒子局域表面等离激元共振增强金刚石紫外探测光谱响应率，拓展了增强金刚石紫外探测性能的途径，使金刚石紫外探测器更加接近行业认可的“5S”标准。
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公开(公告)号：CN114068681A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111361547.0
申请日：2021-11-17
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H01L29/16 , H01L29/167 , H01L29/872 , H01L21/329
摘要： 基于金刚石肖特基二极管的高温工作的逻辑器件及其制备方法，它要解决现有高集成度的电子元器件等由于发热导致电路不能正常工作的问题。本发明基于金刚石肖特基二极管的逻辑器件在金刚石衬底上沉积有掺硼或者掺磷金刚石层，在掺硼或者掺磷金刚石层表面上沉积有选择性生长金属掩膜和选择性同质外延生长层，选择性生长金属掩膜和选择性同质外延生长层位于掺硼或者掺磷金刚石层表面的两侧，选择性生长金属掩膜作为欧姆电极，在选择性同质外延生长层上沉积至少两个肖特基电极，欧姆电极作为信号输出端；欧姆电极通过导线连接负载电阻，在负载电阻的另一端施加偏置电压。本发明的金刚石逻辑与门在600K及以上高温正常工作，实现逻辑与门的功能。
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公开(公告)号：CN114068681B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202111361547.0
申请日：2021-11-17
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H01L29/16 , H01L29/167 , H01L29/872 , H01L21/329
摘要： 基于金刚石肖特基二极管的高温工作的逻辑器件及其制备方法，它要解决现有高集成度的电子元器件等由于发热导致电路不能正常工作的问题。本发明基于金刚石肖特基二极管的逻辑器件在金刚石衬底上沉积有掺硼或者掺磷金刚石层，在掺硼或者掺磷金刚石层表面上沉积有选择性生长金属掩膜和选择性同质外延生长层，选择性生长金属掩膜和选择性同质外延生长层位于掺硼或者掺磷金刚石层表面的两侧，选择性生长金属掩膜作为欧姆电极，在选择性同质外延生长层上沉积至少两个肖特基电极，欧姆电极作为信号输出端；欧姆电极通过导线连接负载电阻，在负载电阻的另一端施加偏置电压。本发明的金刚石逻辑与门在600K及以上高温正常工作，实现逻辑与门的功能。
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