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公开(公告)号：CN108766923A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810866953.4
申请日：2018-08-01
IPC分类号： H01L21/68 , H01L31/0224 , H01L31/18 , B41C1/14 , B41F15/36
CPC分类号： H01L31/022425 , B41C1/14 , B41F15/36 , H01L21/682 , H01L31/1804
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池的正面电极网版结构及制备方法，通过在太阳能电池的正面的激光掺杂的重掺杂区形成有若干第一Mark点，在正面电极网版结构上的主栅线设置若干第二Mark点，且所述若干第二Mark点与所述若干第一Mark点一一对应；通过所述若干第二Mark点与所述若干第一Mark点一一对应实现该正面电极网版结构与太阳能电池的对准，使所述若干副栅线与所述太阳能电池的激光掺杂的重掺区对应；从而使得在丝网印刷制备电极的过程中，在太阳能电池的正面印刷的副栅线刚好设置在太阳能电池的激光掺杂的重掺区，使得副栅线与重掺杂区形成欧姆接触，以提高晶硅太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN109686816B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201811484034.7
申请日：2018-12-06
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种钝化接触N型太阳电池的制备方法，包括：对基体进行硼扩散，以在所述基体的正面形成发射结，且硼扩散后，所述基体的背面形成有背面硼扩散层，所述发射结上形成有硼硅玻璃层；去除所述背面硼扩散层；在所述基体的背面形成背面氧化层；在所述背面氧化层的与所述基体相背的一侧形成背面多晶硅，同时，所述硼硅玻璃层的与所述基体相背的一侧也绕镀有正面多晶硅；对所述背面多晶硅进行掺杂，得到掺杂层；依次分别去除所述正面多晶硅与所述硼硅玻璃层，且所述正面多晶硅与所述硼硅玻璃层分别利用不同的溶液去除；本发明可降低去除正面多晶硅时对硼硅玻璃层下发射极造成的损伤，起到保护作用，有利于提高太阳电池发电性能。
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公开(公告)号：CN111490128A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201911007833.X
申请日：2019-10-22
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/068
摘要： 本发明的目的在于公开一种N-PERT双面电池氧化硅/氮化硅叠层膜的制备方法，对硅片依次进行制绒、硼扩散、刻蚀、离子注入磷、RCA清洗、退火、背面沉积氮化硅膜、BOE清洗、正面镀氧化铝、正面沉积氧化硅/氮化硅叠层膜、印刷和烧结步骤；所述氧化硅/氮化硅叠层膜是由折射率n1和厚度x1的氧化硅薄膜与折射率n2和厚度x2的氮化硅薄膜周期性排列形成并形成光子晶体；与现有技术相比，通过PECVD方法沉积氧化硅/氮化硅叠层膜的叠层结构，调节氧化硅膜和氮化硅薄膜的折射率和厚度改变光子晶体的光子带隙，可以增强入射光与电池的作用时间，增强电池的光吸收能力，提高电池的光利用率，从而使光电转换效率得到提升，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN112133784A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201910490821.0
申请日：2019-06-06
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224
摘要： 本专利提供了一种基于光刻掩膜法制备N型FSF结构的IBC太阳能电池的方法，硅片依次经过去损伤层步骤、制作选择性发射极步骤、制绒步骤、制作表面场步骤、镀减反射膜步骤、丝网印刷步骤和烧结步骤；在制作交叉型的P+发射极及N+背场过程中采用光刻掩膜技术避免在开窗区附近的硅片引入晶格损伤，从而降低载流子复合速率。同时，电池前表面的FSF结构与N型硅衬底形成高低结，促使少子空穴向电池背面运输，其中P+发射极以上区域的空穴直接被收集，N+背场以上的空穴平行运动至P+发射极被收集。
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公开(公告)号：CN112071947A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201910497148.3
申请日：2019-06-10
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
摘要： 本专利提供了一种P型叉指背接触太阳电池制备方法，选择P型单晶硅片作为基体，并进行双面制绒处理；对电池正面进行沉积三氧化二铝(AL2O3)做钝化层；对电池背面进行离子注入磷；在硅片正面沉积氮化硅减反射膜；使用激光开槽设备对硅片背表面P区进行开槽；进行RCA清洗；对电池背面P区使用高温扩散炉对硅片进行背面硼扩散；对电池背面P区沉积三氧化二铝(AL2O3)钝化层；进行丝网印刷银浆和铝浆形成正负电极；放入烧结炉进行烧结，最终得到IBC电池。通过在电池背面先进行离子注入磷，再通过掩膜工艺使用激光开槽设备对P+区进行激光开槽，然后对P+区进行硼扩散，控制了N+层和P+层的结深与方阻，该制备方法有效提升了电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN111640805A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010486297.2
申请日：2020-06-01
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/028 , H01L31/042
摘要： 本发明的目的在于公开一种基于氮化硅叠层膜的N-PERT双面电池结构，对硅片依次进行制绒、硼扩散、刻蚀、离子注入磷、RCA清洗、退火、背面沉积SiNx薄膜、BOE清洗、正面镀Al2O3、正面镀SiNx薄膜、印刷和烧结制备而成；SiNx薄膜是由两种不同折射率ni(i＝1,2)、不同厚度xi(i＝1,2)的SiNx薄膜周期性排列形成的叠层膜结构，周期性排列的SiNx膜形成了光子晶体；与现有技术相比，通过PECVD方法沉积SiNx叠层结构，可以将穿透电池的长波长光反射回电池内部，提高电池的光利用率，从而使光电转换效率得到提升；通过基于光子晶体的慢光效应可增强电池的光吸收能力；特别适合薄片化电池，使得电池效率不受硅片厚度降低的影响；不需要购买新设备，仅通过改变SiNx薄膜的制备工艺即可实现。
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公开(公告)号：CN111584679A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010266753.2
申请日：2020-04-07
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明的目的在于公开一种用于N型TOPCon电池背表面钝化的掺杂方法，与现有技术相比，通过两步掺杂方式，即先对背表面的基体进行一个极浅的掺杂，然后再沉积遂穿氧化层及多晶硅层，最后再对多晶硅层进行掺杂；采用离子注入及磷扩散组合的方式完成背表面的掺杂；有效地解决了现有掺杂技术中由于遂穿氧化层的阻挡作用，使得Si基体表面掺杂浓度总是低于多晶硅层的掺杂浓度，使得在Si基体与遂穿氧化层的界面处聚集的多数载流子相对较少的问题，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN111490106A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201911006799.4
申请日：2019-10-22
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/048 , H01L31/049 , H01L31/05
摘要： 本发明公开了一种高效多主栅半片双面光伏组件，包括铝边框，其结构从上到下依次为：减反射镀膜玻璃、正面热熔胶膜、电池片、背面热熔胶膜、透明背板，铝边框套在光伏组件外侧表面，电池片通过超软焊带连接形成无缝焊接电池串，电池串间隙设有纵向反光膜，透明背板纵向中间位置具有若干个开孔，汇流带与连接电池片的超软焊带连接使电池片形成完整的电路回路，同时汇流带从透明背板的开孔中引出与接线盒连接。本发明能够减小组件之间的空白，增加吸光面积，提高封装密度，从而提高光电转换效率，并且降低材料成本，提升组件功率和可靠性，同时还能够对铝边框进行角度调节，提升吸光效率，还能够对铝边框的碰撞进行缓冲保护。
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公开(公告)号：CN111477719A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201911006602.7
申请日：2019-10-22
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了一种全绒面N型双面电池的制作方法，该方法包括以下步骤：制绒、磷扩散、去PSG、磷扩散面镀SiNx膜、清洗1、硼扩散、清洗2、正面镀Al2O3、正面镀SiNx薄膜、印刷和烧结。本发明采用双面绒面的结构，有利于提高电池背面的光吸收率，进而提高电池的双面率；采用双面绒面电池结构，对改善电池的背面光吸收能力，凸显其双面率和组件端功率增益的优势，且硼扩散至磷扩散的工艺过程，操作简单，步骤少，可以最大程度使用常规设备来生产，同时减少了对硅基片的损伤和污染，有利于电池效率的提升，因此可以明显降低生产成本，有利于N型电池的大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN111473282A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201911005927.3
申请日：2019-10-22
IPC分类号： F21S9/03 , F21V23/00 , H02S40/22 , F21W131/103 , F21Y115/10
摘要： 本发明的目的在于公开一种基于双面双玻组件结构的太阳能路灯，包括双面双玻电池组件、竖直支撑杆、组件固定杆件、水平支撑板和LED灯；与现有技术相比，通过背面设置的凹型反射镜，从而使得进入凹型反射镜面的光线通过反射作用进入背表面，使得安装同等电池组件面积的条件下，将会获得更多的光能转换，且充分利用了双面双玻电池组件的优势，从光学方面极大地提高了太阳能的利用率，且结构科学，布局合理，实用性强，易于太阳能路灯用小面积组件的使用，具有很大的应用前景，实现本发明的目的。
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