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公开(公告)号：CN103531616B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310525176.4
申请日：2013-10-30
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/329
摘要： 本发明涉及一种电力半导体器件及其制造方法，具体涉及一种沟槽型快恢复二极管及其制造方法。快恢复二极管包括衬底和P区，所述P区在衬底上形成，共同构成PN结，在所述PN结的两侧对称设置有沟槽区；所述衬底为均匀掺杂的N型硅衬底，在所述衬底N-层上生长有氧化层。本发明提供的沟槽型快恢复二极管，是通过湿法腐蚀去除PN结边缘弯曲处，消除PN结曲率导致的电场集中，通过三次光刻工艺即可实现包含钝化的、反向耐压接近平行平面结的高压二极管，具有制造方式简单，工艺要求低的特点。
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公开(公告)号：CN104952936A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410113455.4
申请日：2014-03-25
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/329
CPC分类号： H01L29/861 , H01L29/6609
摘要： 本发明涉及一种半导体功率器件，具体涉及一种快速恢复二极管及其制造方法。快恢复二极管包括衬底和P区，所述P区在衬底上形成，衬底为非均匀掺杂(N-为均匀掺杂，N+为非均匀掺杂)的N型硅衬底，N型硅衬底包括从上到下依次分布的衬底N-层以及衬底N+层；所述P区包括从上到下依次排布的被腐蚀的P+区和P+区，所述P+区和衬底N-层形成P+N-结，被腐蚀的P+区用于在保证P+N-结两侧浓度的情况下降低P+区掺杂总量，降低P+区空穴注入量。本发明在保证P+N-结两侧浓度的情况下，通过对P+区硅进行腐蚀的方法来降低P+区的杂质总量，从而降低P+区注入到N-区的空穴数量，这样就可以通过较少的复合中心达到足够的反向恢复速度；同时，参与电导调制空穴数量的减少，使压降的温度系数接近于零，更易于并联。
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公开(公告)号：CN103618006A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310525160.3
申请日：2013-10-30
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/0684 , H01L29/66143
摘要： 本发明涉及一种电力半导体器件及其制造方法，具体涉及一种快恢复二极管及其制造方法。本发明在有源区进行推结形成P+区和P区，推结形成过程包括，第一步进行硼注入，推结1-10um，第二步进行磷补偿注入，磷注入条件要求推结后只降低靠近硅表面处P区浓度但不足以使其反型，通过有源区补偿注入形成表面浓度低的P区，这样在保证PN结两侧浓度的情况下降低了正向导通时P区空穴注入量，在采用少子寿命控制时可不需要生成过多的复合中心，由此会带来一系列参数的优化。本发明提供的快恢复二极管及其制造方法，通过对P区进行磷补偿注入的方式实现P区表面浓度降低，从而实现正向导通时注入空穴数量的减少。
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公开(公告)号：CN204991719U
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201520769928.6
申请日：2015-09-30
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/66 , H01L21/28
摘要： 本实用新型提供一种快速恢复二极管，所述二极管包括：具有三个具有间隔的P型硅区(3)的且表面有氧化层(2)的N型硅衬底(1)，所述氧化层(2)上的多晶层(5)，所述多晶层(5)上的阳极金属层和所述N型硅衬底(1)上与其相对的阴极金属层，所述P型硅区(3)具有深能级掺杂区(4)；本实用新型利用多晶实现激光退火终端保护，避免激光退火导致终端受损以致耐压失效。
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公开(公告)号：CN204230250U
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201420721966.X
申请日：2014-11-26
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06
摘要： 本实用新型涉及一种快恢复二极管，二极管包括衬底和P+区，所述P+区在衬底上形成，共同构成PN结，其中衬底为二极管的阴极，P+区为二极管阳极；在阳极P+区的表面注入氢或氦，形成局域寿命控制层；本实用新型的二极管恢复特性既快且软；由于局域寿命控制层的存在，器件不需要过多的全局复合中心，可以降低器件漏电，提高器件雪崩耐量；配合电子辐照与铂掺杂，可以实现正向压降温度系数微正的器件，利于并联；可以对器件阳极及阴极的结构及掺杂进行调整，利于提高器件的正向浪涌及动态雪崩能力。
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公开(公告)号：CN203800056U
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201320713738.3
申请日：2013-11-13
IPC分类号： H01L29/739 , H01L23/49 , H01L23/498 , H01L29/06
CPC分类号： H01L24/05 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
摘要： 本实用新型涉及一种功率器件，具体涉及一种增强开关速度和开关均匀性的IGBT器件。该IGBT器件包括发射极PAD区域、栅PAD区域、栅Finger区域、栅Bus区域和终端区域。所述栅PAD区域位于器件中心位置，发射极PAD区域分布在栅PAD四周，栅Finger区将发射极PAD区域分开，栅Bus区域包围着发射极PAD区域，所述终端区位于栅Bus区域外围。本实用新型通过改进传统的多晶硅层与金属层结构设计，使得IGBT器件在开关过程中对元胞栅极的充电和放电速度加快，从而使IGBT器件整体的开关速度增快。与传统的IGBT器件结构相比，本实用新型加快了IGBT的开关速度，同时提高了IGBT元胞开关过程的均匀性。
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公开(公告)号：CN205177855U
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201520828320.6
申请日：2015-10-23
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/167 , H01L21/329 , H01L21/268
摘要： 本实用新型涉及一种具有局域金属寿命控制的功率器件，功率器件包括衬底和其上形成的P+区共同构成的PN结，在所述衬底N-层上生长有氧化层；在P+区内设有深能级掺杂层；深能级杂质的扩散完全依赖于温度，温度决定其扩散速度及在硅中的固溶度。在对深能级杂质进行热扩散时，采用单面退火，如激光退火方式进行，利用激光退火的局域温度分布在芯片轴向范围内实现深能级杂质的限定深度推结，本实用新型提供的技术方案实现器件局域金属寿命控制。
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公开(公告)号：CN203774338U
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201420137215.3
申请日：2014-03-25
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/329
摘要： 本实用新型涉及一种半导体功率器件，具体涉及一种快速恢复二极管。快速恢复二极管包括衬底和P区，所述P区在衬底上形成，衬底为非均匀掺杂的N型硅衬底，N型硅衬底包括从下到上依次分布的衬底N-层以及衬底N+层；所述P区包括从上到下依次排布的被腐蚀的P+区和P+区，所述P+区和衬底N-层形成P+N-结。本实用新型在保证P+N-结两侧浓度的情况下，通过对P+区硅进行腐蚀的方法来降低P+区的杂质总量，从而降低P+区注入到N-区的空穴数量，这样就可以通过较少的复合中心达到足够的反向恢复速度；同时，参与电导调制空穴数量的减少，使压降的温度系数接近于零，更易于并联。
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公开(公告)号：CN203607417U
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201320677023.7
申请日：2013-10-30
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/861
摘要： 本实用新型涉及一种电力半导体器件，具体涉及一种沟槽型快恢复二极管。快恢复二极管包括衬底和P区，所述P区在衬底上形成，共同构成PN结，在所述PN结的两侧对称设置有沟槽区；所述衬底为均匀掺杂的N型硅衬底，在所述衬底N-层上生长有氧化层。本实用新型提供的沟槽型快恢复二极管，是通过湿法腐蚀去除PN结边缘弯曲处，消除PN结曲率导致的电场集中，通过三次光刻工艺即可实现包含钝化的、反向耐压接近平行平面结的高压二极管，具有制造方式简单，工艺要求低的特点。
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公开(公告)号：CN203589041U
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201320677202.0
申请日：2013-10-30
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/739 , H01L21/331
摘要： 本实用新型涉及一种电力半导体器件，具体涉及一种快恢复二极管，包括衬底和P区，所述P区在衬底上形成，共同构成PN结，所述P区包括由上到下依次设置的磷离子补偿注入层和硼离子注入层；所述磷离子补偿注入层能够实现P区表面浓度降低，所述快恢复二极管正向导通时注入空穴数量减少；在采用少子寿命控制时可不需要生成过多的复合中心，由此会带来一系列参数的优化。本实用新型提供的快恢复二极管，通过对P区进行磷补偿注入的方式实现P区表面浓度降低，从而实现正向导通时注入空穴数量的减少。
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