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公开(公告)号：CN111033697A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880052428.7
申请日：2018-08-10
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/32 , C11D7/50 , C11D17/08
Abstract: 本发明提供一种处理液，其为半导体器件用处理液，且对处理对象物的防腐性、残渣物去除性及缺陷抑制性优异。并且，提供一种试剂盒及对使用上述处理液的基板进行清洗的方法。一种处理液，其为半导体器件用处理液，且包含水、有机溶剂及2种以上的含氮芳香族杂环化合物。
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公开(公告)号：CN110944734A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880047759.1
申请日：2018-07-26
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: B01D61/58 , B01D61/18 , B01D63/06 , B01D63/14 , B01D65/02 , B01D69/00 , B01D71/02 , B01D71/04 , B01D71/10 , B01D71/26 , B01D71/28 , B01D71/32 , B01D71/56 , B01D71/68 , G03F7/26
Abstract: 本发明的课题在于提供一种可获得具有优异的性能的药液，且过滤材料的寿命充分长的过滤装置。并且，本发明的课题在于提供一种纯化装置、药液的制造装置、已过滤的被提纯物、药液及感活化光线性或感放射线性树脂组合物。本发明的过滤装置具有独立地配置于供给被提纯物的管路中的第1过滤器单元及第2过滤器单元，该第1过滤器单元包括满足选自由以下的要件1～3组成的组中的至少1个的第1过滤器及容纳该第1过滤器的壳体，要件1：过滤器具有包括两层以上的分别包含不同的材料的层的过滤材料；要件2：过滤器具有包括两层以上的具有不同细孔结构的层的过滤材料；要件3：过滤器具有包括一层混合有不同材料的层的过滤材料，该第2过滤器单元包括不同于该第1过滤器的第2过滤器及容纳该第2过滤器的壳体。
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公开(公告)号：CN109071104A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780021021.3
申请日：2017-03-16
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: B65D88/02 , G03F7/30 , H01L21/027 , H01L21/304
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制颗粒等缺陷的产生且能够制造微细的抗蚀剂图案或微细的半导体元件的半导体制造用处理液，另外，提供一种收容有该半导体制造用处理液的收容容器。另外，本发明的目的在于提供一种使用上述半导体制造用处理液的图案形成方法及电子器件的制造方法。本发明的实施方式所涉及的收容容器为具备收容有半导体制造用处理液的收容部的收容容器。上述半导体制造用处理液含有选自包括Al、Ca、Cr、Co、Cu、Fe、Pb、Li、Mg、Mn、Ni、K、Ag、Na及Zn的金属物种中的一种或两种以上的金属原子，且以上述半导体制造用处理液的总质量为基准，包含上述金属原子的至少一种的粒子性金属的合计含有率为0.01～100质量ppt。
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公开(公告)号：CN101397481A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810149126.X
申请日：2008-09-12
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 一种用于抛光半导体集成电路的阻挡层的抛光液，所述抛光液包含：季铵阳离子；腐蚀抑制剂；在末端具有磺基的聚合物化合物；无机粒子；和有机酸，所述抛光液的pH值在1至7的范围内。
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公开(公告)号：CN101333417A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810128877.3
申请日：2008-06-24
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 上村哲也
IPC: C09G1/02 , B24B29/00 , H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: C09G1/02 , C23F3/04 , C23F3/06 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种用于抛光含钌阻挡层的抛光液，所述抛光液被用于对半导体器件的化学机械抛光，所述的半导体器件在其表面上具有含钌阻挡层和导电金属布线，所述抛光液包含：氧化剂；和抛光微粒，所述抛光微粒具有按莫氏硬度计为5以上的硬度和其中主要成分不同于二氧化硅(SiO2)的组成。本发明还提供一种用于化学机械抛光半导体器件的抛光方法，所述的方法使所述抛光液与被抛光的基板表面接触，和抛光被抛光的表面，使得从抛光垫到被抛光的表面的接触压力为0.69kPa至20.68kPa。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101177602A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710165886.5
申请日：2007-11-07
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种研磨液，该研磨液在半导体器件的化学机械平坦化方法中主要用于阻挡金属材料的研磨，所述化学机械平坦化方法中，将研磨液供给于研磨盘上的研磨垫，并且通过使该研磨垫与晶片的被研磨面接触并相对运动而进行研磨，该研磨液含有：(a)具有羧基和含有氧的烃部分结构的羧酸化合物、(b)胶态二氧化硅粒子、和(c)杂环化合物，所述研磨液的pH在2.5－4.5的范围。根据本发明可以提供在利用化学机械研磨的被研磨面的平坦化工序中能够以充分的研磨速度进行研磨、可以有效地抑制侵蚀的适于研磨半导体器件的阻挡金属材料的研磨液。
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公开(公告)号：CN119948604A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202380068861.0
申请日：2023-09-27
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 上村哲也
IPC: H01L21/304 , C11D7/22 , C11D7/26
Abstract: 本发明提供一种半导体制造用处理液，其用于包含选自由多晶硅、碳化硅及碳氮化硅组成的组中的至少1种(特定材料)的被处理物的清洗时，特定材料上的缺陷去除性优异。本发明的半导体制造用处理液包含聚羧酸及聚合物，该聚合物包含源自非离子性单体的重复单元A及具有阴离子性基团的重复单元B。
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公开(公告)号：CN119846905A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411906855.0
申请日：2017-03-16
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 上村哲也
IPC: G03F7/16 , G03F7/38 , G03F7/004 , G03F7/42 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/02 , H01L21/027
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制微影性能的恶化或缺陷的产生且能够制造微细的抗蚀剂图案或微细的半导体元件的半导体制造用处理液。本发明的实施方式所涉及的半导体制造用处理液含有：一种满足要件(a)的化合物(A)、一种或两种以上的满足要件(b)的化合物(B)、及一种或两种以上的含有选自Al、B、S、N及K中的任意元素的无机物(C)。在此，化合物(B)的含有率的合计为10‑10～0.1质量％，由式I表示的化合物(B)与无机物(C)的比率P为103～10‑6。
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公开(公告)号：CN119439629A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411906850.8
申请日：2017-03-16
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 上村哲也
IPC: G03F7/16 , G03F7/38 , G03F7/004 , G03F7/42 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/02 , H01L21/027
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制微影性能的恶化或缺陷的产生且能够制造微细的抗蚀剂图案或微细的半导体元件的半导体制造用处理液。本发明的实施方式所涉及的半导体制造用处理液含有：一种满足要件(a)的化合物(A)、一种或两种以上的满足要件(b)的化合物(B)、及一种或两种以上的含有选自Al、B、S、N及K中的任意元素的无机物(C)。在此，化合物(B)的含有率的合计为10‑10～0.1质量％，由式I表示的化合物(B)与无机物(C)的比率P为103～10‑6。
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公开(公告)号：CN118871864A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380027341.5
申请日：2023-03-09
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G03F7/32 , G03F7/16 , G03F7/38 , G03F7/42 , H01L21/304
Abstract: 本发明的课题在于提供一种药液，在其用于使被接触物与药液接触的工序中的情况下，被接触物不易产生预定的缺陷。本发明的药液含有：有机溶剂；以及含金属粒子，其包含选自由Fe、Ni及Zn所组成的组中的金属元素，所述药液通过方法X得到的I值为0.010～10.000。方法X：在基板上涂布上述药液而制作被检体，利用激光烧蚀‑电感耦合等离子体‑质谱分析法对被检体的表面扫描激光进行分析，对每个上述金属元素获取横轴为激光的扫描时间及纵轴为离子检测强度的图，将图的上述离子检测强度按照上述扫描时间进行累计，得到每个上述金属元素的累计离子检测强度，将对每个上述金属元素的累计离子检测强度进行合计并设为合计累计离子检测强度，将合计累计离子检测强度除以激光的扫描面积，得到单位为计数/mm2(count/mm2)的I值。
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