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公开(公告)号：CN105103316A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480018506.3
申请日：2014-03-14
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L35/24 , C08G61/12 , C08G61/124 , C08G61/126 , C08G2261/11 , C08G2261/124 , C08G2261/1412 , C08G2261/1424 , C08G2261/1426 , C08G2261/1428 , C08G2261/148 , C08G2261/228 , C08G2261/312 , C08G2261/3142 , C08G2261/3162 , C08G2261/3221 , C08G2261/3223 , C08G2261/3243 , C08G2261/3244 , C08G2261/55 , H01L35/14 , H01L35/20 , H01L35/32
Abstract: 本发明涉及热电转换元件(1)、使用了该热电转换元件(1)的热电发电用物品和传感器用电源，所述热电转换元件(1)在基材(12)上具有第1电极(13)、热电转换层(14)和第2电极(15)，该热电转换层(14)含有纳米导电性材料和低能带隙材料；以及涉及一种含有该纳米导电性材料和该低能带隙材料的热电转换材料。
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公开(公告)号：CN114206824A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080055784.1
申请日：2020-07-28
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C07C68/02 , C07C69/96 , C07C263/04 , C07C265/08 , C07C265/10 , C07C265/12 , C07C265/14 , C07C269/00 , C07C271/04 , C07D251/54 , C07D263/44 , C07D295/20
Abstract: 一种羰基化合物的制造方法以及适合于实施该制造方法的流动式反应系统，所述羰基化合物的制造方法为基于流动式反应的羰基化合物的制造方法，其包括以下步骤：将三光气溶液导入到流路(I)内，该三光气溶液在流路(I)内流通的过程中与固定化于流路(I)内的至少一部分的固体催化剂接触而产生光气溶液，使该光气溶液与在流路(II)内流通的含活性氢化合物溶液合流，并且在叔胺的存在下在反应流路内向下游流通并进行反应，从而在该合流液中得到羰基化合物。
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公开(公告)号：CN109643064A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780052378.8
申请日：2017-07-14
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供即使将曝光的扫描速度设为超高速，也能够具有液浸液的高追随性并能够减少残渣和显影缺陷的感光化射线性或感放射线性树脂组合物等。感光化射线性或感放射线性树脂组合物含有具有以通式(1)所表示的重复单元的树脂(C)。图案形成方法包含通过感光化射线性或感放射线性树脂组合物形成膜的工序，电子器件的制造方法包含图案形成方法。通式(1)中，Z表示卤素原子、以R11OCH2－所表示的基团或以R12OC(＝O)CH2－所表示的基团。R11及R12表示一价取代基。X表示氧原子或硫原子。L表示(n+1)价的连结基团。R表示如下基团，该基团具有通过碱显影液的作用而分解并在碱显影液中的溶解度增大的基团。n表示正整数。
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公开(公告)号：CN104919609B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201480004536.9
申请日：2014-01-23
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C08G61/10 , C08G61/12 , C08G61/122 , C08G61/123 , C08G61/124 , C08G2261/124 , C08G2261/1412 , C08G2261/148 , C08G2261/312 , C08G2261/314 , C08G2261/3142 , C08G2261/3162 , C08G2261/3241 , C08G2261/3245 , C08G2261/3246 , C08G2261/55 , H01L35/22 , H01L35/24
Abstract: 本发明涉及热电转换材料、热电转换元件以及使用其的热电发电用物品和传感器用电源。本发明的热电转换元件(1)是在基材(12)上具有第一电极(13)、热电转换层(14)和第二电极(15)的热电转换元件(1)，在该热电转换层(14)中含有纳米导电性材料、以及至少含有通式(1A)或(1B)所表示的芴结构作为重复结构的高分子；本发明的热电发电用物品和传感器用电源使用了该热电转换元件(1)；本发明的热电转换材料含有该高分子和纳米导电性材料。式中，R11和R12各自独立地表示取代基。R13和R14各自独立地表示芳香族烃环基、芳香族杂环基、烷基或烷氧基。此处，R13与R14可以相互键合而形成环。n11和n12b各自独立地表示0～3的整数，n12表示0～2的整数。La表示单键、‑N(Ra)‑或将选自由2价芳香族烃环基、2价芳香族杂环基以及‑N(Ra)‑组成的组中的基团组合而成的连接基团。Lb表示单键、2价芳香族烃环基、2价芳香族杂环基、‑N(Ra)‑、或者将这些基团组合而成的连接基团。此处，Ra表示取代基。Xb表示3价芳香族烃环基、3价芳香族杂环基或>N‑。*表示键合位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103828081B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201280046622.7
申请日：2012-09-28
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L35/24 , C08G61/123 , C08G61/124 , C08G61/126 , C08G2261/1412 , C08G2261/3142 , C08G2261/3221 , C08G2261/3223 , C08G2261/3229 , C08G2261/3243 , C08G2261/3246 , C08G2261/3422 , C08G2261/55 , C08K3/041 , H01L35/32 , C08L65/00
Abstract: 本发明涉及一种热电转换材料，其为含有导电性高分子与热激发辅助剂的热电转换材料，其中，热激发辅助剂为在导电性高分子中不形成掺杂级的化合物；热激发辅助剂的LUMO(最低未占分子轨道)的能级与导电性高分子的HOMO(最高占据分子轨道)的能级满足下述数学式(I)。数学式(I)中，｜导电性高分子的HOMO｜表示导电性高分子的HOMO的能级的绝对值，｜热激发辅助剂的LUMO｜表示热激发辅助剂的LUMO的能级的绝对值。数学式(I)0.1eV≤｜导电性高分子的HOMO｜‑｜热激发辅助剂的LUMO｜≤1.9eV。
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公开(公告)号：CN103828081A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201280046622.7
申请日：2012-09-28
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L35/24 , C08G61/123 , C08G61/124 , C08G61/126 , C08G2261/1412 , C08G2261/3142 , C08G2261/3221 , C08G2261/3223 , C08G2261/3229 , C08G2261/3243 , C08G2261/3246 , C08G2261/3422 , C08G2261/55 , C08K3/041 , H01L35/32 , C08L65/00
Abstract: 本发明涉及一种热电转换材料，其为含有导电性高分子与热激发辅助剂的热电转换材料，其中，热激发辅助剂为在导电性高分子中不形成掺杂级的化合物；热激发辅助剂的LUMO(最低未占分子轨道)的能级与导电性高分子的HOMO(最高占据分子轨道)的能级满足下述数学式(I)。数学式(I)中，｜导电性高分子的HOMO｜表示导电性高分子的HOMO的能级的绝对值，｜热激发辅助剂的LUMO｜表示热激发辅助剂的LUMO的能级的绝对值。数学式(I)0.1eV≤｜导电性高分子的HOMO｜-｜热激发辅助剂的LUMO｜≤1.9eV。
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公开(公告)号：CN105103316B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201480018506.3
申请日：2014-03-14
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L35/24 , C08G61/12 , C08G61/124 , C08G61/126 , C08G2261/11 , C08G2261/124 , C08G2261/1412 , C08G2261/1424 , C08G2261/1426 , C08G2261/1428 , C08G2261/148 , C08G2261/228 , C08G2261/312 , C08G2261/3142 , C08G2261/3162 , C08G2261/3221 , C08G2261/3223 , C08G2261/3243 , C08G2261/3244 , C08G2261/55 , H01L35/14 , H01L35/20 , H01L35/32
Abstract: 本发明涉及热电转换元件(1)、使用了该热电转换元件(1)的热电发电用物品和传感器用电源，所述热电转换元件(1)在基材(12)上具有第1电极(13)、热电转换层(14)和第2电极(15)，该热电转换层(14)含有纳米导电性材料和低能带隙材料；以及涉及一种含有该纳米导电性材料和该低能带隙材料的热电转换材料。
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公开(公告)号：CN104919608B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201480004535.4
申请日：2014-01-23
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L35/24 , C08G73/024 , C08G73/026 , C08L79/02 , H01L35/22 , H01L35/34
Abstract: 本发明涉及热电转换材料、热电转换元件以及使用其的热电发电用物品和传感器用电源。本发明的热电转换元件(1)是在基材(12)上具有第一电极(13)、热电转换层(14)和第二电极(15)的热电转换元件(1)，在该热电转换层(14)中含有纳米导电性材料、以及至少含有通式(1)所表示的结构作为重复结构的高分子；本发明的热电发电用物品和传感器用电源等使用了该热电转换元件(1)；本发明的热电转换材料含有该高分子和纳米导电性材料。通式(1)中，Ar11和Ar12表示亚芳基或杂亚芳基。Ar13表示芳基或杂芳基。R11、R12和R13表示取代基。此处，R11与R12、R11与R13、R12与R13可以相互键合而形成环。L表示单键或下式(l‑1)～(l‑4)中的任意式所表示的连接基团。n11、n12和n13表示0～4的整数，n1表示5以上的整数。连接基团中，Ar14和Ar16表示亚芳基或杂亚芳基，Ar15表示芳基或杂芳基。R14～R16表示取代基。此处，R14与R12、R15与R12、R16与R12、R15与R16可以相互键合而形成环。n14～n16表示0～4的整数。X1表示亚芳基羰基亚芳基或亚芳基磺酰基亚芳基，X2表示亚芳基、杂亚芳基或者将它们组合而成的连接基团。
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公开(公告)号：CN103443162B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201280014916.1
申请日：2012-03-26
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C08G61/12 , B32B27/00 , C08G61/10 , C08G73/00 , C08J7/04 , C08L49/00 , H01B1/12 , H01B5/14 , H01B13/00
CPC classification number: H05K1/09 , C08G61/02 , C08G61/10 , C08G61/126 , C08G2261/312 , C08G2261/3223 , C08G2261/3241 , C08G2261/3243 , C08G2261/3246 , C08G2261/3422 , C08G2261/514 , C08G2261/76 , C08G2261/792 , C08J5/18 , C08J2300/12 , C08J2365/00 , C08K5/03 , C08K5/19 , C08K5/375 , C08L65/00 , C09D165/00 , H01B1/124 , H01B1/127 , H01L51/0036 , Y10T428/31533
Abstract: 本发明涉及导电性组合物，该组合物含有导电性聚合物和作为该导电性聚合物的掺杂剂的鎓盐化合物，本发明还涉及通过使所述组合物成型而获得的导电性膜以及该导电性膜的制备方法。
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