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公开(公告)号：CN107946330A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711146920.4
申请日：2017-11-17
申请人： 德淮半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种图像传感器及其形成方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管有源层；在所述半导体衬底的表面形成牺牲层；刻蚀所述牺牲层以及所述半导体衬底，以形成深沟槽，所述深沟槽至少贯穿所述光电二极管有源层的一部分；形成深槽隔离层，所述深槽隔离层覆盖所述深沟槽的内壁；向所述深沟槽内填充金属，以形成金属格栅。本发明方案可以有效地减少工艺步骤，降低工艺复杂度和成本。
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公开(公告)号：CN109935607B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201910263897.X
申请日：2019-04-03
申请人： 德淮半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本公开涉及一种图像传感器，包括像素单元，所述像素单元包括：第一半导体材料层，在其中形成有光电二极管；位于所述第一半导体材料层之下的第二半导体材料层，在其中形成有用于所述光电二极管的浮置扩散区；位于所述第二半导体材料层之下的第三半导体材料层，在其中形成有用于所述像素单元的晶体管的有源区；第一电介质材料层，位于所述第一半导体材料层和所述第二半导体材料层之间；以及第二电介质材料层，位于所述第二半导体材料层和所述第三半导体材料层之间。本公开涉及形成图像传感器的方法。本公开既能防止浮置扩散区漏电，又能不减少光电二极管的面积。
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公开(公告)号：CN109273402B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201811066835.1
申请日：2018-09-13
申请人： 德淮半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明技术方案公开了一种金属阻挡层的制作方法，采用原子层沉积工艺制备所述金属阻挡层，分别在原子层沉积室内设置半导体衬底；并分别使含N的第一气相前驱体，含Ti的第二气相前驱体，含N的第三气相前驱体，含Zr的第四气相前驱体流向原子层沉积室内的半导体衬底，并在每次通入所述第一气相前驱体，第二气相前驱体，第三气相前驱体，第四气相前驱体后采用惰性气体吹扫所述原子层沉积室，以去除反应的剩余气体和反应副产物。所述方法提高了金属阻挡层的厚度均匀性。此外，本发明技术方案还提供一种金属互连结构及其制作方法，采用上述工艺制备金属互连结构的金属阻挡层。
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公开(公告)号：CN107948470B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201711169208.6
申请日：2017-11-22
申请人： 德淮半导体有限公司
摘要： 本公开涉及摄像头模块和移动设备。该摄像头模块包括相邻布置的第一成像单元和第二成像单元。每个成像单元都包括用于捕获图像的光传感器和沿着每个成像单元的第一光轴和第二光轴布置的多个光学元件。所述多个光学元件包括反射元件和折射元件。所述反射元件用于沿第一光轴接收来自在摄像头模块前方的物场的光，并反射所接收的光，经反射的光沿第二光轴传播。所述折射元件用于折射沿着第二光轴传播的光并将其向光传感器引导，以在光传感器上形成物场的像。
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公开(公告)号：CN107617971B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201710996355.4
申请日：2017-10-24
申请人： 德淮半导体有限公司
摘要： 本公开涉及一种研磨垫再生方法以及一种研磨设备。该方法包括将研磨垫生成材料的流体供应至研磨台的供应步骤；以及使研磨垫生成材料固化以形成研磨垫的固化步骤，其中，供应步骤和固化步骤被选择性地执行以补偿研磨垫在工作中的磨损。该设备包括：研磨台；研磨头，其承载有待研磨的制品；以及研磨垫，设置于研磨台的表面，其中研磨垫被构造成能够通过将研磨垫生成材料的流体供应至研磨台以及使研磨垫生成材料固化来再生，从而补偿研磨垫在工作中的磨损。
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公开(公告)号：CN109346495A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811392994.0
申请日：2018-11-21
申请人： 德淮半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种晶圆键合方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆的表面具有第一氧化硅层，所述第二晶圆的表面具有第二氧化硅层；采用微波对所述第一氧化硅层和第二氧化硅层进行处理，以使所述第一氧化硅层和第二氧化硅层内的至少一部分Si-O键断裂；对所述第一晶圆和第二晶圆进行键合。本发明方案有助于减少对氧化硅层、半导体衬底以及器件的物理损伤，有效地对图像传感器的品质提供保护，且有助于降低生产成本。
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公开(公告)号：CN109326553A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811479292.6
申请日：2018-12-05
申请人： 德淮半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , C23C16/455 , C23C16/40
摘要： 本发明技术方案公开了一种沟槽隔离结构的形成方法、化学气相沉积工艺。所述沟槽隔离结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有研磨停止层；依次刻蚀所述研磨停止层和半导体衬底，在所述研磨停止层和半导体衬底内形成沟槽；采用原子层沉积工艺在所述研磨停止层表面、所述沟槽侧壁及底部形成氧化硅层；采用TEOS-Ozone热化学气相沉积工艺向所述沟槽内填充氧化硅，所述氧化硅填满所述沟槽且覆盖所述氧化硅层。本发明技术方案能够优化TEOS-Ozone氧化硅薄膜的沉积速率、均匀性、致密性，从而提高薄膜质量及产能。
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公开(公告)号：CN109065561A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811067385.8
申请日：2018-09-13
申请人： 德淮半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14647 , H01L27/14636 , H01L27/14683
摘要： 一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有逻辑器件；金属互连层，位于所述半导体衬底的表面，所述金属互连层内具有金属互连结构；多个光电转换块，位于所述金属互连层的表面，每个光电转换块包括堆叠的至少三层光电转换结构，每层光电转换结构均包括光电转换层以及连接结构，其中，不同的光电转换层经由所述连接结构和金属互连结构电连接至不同的逻辑器件。本发明方案可以形成更多的光生载流子，减少对半导体衬底的损伤，降低生产成本，减少工艺复杂度。
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公开(公告)号：CN108231632A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810014179.4
申请日：2018-01-08
申请人： 德淮半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , C23C16/455
摘要： 本发明涉及一种喷头以及一种气体供应系统，所述喷头包括：两个以上相互隔离的喷淋区域；每个喷淋区域包括相互堆叠且连通的气体隔离层和气体分散层；所述气体隔离层包括空腔，不同喷淋区域的气体隔离层分别连接至不同的气体管路；所述气体分散层包括多个分散的气孔，用于将对应的气体隔离层内通入的气体分散喷出。所述喷头以及气体供应系统能够单独控制不同喷淋区域的气体，提高工艺参数的均匀性。
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公开(公告)号：CN108183114A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711431359.4
申请日：2017-12-26
申请人： 德淮半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种背照式图像传感器及其形成方法，包括：提供背板基底；提供主体基底，主体基底包括第一区和第二区，主体基底包括光电传感层和位于光电传感层表面的金属导线结构，第二区的光电传感层内具有光电转换元件，所述光电传感层包括相对的第一表面和第二表面，金属导线结构位于第一表面；将金属导线结构与背板基底键合；之后自第二表面去除第一区的光电传感层，暴露出主体基底第一区的金属导线结构，在光电传感层内形成开口；之后在第二区部分光电传感层的第二表面形成金属栅格层；在开口暴露出的金属导线结构表面形成金属衬垫，金属衬垫与金属栅格层相连接；在主体基底第二区的光电传感层第二表面形成受光结构。所述方法提高背照式图像传感器的性能。
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